ZnO-based varistor ceramics doped w

ZnO-based varistor ceramics doped with Nd2O3 and Y2O3 have been prepared by the conventional ceramics method. The phase
composition, microstructure and electrical properties of the ceramics have been investigated by XRD, SEM and a V–I source/measure
unit. The XRD and EDS analyses show the presence of ZnO, Bi2O3, Zn7Sb2O12, Y2O3, Nd-rich phase and Y-containing Bi-rich phase.
The electrical properties analyzed show that the nonlinear coefficient of the varistor ceramics is in the range of 4.4–70.2, the threshold
voltage is in the range of 247.1–1288.8 V/mm, and the leakage current is in the range of 1.51–214.6 mA/cm2
. The 0.25 mol% Nd2O3
added varistor ceramics with 0.10 mol%Y2O3 sintered at 1050 1C exhibits excellent electrical properties with the high threshold voltage
of 556.4 V/mm, the nonlinear coefficient of 61 and the leakage current of 1.55 mA/cm2
. The results illustrate that doping Nd2O3 and
Y2O3 in ZnO-based varistor ceramics may be a very promising route for the production of the higher threshold voltage and the
nonlinear coefficient of ZnO-based varistor ceramics.
& 2012 Elsevier Ltd and Techna Group S.r.l. All rights reserved.
Keywords: E. Varistors; ZnO-based ceramics; Rare earth; Microstructure

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เซรามิกส์ ZnO ใช้วาริสเตอร์ doped Y2O3 และ Nd2O3 ได้ถูกเตรียมไว้ โดยวิธีการเคลือบแบบเดิม ขั้นตอนการองค์ประกอบ ต่อโครงสร้างจุลภาค และคุณสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกส์มีการสอบสวน โดย XRD, SEM และ V เป็น – ฉันแหล่ง/วัดหน่วยการ วิเคราะห์ EDS และ XRD แสดงสถานะการออนไลน์ของ ZnO, Bi2O3, Zn7Sb2O12, Y2O3, Nd-ริชระยะและระยะ Y ประกอบด้วย Bi-ริชคุณสมบัติทางไฟฟ้าวิเคราะห์แสดงว่า สัมประสิทธิ์ไม่เชิงเส้นของเครื่องเคลือบวาริสเตอร์ในช่วง 4.4 – 70.2 ขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้าอยู่ในช่วงของ 247.1 – 1288.8 V/mm และกระแสรั่วไหลอยู่ในช่วงของ 1.51 – 214.6 mA/cm2. 0.25 โมล% Nd2O3วาริสเตอร์เพิ่มเผาเซรามิกส์ 0.10 โมล% Y2O3 ที่ 1050 1C จัดแสดงคุณสมบัติไฟฟ้า ด้วยแรงดันขีดจำกัดสูงสุด556.4 V/มม. สัมประสิทธิ์ไม่เชิงเส้นของ 61 และกระแสรั่วไหล 1.55 mA/cm2. ผลลัพธ์แสดงว่า doping Nd2O3 และY2O3 ในเซรามิกส์ ZnO ใช้วาริสเตอร์อาจจะผลิตแรงดันขีดจำกัดสูงกว่าเส้นแนวโน้มมากและสัมประสิทธิ์ไม่เชิงเส้นของเซรามิกส์ ZnO ใช้วาริสเตอร์และ 2012 Elsevier จำกัดและ กลุ่ม Techna s.r.l สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมดคำสำคัญ: E. Varistors เคลือบ ZnO ใช้ ธาตุหายาก ต่อโครงสร้างจุลภาค

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิงค์ออกไซด์ที่ใช้เซรามิกวาริสเตอร์เจือด้วย Nd2O3 Y2O3 และได้รับการจัดทำขึ้นโดยวิธีการเซรามิกธรรมดา เฟส
องค์ประกอบของคุณสมบัติจุลภาคและไฟฟ้าของเซรามิกที่ได้รับการตรวจสอบโดย XRD, SEM และเป็นแหล่ง V-I / วัด
หน่วย XRD และวิเคราะห์ EDS แสดงการปรากฏตัวของซิงค์ออกไซด์, Bi2O3, Zn7Sb2O12, Y2O3 เฟสโดที่อุดมด้วยและ Y ที่มีขั้นตอนการ Bi-ที่อุดมไปด้วย.
คุณสมบัติทางไฟฟ้าการวิเคราะห์แสดงให้เห็นว่าค่าสัมประสิทธิ์เชิงเส้นของเซรามิกวาริสเตอร์ที่อยู่ในช่วงของ 4.4- 70.2 เกณฑ์
แรงดันไฟฟ้าอยู่ในช่วง 247.1-1288.8 V / มม, และการรั่วไหลในปัจจุบันอยู่ในช่วง 1.51-214.6
mA / cm2 0.25 mol% Nd2O3
เพิ่มเซรามิกวาริสเตอร์กับ 0.10 mol% เผา Y2O3 ที่ 1050 1C แสดงคุณสมบัติไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมด้วยแรงดันเกณฑ์สูง
ของ 556.4 V / มมไม่เชิงเส้นค่าสัมประสิทธิ์ของ 61 และการรั่วไหลปัจจุบันของ 1.55
mA / cm2 แสดงให้เห็นถึงผลที่ยาสลบ Nd2O3 และ
Y2O3 ในซิงค์ออกไซด์ที่ใช้เซรามิกวาริสเตอร์อาจจะเป็นเส้นทางที่มีแนวโน้มมากสำหรับการผลิตของแรงดันเกณฑ์ที่สูงขึ้นและ
ค่าสัมประสิทธิ์เชิงเส้นของซิงค์ออกไซด์ที่ใช้เซรามิกวาริสเตอร์.
2012 และเอลส์ จำกัด และกลุ่ม Techna Srl สงวนลิขสิทธิ์ .
คำสำคัญ: อีวาริสเตอร์; เซรามิกซิงค์ออกไซด์ตาม; แผ่นดินที่หายาก; จุลภาค

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิงค์ออกไซด์เจือด้วย nd2o3 ใช้วาริสเตอร์ เซรามิค และเซรามิค y2o3 เตรียมโดยการสอนแบบปกติ เฟส
องค์ประกอบ โครงสร้างจุลภาคและสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกได้รับการสอบสวนโดย XRD , SEM และวี–ผมแหล่งที่มา / วัด
หน่วย การศึกษาเฟส EDS วิเคราะห์และแสดงตนของ ZnO , bi2o3 zn7sb2o12 y2o3 , ND , รวย , เฟส และ y-containing บี
เฟสที่อุดมไปด้วยคุณสมบัติทางไฟฟ้า วิเคราะห์พบว่าค่าสัมประสิทธิ์ของความไม่เป็นเส้นตรงของวาริสเตอร์เซรามิกในช่วง 4.4 – 70.2 ธรณีประตู
แรงดันไฟฟ้าในช่วง 247.1 – 1288.8 v / มม. และการรั่วไหลในปัจจุบันอยู่ในช่วงของ MA 1.51 – 214.6 / cm2

ที่ 0.25 โมล % nd2o3
เพิ่มวาริสเตอร์เซรามิกกับ 010 mol % y2o3 เผาที่ 1C เพื่อแสดงคุณสมบัติไฟฟ้าแรงดันสูงที่ยอดเยี่ยมกับเกณฑ์ของ 556.4
V / mm , ค่าสัมประสิทธิ์ของความไม่เป็นเส้นตรงของ 61 และการรั่วไหลในปัจจุบันมา 1.55 / cm2

ผลการวิจัยแสดงให้เห็นว่าการ nd2o3
y2o3 ในซิงค์ออกไซด์ Varistor และใช้เซรามิค อาจเป็นเส้นทางที่สดใสมากสำหรับการผลิตสูงกว่าเกณฑ์แรงดัน
ค่าสัมประสิทธิ์ของความไม่เป็นเส้นตรงของ Varistor ซิงค์ออกไซด์ที่ใช้เซรามิก .
& 2012 บริษัท Ltd และ techna กลุ่ม S.R.L . สงวนลิขสิทธิ์ .
คำสำคัญ : เช่นซิงค์ออกไซด์วาริสเตอร์มี ; ใช้เซรามิก ; ธาตุ ; โครงสร้างจุลภาค