The self-oscillation of CMOSs afore

The self-oscillation of CMOSs aforementioned happens from the stray capacitance between the IC junctions (junction capacitance) of CMOS semiconductor structure as illustrated which is shown in figure 4.11. Equation 4.1 shows the finding of the voltage at the G point ( ), of which the state is stable = , and where and are very low values that may then be neglected. The voltage drop at the G point ( ) is half the value of , while the output voltage swings from to ground if this voltage is of higher value than the set-point operation of the MOSFET device ( and ).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตนเองสั่นของ CMOSs ดังกล่าวเกิดขึ้นจากความหลงทางระหว่าง IC junctions (ชุมทางความ) ของ CMOS สารกึ่งตัวนำโครงสร้างตามที่แสดงในรูปที่ 4.11 สมการที่ 4.1 แสดงการค้นหาของแรงดันที่()จุด G ซึ่งรัฐมีเสถียรภาพ = และที่มีค่าต่ำมากอาจแล้วมีที่ไม่มีกิจกรรม แรงดันที่()จุด G คือ ค่าครึ่งของ ในขณะที่แรงดันไฟฟ้าผลลัพธ์ชิงช้าจากไปพื้นดินถ้าแรงดันนี้มีค่ามากกว่าการจุดชุดอุปกรณ์มอสเฟต (และ)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวเองสั่นของ CMOSs​​ ดังกล่าวข้างต้นเกิดขึ้นจากความจุจรจัดระหว่างทางแยก IC (ความจุชุม) ของโครงสร้างเซมิคอนดักเตอร์แบบ CMOS เป็นภาพที่แสดงในรูปที่ 4.11 สมการ 4.1 แสดงให้เห็นถึงการค้นพบของแรงดันไฟฟ้าที่จุด G ที่ () ที่รัฐมีเสถียรภาพ = และที่ไหนและมีค่าต่ำมากที่อาจจะถูกละเลย แรงดันที่จุดจี () เป็นครึ่งหนึ่งของมูลค่าของในขณะที่ชิงช้าแรงดันออกจากกับพื้นถ้าแรงดันไฟฟ้านี้มีค่าสูงกว่าการดำเนินการตั้งจุดของอุปกรณ์มอสเฟต (และ)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ด้วยการสั่นของ cmoss ดังกล่าวเกิดขึ้นจากลังถึง ระหว่างแยก IC ( ชุมทาง capacitance ) โครงสร้างของ CMOS ( ดังภาพประกอบที่แสดงในรูปที่ 4.11 . 4.1 แสดงการหาสมการของแรงดันที่จุด ( G ) ซึ่งรัฐมีเสถียรภาพ = และที่และค่าต่ำมากที่อาจจะหลงที่แรงดันไฟฟ้าที่จุด G ( ) เป็นครึ่งหนึ่งของมูลค่า ในขณะที่แรงดันชิงช้าจากพื้นดินถ้าแรงดันนี้มีค่าสูงกว่าจุดตั้งการทำงานของอุปกรณ์มอสเฟต ( และ )