is only 2.86 meV per atom larger th

is only 2.86 meV per atom larger than that for the kesterite
structure [62]. Optoelectronic and structural properties of both the
CIGS and CZTS can be enhanced by replacing its constituent elements
with earth abundant and nontoxic elements, such as SnSbS4
and CuS, etc. [63]. For the CZTS, the high absorption coefficient
(104 cm1
) and optimum band gap (1.0–1.5 eV) cover the maximum
solar spectrum and open a gateway for economic and ecological
thin films device fabrication. The highest achieved effi-
ciency (12.7%) was reported via hydrazine based non-vacuum
particle solution approach, although the theoretical efficiency
value is 32.4% [49,64].
CZTS has been synthesized using different techniques in the
form of thin films and nanocrystal quantum dots. The available
techniques include thermal evaporation, hybrid sputtering, atomic
beam sputtering, electron beam evaporation, pulsed laser
deposition, photochemical deposition, iodine vapor transport
method, one-pot synthesis of colloidal nanoparticles, a modified
Bridgman technique, chemical vapor deposition, photochemical
deposition, electroplating, spray pyrolysis, sulfurization of precursors
and electrochemical route for deposition [65,66]. In the
above stated techniques, electrochemical deposition method is a
non-vacuum technique with a low cost and low temperature.
However, the material utilization for such non-vacuum process is
very high. The best method according to our literature survey for
deposition of the uniform CZTS thin films on a large scale is nonvacuum
electro-deposition technique [67,68]. By optimizing the
process parameters, the defects in the film can be reduced, which
ultimately enhances the crystal quality as well as the performance
of the device. Due to technological interest in the CZTS solar
cells, the number of research publications (obtained from Elsevier)
has been tremendously increased from 2000 to 2015 as shown
in Fig. 5.
The abundance of different elements in earth crust used in the
CZTS and CIGS solar cell materials as compared to others is shown
in Fig. 6. Ga and In are the rare elements in the earth crust
therefore their prices almost get doubled every year due to the
market demand. The price comparison of a few key elements is
shown in Fig. 7, and clearly among them In, Ga and Se are the most
expensive materials in use. Indium is used as an important element
in the CIGS solar cell and the efficiency of the CIGS solar cell
is highest (20.9%) in thin film technologies approaching to c-Si
solar cells. Due to this reason, indium based cells (CIGS) are
Fig. 4. Quantum dot solar cell (A) the electron is excited into the conduction band; (B) electron enters into the conduction band of TiO2; and (C) electron–hole recombination
after passing through electrolytic solution.
Fig. 5. Publication chart for CZTS (obtained from Elsevier 2000–2015).
Fig. 6. Abundance of different materials in earth crust [69,70].
N. Ali et al. / Renewable and Sustainable Energy Reviews 59 (2016) 726–737 729
gradually dominating the solar energy market which is supposed
to increase the manufacturing price of the photovoltaic modules.
The scarcity of the materials is a consistent problem for the
technology and there is no immediate solution for overcoming this
issue. The reason is that cadmium (Cd) and In are the by-products
of Zn refining while selenium (Se) and Te are the by-products of Cu
refining. It means that these rare materials are subjected to the
demand of Zn and Cu. The use of In in ITO as transparent conducting
oxide (TCO) is also important to serve as front contact in
photovoltaic devices. It is possible to replace the ITO by other TCOs
such as Al doped zinc oxide (AZO) or Al doped tin oxide (ATO). The
price of the device has a negative impact on the future ambitions
for developing a technology which can be subtly dependent on the
social economic profile of PV market business. The reprocessing of
old PV modules is reducing the demands of raw materials. It is
therefore presumed that the PV modules should be replaced after
usage for 20–30 years uses and can be recycled for recovering the
materials for further usage [71,72].
The thickness of the CZTS thin films and other related materials
is strongly related to the properties of thin films. It was observed
that the fill factor and short circuit current density decreased with
the increase in the film thickness [72]. The increase in the series
resistance of the thicker layers of the fabricated thin film is
responsible for the deterioration of the properties. The increase in
the thickness of thin film with the substrate temperature [73] is
related with the decrease in sticking coefficient as well as the
increase in the density of the film due to crystallization. The
absorber layers in PV technology are categorized according to their
thickness represented in Fig. 8 [74–78]. The thinnest material used
in thin film PV technology is CuInSe2 while the thickest one is c-Si.
However, CuInSe2 due to its usage of

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพียง 2.86 meV ต่ออะตอมมีขนาดใหญ่กว่า kesteriteโครงสร้าง [62] คุณสมบัติควบคุมและโครงสร้างของทั้งสองCIGS และ CZTS สามารถเพิ่ม โดยการเปลี่ยนองค์ประกอบมีมากมาย และพิษธาตุ เช่น SnSbS4และ CuS ฯลฯ [63] สำหรับ CZTS สัมประสิทธิ์การดูดซับสูง(104 ซม. 1) และช่องว่างของวงดนตรีที่เหมาะสม (1.0 – 1.5 eV) ที่ครอบคลุมสูงสุดคลื่นแสงอาทิตย์และเปิดประตูสำหรับเศรษฐกิจ และระบบนิเวศฟิล์มบางอุปกรณ์ประดิษฐ์ ความสำเร็จสูงสุด effi-เรือน (12.7%) รายงานผ่านใช้ไฮดราซีนไฮเดรตสูญญากาศวิธีแก้ปัญหาอนุภาค แม้ว่าประสิทธิภาพในทางทฤษฎีค่าเป็น 32.4% [49,64]CZTS ได้รับการสังเคราะห์โดยใช้เทคนิคต่าง ๆ ในการรูปแบบของฟิล์มบางและ nanocrystal จุดควอนตัม ที่พร้อมใช้งานเทคนิครวมความร้อนระเหย ไฮบริสปัตเตอร์ อะตอมชีพจรสปัตเตอร์ ระเหยลำแสงอิเล็กตรอน ลำแสงเลเซอร์สะสม photochemical สะสม ขนส่งไอของไอโอดีนวิธี สังเคราะห์หนึ่งหม้อเก็บกัก colloidal การแก้ไขเทคนิค Bridgman สะสมไอสารเคมี photochemicalสะสม ไฟฟ้า ไพโรไลซิสเปรย์ sulfurization ของสารตั้งต้นและกระบวนการผลิตไฟฟ้าสำหรับสะสม [65,66] ในข้างต้นระบุเทคนิค วิธีการสะสมไฟฟ้าเคมีเป็นการเทคนิคไม่ดูดฝุ่นที่ มีอุณหภูมิต่ำ และต้นทุนต่ำอย่างไรก็ตาม เป็นการใช้วัสดุสำหรับกระบวนการดังกล่าวไม่เป็นสูญญากาศสูงมาก วิธีที่ดีที่สุดตามการสำรวจวรรณกรรมของเราสำหรับสะสมของชุด CZTS ฟิล์มบางในขนาดใหญ่เป็น nonvacuumเทคนิคไฟฟ้าสะสม [67,68] โดยการเพิ่มประสิทธิภาพการพารามิเตอร์กระบวนการ ข้อบกพร่องในฟิล์มจะลดลง ซึ่งในที่สุด ช่วยเพิ่มคริสตัลคุณภาพรวมทั้งประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ เนื่องจากสนใจเทคโนโลยีใน CZTS พลังงานแสงอาทิตย์เซลล์ จำนวนผลงานตีพิมพ์ (ได้จาก Elsevier)ได้อย่างมากเพิ่มขึ้นจาก 2000 เป็น 2015 ดังที่ในรูป 5ความอุดมสมบูรณ์ขององค์ประกอบต่าง ๆ ในเปลือกโลกที่ใช้ในการแสดง CZTS CIGS เซลล์แสงอาทิตย์วัสดุเมื่อเทียบกับผู้อื่นรูป 6 Ga และธาตุหายากในเปลือกโลกดังนั้น ราคาเกือบได้รับสองเท่าทุกปีเนื่องจากการต้องการของตลาด การเปรียบเทียบราคาขององค์ประกอบที่สำคัญกี่เป็นแสดง ในรูป 7 และชัดเจนใน หมู่พวกเขาใน Se และ Ga มีมากที่สุดใช้วัสดุราคาแพง ใช้อินเดียมเป็นองค์ประกอบสำคัญเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS และประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ CIGSสูงสุด (20.9%) เทคโนโลยีฟิล์มบางที่ใกล้จะ c-ซีเซลล์แสงอาทิตย์ เนื่องจากเหตุผลนี้ เซลล์ใช้อินเดียม (CIGS) เป็นรูป 4 ควอนตัมดอทโซลาร์เซลล์ (A) อิเล็กตรอนจะตื่นเต้นในวงการนำ (ข) อิเล็กตรอนเข้าสู่วงการนำของ TiO2 และ (C) อิเล็กตรอน – หลุม recombinationหลังจากผ่านโซลูชั่นไฟฟ้ารูป 5 แผนภูมิสิ่งพิมพ์สำหรับ CZTS (ได้รับจาก Elsevier 2000-2015)รูป 6 ความอุดมสมบูรณ์ของวัสดุเปลือกโลก [69,70]N. อาลีร้อยเอ็ด/ พลังงานทดแทน และยั่งยืนพลังงานความคิดเห็น 59 (2016) 726-737 729มีอำนาจเหนือตลาดพลังงานแสงอาทิตย์ซึ่งควรค่อย ๆการเพิ่มราคาผลิตอาทิตย์ขาดแคลนวัสดุเป็นปัญหาสอดคล้องกันสำหรับการเทคโนโลยี และมีวิธีแก้ไขไม่แก้ปัญหานี้ปัญหา เหตุผลที่แคดเมียม (Cd) และใน ผลิตภัณฑ์Zn กลั่นซีลีเนียม (Se) และ Te เป็นผลิตภัณฑ์ของ Cuกลั่น หมายความ ว่า วัสดุเหล่านี้หายากจะอยู่ภายใต้การการความต้องการของ Zn และ Cu ใช้ในในอิโตะเป็นดำเนินการโปร่งใสออกไซด์ (TCO) เป็นสิ่งที่สำคัญเพื่อเป็นการต้อนรับผู้ติดต่อในอุปกรณ์พลังงานแสงอาทิตย์ สามารถแทนอิ โดย TCOs อื่น ๆเช่นอัลเจือสังกะสีออกไซด์ (AZO) หรืออัลเจือดีบุกออกไซด์ (ATO) การราคาของอุปกรณ์มีผลกระทบในใฝ่ฝันในอนาคตเพื่อพัฒนาเทคโนโลยีที่สามารถพึ่งพาอย่างละเอียดข้อมูลเศรษฐกิจสังคมของธุรกิจการตลาด PV Reprocessing ของโมดูล PV เก่าคือการลดความต้องการของวัตถุดิบ มันเป็นดังนั้นจึง สันนิษฐานว่าว่า ควรเปลี่ยนโมดูล PV หลังจากการใช้งานสำหรับการใช้งาน 20-30 ปี และสามารถรีไซเคิลสำหรับการกู้คืนการวัสดุสำหรับการใช้งาน [71,72]ความหนาของฟิล์มบาง CZTS และวัสดุอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องขอที่เกี่ยวข้องกับคุณสมบัติของฟิล์มบาง พบที่เติมปัจจัยและไฟฟ้าลัดวงจรกระแสความหนาแน่นลดลงด้วยการเพิ่มความหนาของฟิล์ม [72] การเพิ่มขึ้นในชุดมีความต้านทานของชั้นหนาของฟิล์มบางประดิษฐ์ผิดชอบในการเสื่อมสภาพของคุณสมบัติ การเพิ่มขึ้นของความหนาของฟิล์มบางที่มีอุณหภูมิพื้นผิว [73]ที่เกี่ยวข้องลดลงสัมประสิทธิ์ติดด้วยเป็นการเพิ่มความหนาแน่นของฟิล์มเนื่องจากการตกผลึก การมีการแบ่งประเภทชั้นดูดซับเทคโนโลยี PV ตามของพวกเขาความหนาที่แสดงในรูป 8 [74-78] วัสดุบางที่สุดที่ใช้ในฟิล์มบาง PV เทคโนโลยีเป็น CuInSe2 ในขณะที่หนาที่สุดคือ c-ซีอย่างไรก็ตาม CuInSe2 เนื่องจากการใช้ของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นเพียง 2.86 MeV ต่ออะตอมขนาดใหญ่กว่าสำหรับ kesterite
โครงสร้าง [62] คุณสมบัติ Optoelectronic และโครงสร้างของทั้ง
บุหรี่และ CZTS สามารถเพิ่มโดยการเปลี่ยนองค์ประกอบของมัน
ด้วยดินองค์ประกอบมากมายและปลอดสารพิษเช่น SnSbS4
และยูเอส ฯลฯ [63] สำหรับ CZTS ที่ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมสูง
(104 ซม. 1
) และช่องว่างวงดนตรีที่ดีที่สุด (1.0-1.5 EV) ครอบคลุมสูงสุด
สเปกตรัมพลังงานแสงอาทิตย์และเปิดประตูสำหรับเศรษฐกิจและระบบนิเวศ
บางผลิตอุปกรณ์ภาพยนตร์ ประสบความสำเร็จสูงสุดประสิทธิภาพการ
ciency (12.7%) มีรายงานผ่านไฮดราซีนไม่ใช่สูญญากาศตาม
วิธีการแก้ปัญหาของอนุภาคแม้ว่าประสิทธิภาพทฤษฎี
ค่า 32.4% [49,64].
CZTS ได้รับการสังเคราะห์โดยใช้เทคนิคที่แตกต่างกันใน
รูปแบบของฟิล์มบางและ จุด nanocrystal ควอนตัม ที่มี
เทคนิครวมถึงการระเหยความร้อนสปัตเตอร์ไฮบริดอะตอม
สปัตเตอร์ลำแสงอิเล็กตรอนระเหยลำแสงเลเซอร์ชีพจร
ทับถมสะสมเคมี, การขนส่งไอไอโอดีน
วิธีการสังเคราะห์หนึ่งหม้อของอนุภาคนาโนคอลลอยด์แก้ไข
เทคนิค Bridgman ไอสารเคมีสะสมเคมี
สะสม ไฟฟ้า, สเปรย์ไพโรไลซิ, sulfurization ของสารตั้งต้น
และเส้นทางการไฟฟ้าสำหรับการสะสม [65,66] ใน
เทคนิคการระบุไว้ข้างต้นวิธีการสะสมไฟฟ้าเป็น
เทคนิคที่ไม่สูญญากาศที่มีต้นทุนต่ำและอุณหภูมิต่ำ.
อย่างไรก็ตามการใช้วัสดุสำหรับกระบวนการที่ไม่สูญญากาศดังกล่าวเป็น
ที่สูงมาก วิธีที่ดีที่สุดตามการสำรวจวรรณกรรมของเราสำหรับ
การสะสมของ CZTS เครื่องแบบฟิล์มบางในขนาดใหญ่เป็น nonvacuum
ไฟฟ้าทับถมเทคนิค [67,68] โดยการเพิ่มประสิทธิภาพ
พารามิเตอร์กระบวนการข้อบกพร่องในภาพยนตร์เรื่องนี้จะลดลงซึ่ง
ในที่สุดช่วยเพิ่มคุณภาพคริสตัลเช่นเดียวกับประสิทธิภาพการทำงาน
ของอุปกรณ์ เนื่องจากความสนใจในเทคโนโลยีพลังงานแสงอาทิตย์ CZTS
เซลล์จำนวนสิ่งพิมพ์การวิจัย (ที่ได้รับจากเอลส์)
ได้รับการเพิ่มขึ้นอย่างมาก 2000-2015 ตามที่แสดง
ในรูป 5.
ความอุดมสมบูรณ์ขององค์ประกอบที่แตกต่างกันในเปลือกโลกใช้ใน
CZTS และวัสดุ CIGS เซลล์แสงอาทิตย์เมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ ก็แสดงให้เห็น
ในรูป 6. จอร์เจียและในเป็นองค์ประกอบที่หายากในเปลือกโลก
ดังนั้นราคาของพวกเขาได้รับเกือบสองเท่าทุกปีเนื่องจากการ
ความต้องการของตลาด การเปรียบเทียบราคาขององค์ประกอบที่สำคัญไม่กี่จะถูก
แสดงในรูป 7 อย่างชัดเจนและในหมู่พวกเขาในจอร์เจียและ Se เป็นส่วนใหญ่
วัสดุที่มีราคาแพงในการใช้งาน อินเดียมจะถูกใช้เป็นองค์ประกอบที่สำคัญ
ในเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS และประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS
สูงที่สุด (20.9%) ในเทคโนโลยีฟิล์มบาง ๆ ใกล้กับ C-Si
เซลล์แสงอาทิตย์ เพราะเหตุนี้อินเดียมเซลล์ (CIGS) มี
รูป 4. ควอนตัมดอทเซลล์แสงอาทิตย์ (A) อิเล็กตรอนจะตื่นเต้นเข้าไปในการนำวงดนตรี; (B) อิเล็กตรอนเข้าสู่การนำวงดนตรีของ TiO2; และ (ค) อิเล็กตรอนหลุมรวมตัวกันอีก
หลังจากผ่านการแก้ปัญหาไฟฟ้า.
รูป 5. แผนภูมิที่ตีพิมพ์สำหรับ CZTS (ที่ได้รับจากเอลส์ 2000-2015).
รูป 6. ความอุดมสมบูรณ์ของวัสดุที่แตกต่างกันในเปลือกโลก [69,70].
เอ็น อาลี, et al / ทดแทนและยั่งยืนความคิดเห็นเกี่ยวกับพลังงาน 59 (2016) 726-737 729
ค่อยๆมีอำนาจเหนือตลาดพลังงานแสงอาทิตย์ซึ่งควร
จะเพิ่มราคาการผลิตของโมดูลไฟฟ้าโซลาร์เซลล์.
ความขาดแคลนของวัสดุที่เป็นปัญหาที่สอดคล้องกันสำหรับ
เทคโนโลยีและไม่มีการทันที วิธีการแก้ปัญหาสำหรับการเอาชนะนี้
ปัญหา เหตุผลก็คือว่าแคดเมียม (Cd) และเป็นโดยผลิตภัณฑ์
ของ Zn กลั่นขณะที่ซีลีเนียม (SE) และ Te เป็นโดยผลิตภัณฑ์ของ Cu
กลั่น มันหมายความว่าวัสดุที่หายากเหล่านี้จะถูกยัดเยียดให้
ความต้องการของสังกะสีและทองแดง การใช้ในในการทำ ITO โปร่งใส
ออกไซด์ (TCO) นอกจากนี้ยังเป็นสิ่งสำคัญที่จะทำหน้าที่เป็นผู้ติดต่อด้านหน้าใน
อุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ มันเป็นไปได้ที่จะเปลี่ยน ITO โดย TCOs อื่น ๆ
เช่นอัลเจือสังกะสีออกไซด์ (AZO) หรืออัลเจือดีบุกออกไซด์ (ATO)
ราคาของอุปกรณ์ที่มีผลกระทบในทางลบต่อความทะเยอทะยานในอนาคต
สำหรับการพัฒนาเทคโนโลยีที่สามารถอย่างละเอียดขึ้นอยู่กับ
รายละเอียดทางเศรษฐกิจสังคมของธุรกิจตลาด PV ปรับกระบวนการของ
แผงเซลล์แสงอาทิตย์เก่าคือการลดความต้องการของวัตถุดิบ มันเป็น
ดังนั้นจึงสันนิษฐานไว้ก่อนว่าแผงเซลล์แสงอาทิตย์ควรจะเปลี่ยนหลังจาก
การใช้งานสำหรับ 20-30 ปีใช้และสามารถนำกลับมาใช้สำหรับการกู้คืน
วัสดุสำหรับการใช้งานต่อไป [71,72].
ความหนาของ CZTS ฟิล์มบางและวัสดุอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้อง
เป็นที่มั่น คุณสมบัติของฟิล์มบาง มันถูกตั้งข้อสังเกต
ว่าปัจจัยที่เติมและไฟฟ้าลัดวงจรความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าลดลงตาม
การเพิ่มขึ้นของความหนาของฟิล์มที่ [72] การเพิ่มขึ้นของชุด
ความต้านทานของชั้นหนาของฟิล์มบางประดิษฐ์เป็น
ผู้รับผิดชอบในการเสื่อมสภาพของคุณสมบัติที่ การเพิ่มขึ้นของ
ความหนาของฟิล์มบางที่มีอุณหภูมิพื้นผิว [73] จะ
เกี่ยวข้องกับการลดลงของค่าสัมประสิทธิ์ติดเช่นเดียวกับ
การเพิ่มขึ้นของความหนาแน่นของภาพยนตร์เรื่องนี้เกิดจากการตกผลึก
ชั้นโช้คใน PV เทคโนโลยีมีการแบ่งประเภทตามที่พวกเขา
มีความหนาเป็นตัวแทนในรูป 8 [74-78] วัสดุที่บางที่สุดที่ใช้
ในเทคโนโลยีฟิล์มบาง PV เป็น CuInSe2 ในขณะที่หนึ่งหนาเป็น C-Si.
อย่างไรก็ตาม CuInSe2 เนื่องจากการใช้งานของ