The hybrid PS–GO structures were created by the method of electrochemi การแปล - The hybrid PS–GO structures were created by the method of electrochemi ไทย วิธีการพูด

The hybrid PS–GO structures were cr

The hybrid PS–GO structures were created by the method of electrochemical etching of silicon wafer and deposition on the PS layer of GO prepared from water dispersion. It was found that GO formed a film on the surface of PS and partially penetrated into the pores. The effect of the GO layer on the luminescent and electrical properties of PS was studied using comprehensive studies. It was found that the GO film passivates the surface of PS and also is sufficiently transparent to allow excitation and emission of PL. In addition, GO modified the PL spectrum, shifting the emission maximum for Δλ = 25 nm to lower energies. Deposition of the GO on the surface of the porous layer led to the changes of the electrical parameters of PS in AC and DC modes. Change of the character of CVC from rectifier-like to varistor-like can be caused by the appearance of new electric barriers in the hybrid nanosystems. The complex nature of the dispersion of electrical capacitance in PS-based structures was established using the method of impedance spectroscopy. Observed behavior of the dispersion is caused by the features of transport and relaxation of charges in disordered systems. Impact of the GO on electrical characteristics of PS manifests in reduction of the capacitance and internal resistance of the hybrid structures.
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
โครงสร้าง PS – ไปไฮบริดถูกสร้างขึ้น โดยวิธีการแกะสลักไฟฟ้าเคมีของแผ่นซิลิคอนและสะสมบนชั้น PS ของไปจากน้ำกระจาย พบว่า ไปเกิดเป็นฟิล์มบนผิวของ PS และบางส่วนเจาะเข้าไปในรูขุมขน ผลของชั้นไปคุณสมบัติเรืองแสง และไฟฟ้าของ PS เป็นศึกษาใช้ศึกษาครอบคลุม พบว่า ฟิล์มไป passivates พื้นผิวของ PS และยัง มีความโปร่งใสพอให้กระตุ้นและปรับลดการปล่อย นอกจากนี้ ไปแก้ไขสเปกตรัม PL ขยับปล่อยสูงสุดสำหรับΔλ = 25 nm จะลดพลังงาน สะสมของไปบนพื้นผิวของชั้นที่มีรูพรุนที่นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงพารามิเตอร์ไฟฟ้าของ PS ในโหมด AC และ DC การเปลี่ยนแปลงของตัวละครของ CVC จาก rectifier-ชอบเหมือนวาริสเตอร์สามารถเกิดจากลักษณะของอุปสรรคใหม่ไฟฟ้า nanosystems ไฮบริด ธรรมชาติซับซ้อนของการกระจายตัวของความจุไฟฟ้าในโครงสร้างพื้นฐาน PS ก่อโดยใช้สเปกโทรสโกอิมพีแดนซ์ สังเกตพฤติกรรมของการกระจายตัวที่เกิดจากคุณสมบัติของขนส่งและผ่อนค่าธรรมเนียมในระบบเป็นระเบียบ ผลกระทบของไปไฟฟ้าลักษณะของ PS ปรากฏในลดความจุและความต้านทานภายในของโครงสร้างแบบผสมผสาน
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
ไฮบริดโครงสร้าง PS-GO ถูกสร้างขึ้นโดยวิธีการแกะสลักไฟฟ้าของเวเฟอร์ซิลิคอนและการสะสมในชั้น PS ของ GO ที่เตรียมจากการกระจายตัวของน้ำ มันก็พบว่า GO รูปแบบฟิล์มบนพื้นผิวของ PS และบางส่วนทะลุเข้าไปในรูขุมขน ผลของชั้น GO บนเรืองแสงและไฟฟ้าคุณสมบัติของ PS ได้ศึกษาโดยใช้การศึกษาที่ครอบคลุม มันก็พบว่าฟิล์ม GO passivates พื้นผิวของ PS และยังมีความโปร่งใสเพียงพอที่จะช่วยให้การกระตุ้นและการปล่อย PL นอกจากนี้ไปปรับเปลี่ยนคลื่นความถี่ PL ขยับสูงสุดปล่อยก๊าซเรือนกระจกสำหรับΔλ = 25 นาโนเมตรเพื่อลดการใช้พลังงาน การทับถมของ GO บนพื้นผิวของชั้นที่มีรูพรุนที่นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงของค่าไฟฟ้าของ PS ใน AC และ DC โหมด การเปลี่ยนแปลงของตัวละครของ CVC จาก rectifier เหมือนวาริสเตอร์เหมือนอาจเกิดจากลักษณะของปัญหาและอุปสรรคไฟฟ้าใหม่ใน nanosystems ไฮบริด ธรรมชาติที่ซับซ้อนของการกระจายตัวของความจุไฟฟ้าในโครงสร้าง PS-based ก่อตั้งขึ้นโดยใช้วิธีการของความต้านทานเปคโทร สังเกตพฤติกรรมของการกระจายที่เกิดจากคุณสมบัติของการขนส่งและการผ่อนคลายของค่าใช้จ่ายในระบบระเบียบ ผลกระทบของลักษณะ GO ไฟฟ้าของ PS แสดงออกในการลดลงของความจุและความต้านทานภายในของโครงสร้างไฮบริด
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
ลูกผสม PS –ไปโครงสร้างถูกสร้างขึ้นโดยวิธีการของ เกี่ยวกับลักษณะโครงสร้างของเวเฟอร์ซิลิคอนและสะสมบน PS ชั้นไปเตรียมจากการกระจายน้ำ พบว่ารูปแบบที่ฟิล์มบนพื้นผิวของ PS และบางส่วน เจาะเป็นรู ผลของการไปชั้นบนเรืองแสงและสมบัติทางไฟฟ้าของ PS เพื่อใช้ศึกษาอย่างละเอียด พบว่า ไปถ่าย passivates พื้นผิวของ PS และยังเพียงพอโปร่งใสเพื่อให้ความตื่นเต้นและมลพิษที่ปล่อยจากต้นนอกจากนี้คุณไปดัดแปลงสเปกตรัม ขยับเพิ่มสูงสุดΔλ  =   25 นาโนเมตรพลังงานต่ำ การตกสะสมของไปบนพื้นผิวของชั้นรูพรุนที่นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงของพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของ PS ในโหมด AC และ DC การเปลี่ยนแปลงของตัวละครของ CVC จากกระแสชอบวาริสเตอร์ เช่นอาจเกิดจากลักษณะของอุปสรรคไฟฟ้าใหม่ใน nanosystems ลูกผสม ธรรมชาติของการกระจายของความจุไฟฟ้าใน PS ตามโครงสร้างก่อตั้งขึ้นโดยใช้วิธีอิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปี สังเกตพฤติกรรมของการแพร่กระจายเกิดจากคุณสมบัติของค่าใช้จ่ายในการขนส่งและการผ่อนคลายของผู้ควบคุมระบบ ผลกระทบของการไปแสดงคุณลักษณะทางไฟฟ้าของ PS ในการลดของความจุไฟฟ้าและความต้านทานภายในของโครงสร้างแบบผสม
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: