The diode ideality factor (A), reve

The diode ideality factor (A), reverse saturation
current density (Jo), and shunt conductance for the
junction performance are extracted from the dark J–V
curve. Fitting to the ln(J)–V data for the forward bias
between 0.5 and 0.8 V gives an approximately linear
and yield diode ideality factor, A, of 2.49 and a Jo of
1.2  10–7 A/cm2. From the slope of the J–V characteristic
at a zero bias, the shunt conductance is estimated to
be 2.39  10–4 (S/cm2), which corresponds to a shunt
resistance of 4,184 Ω/cm2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปัจจัย ideality ไดโอด (A) ความอิ่มตัวย้อนกลับปัจจุบันความหนาแน่น (โจ), ความต้านทานทางเชื่อมโพรงสำหรับการเชื่อมต่อประสิทธิภาพที่สกัดจากเจมืด – Vเส้นโค้ง พอดีใน ln (J) – ข้อมูล V ความโน้มเอียงไปข้างหน้าระหว่าง 0.5 และ 0.8 V ให้ประมาณการเชิงเส้นและผลตอบแทนไดโอด ideality คูณ A, 2.49 และโจ้ของ1.2  10-7 A/cm2 จากความชันของลักษณะเจ – Vที่มีความโน้มเอียงเป็นศูนย์ ต้านทานแบ่งแม็กซ์คือประมาณเป็น 2.39  10-4 (S/cm2), ซึ่งสอดคล้องกับการแบ่งแม็กซ์ความต้านทานของΩ 4,184 cm2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปัจจัยที่ไดโอด ideality (A)
ความอิ่มตัวย้อนกลับหนาแน่นกระแส(โจ)
และสื่อกระแสไฟฟ้าแบ่งสำหรับผลการดำเนินงานทางแยกที่สกัดจากJ-V
สีเข้มโค้ง เหมาะสมกับการ ln (J) -V
ข้อมูลอคติไปข้างหน้าระหว่าง0.5 และ 0.8 V
ให้ประมาณเชิงเส้นและผลผลิตไดโอดปัจจัยideality, A, 2.49 และโจ
1.2  10-7 A / cm2 จากความลาดเอียงของลักษณะ
J-วีที่เป็นศูนย์อคติสื่อกระแสไฟฟ้าแบ่งเป็นที่คาดกันว่าจะเป็น
2.39  10-4 (S / cm2)
ซึ่งสอดคล้องกับปัดความต้านทานของ4184 Ω / cm2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไดโอด ideality แบบตัวประกอบ ( A ) , ความหนาแน่นกระแสย้อนกลับอิ่มตัว
( โจ ) และหลอดเลือดความนำสำหรับ
งานแยกเป็นสกัดจากความมืด J ( v
โค้ง พอดีกับที่ ( J ) V )
อคติส่งต่อข้อมูลระหว่าง 0.5 และ 0.8 V ให้ประมาณเส้น
และผลผลิต ideality แบบไดโอด , ปัจจัย , 2.49 และโจของ
1.2  10 – 7 / cm2 จากความชันของ J - V ลักษณะ
ที่ศูนย์อคติshunt การชักประมาณ
เป็น 2.39  10 – 4 ( S / cm2 ) ซึ่งสอดคล้องกับความต้านทานของหลอดเลือด
4184 Ω / cm2