Transparent electrodes (TEs) which

Transparent electrodes (TEs) which conduct electrical current and allow light to pass through are widely used as the essential component in various optoelectronic devices such as light-emitting diode, photovoltaic cells, photodetectors, solar control windows and touch screens1, 2, 3, 4. As the name implies, an excellent TE itself ought to possess high conductivity and high transparency. Meanwhile, from an application point of view, low resistance between TE and active electronic materials which are generally semiconductors, also plays a crucial role in achieving high-performance devices. Over the past few decades, promising TE materials that have come on stage include transparent conductive oxides, metal grids5, metal nanowire (NW) networks6 and graphene3. Tin-doped indium oxide (ITO) is the best transparent conductive oxide layer with the lowest resistivity on a commercial scale7, which has been the prevailing material in flat-panel displays. However, ITO is too expensive owing to the high cost of indium. In addition, ITO thin films are too brittle to be used in flexible devices8 and low optical transmittance in blue wavelength regions6. Nanoscale carbon-based materials9 such as graphene have recently come up with exceptionally high mobility and excellent transparency10, 11. However, handicaps of large amount of grain boundaries and wrinkles formed during growth lead to the limitation of graphene sheet resistance (100–1000 Ohm/sq at 80–90% transmittance)12. Moreover, the substrate-based synthesis by chemical vapor deposition (CVD) has to face challenges in large-scale production at low cost. Another possibility is offered by metallic nanograting patterns prepared by roll-to-roll nanoimprint lithography13 or metal patterning method14. In respect to TEs composed of metallic nanostructures, interlaced metal NW networks seem to hold a greater promise, which have well met most of the TE requirements such as good performance, mass synthesis (through solution method) and low cost. Since the initial work reported by P. Peumans et al, wherein TEs with a performance exceeding that of conventional metal oxide were prepared using Ag NW mesh, interlaced metal NW networks have attracted increasing attentions15. For example, large area Ag NWs network with a sheet resistance of 50 Ohm/sq at 90% transmittance was achieved by Scardaci, V. et al.16, meanwhile more excellent performances of R = 34 ± 2 Ohm/sq at 98% transmittance and 8 ohms/sq and 80% diffusive transmittance in the visible spectral range for silver nanowires electrodes were reported by Leem, D.-S. et al17 and Y. Cui's group18, respectively. Wiley and co-workers have been focusing their attention in Cu nanowires TEs, who obtained a sheet resistance 61 Ohm/sq at 67% transmittance for Cu NWs TEs19 and then improved the optoelectronic performance to 60 Ohm/sq at 94.4%20. Furthermore, in order to optimize the oxidation-resistant ability of the Cu NWs TEs, they coated Cu NWs with Ni shell. A more effective solution was offered by coating layers of aluminum-doped zinc oxide onto the electrospun copper nanofibers21. More recently, based on electrospinning and metal deposition, transparent conductive electrode with remarkable optoelectronic performance (sheet resistance of about 2 Ohm/sq at 90% transmission) and mechanical flexibility was achieved in Y. Cui's group22. The obviously contradicting relationship between the high transmittance and low resistivity in metal NW networks strongly restricts its further improvement and wide applications, which has been a crucial problem to overcome. Where does this conflict stem from? It was observed that the thicker the NW layer is, the higher the conductivity of TE could be but the worse the transmittance would become meanwhile23. This is because the light has been largely blocked by the thick media. Recently, metal nanowires include Ag NWs24, Cu NWs19, 25 and Cu@Ni core-shell NWs26, have been synthesized through chemical solution route. These metal NWs in the form of inks were then imprinted onto substrates to form desired TEs. According to previous reports, the metal NWs generating in solution usually have large diameter, short length and a great number of nanoparticles attached27. For example, the Ag NWs synthesized by Lee et al. have a diameter between 100 ~ 150 nm24. The Cu NWs reported by Wiley et al. are in a diameter of 90 ± 10 nm and in a length of 10 ± 3 μm, meanwhile, spherical nanoparticles are absorbed at the end of the NWs19. As a result, the transparent conductor consisting of the as-synthesized Cu NWs has a sheet resistance of 61 Ohm sq−1 at a transmittance of just 67%. On this issue, Hu and his coworkers proposed the percolation theory to predict the threshold areal NW density of Nth = (4.236/L)2/π (L being the wire length) for achieving the onset of TE conductivity23. From this relation, we can know that a longer wire length could provide a higher conductivity with less NWs. Furthermore, a network with thinner NWs is also beneficial to give wider spacing as the light's pathway. Thus, an important solution to the conflict and the crucial challenge lies in producing perfectly ultra-long and thin metal NWs with smooth surfaces27.

Catalytic effect has been widely used by chemists to synthesize a variety of chemical compounds since this concept was recommended to chemical science by Berzelius in the 18th century. Based on this concept, here we demonstrate a novel method with nickel ions to large-scale catalytic synthesis of ultra-long and fine Cu NWs in hydrophobic solution with excellent dispersibility and very high aspect ratio. The catalytic growth mechanism and network connection model were further elucidated, which could be extended to synthesis of other metallic NWs such as Ag and Au NWs. The imprinted TE with the as-prepared Cu NWs achieves a sheet resistance of 51 Ohm sq−1 at 93% transparency, which has been comparable to the commercial ITO thin film and exceeded some of the available metal-based TEs (see Supplementary Information, Fig. S1). Moreover, Ohmic contact to n- and p-type GaN conducting layers have been fabricated and succeeded in electroluminescence of GaN-based blue light emitting diodes (LEDs).

Transparent electrodes (TEs) which conduct electrical current and allow light to pass through are widely used as the essential component in various optoelectronic devices such as light-emitting diode, photovoltaic cells, photodetectors, solar control windows and touch screens1, 2, 3, 4. As the name implies, an excellent TE itself ought to possess high conductivity and high transparency. Meanwhile, from an application point of view, low resistance between TE and active electronic materials which are generally semiconductors, also plays a crucial role in achieving high-performance devices. Over the past few decades, promising TE materials that have come on stage include transparent conductive oxides, metal grids5, metal nanowire (NW) networks6 and graphene3. Tin-doped indium oxide (ITO) is the best transparent conductive oxide layer with the lowest resistivity on a commercial scale7, which has been the prevailing material in flat-panel displays. However, ITO is too expensive owing to the high cost of indium. In addition, ITO thin films are too brittle to be used in flexible devices8 and low optical transmittance in blue wavelength regions6. Nanoscale carbon-based materials9 such as graphene have recently come up with exceptionally high mobility and excellent transparency10, 11. However, handicaps of large amount of grain boundaries and wrinkles formed during growth lead to the limitation of graphene sheet resistance (100–1000 Ohm/sq at 80–90% transmittance)12. Moreover, the substrate-based synthesis by chemical vapor deposition (CVD) has to face challenges in large-scale production at low cost. Another possibility is offered by metallic nanograting patterns prepared by roll-to-roll nanoimprint lithography13 or metal patterning method14. In respect to TEs composed of metallic nanostructures, interlaced metal NW networks seem to hold a greater promise, which have well met most of the TE requirements such as good performance, mass synthesis (through solution method) and low cost. Since the initial work reported by P. Peumans et al, wherein TEs with a performance exceeding that of conventional metal oxide were prepared using Ag NW mesh, interlaced metal NW networks have attracted increasing attentions15. For example, large area Ag NWs network with a sheet resistance of 50 Ohm/sq at 90% transmittance was achieved by Scardaci, V. et al.16, meanwhile more excellent performances of R = 34 ± 2 Ohm/sq at 98% transmittance and 8 ohms/sq and 80% diffusive transmittance in the visible spectral range for silver nanowires electrodes were reported by Leem, D.-S. et al17 and Y. Cui's group18, respectively. Wiley and co-workers have been focusing their attention in Cu nanowires TEs, who obtained a sheet resistance 61 Ohm/sq at 67% transmittance for Cu NWs TEs19 and then improved the optoelectronic performance to 60 Ohm/sq at 94.4%20. Furthermore, in order to optimize the oxidation-resistant ability of the Cu NWs TEs, they coated Cu NWs with Ni shell. A more effective solution was offered by coating layers of aluminum-doped zinc oxide onto the electrospun copper nanofibers21. More recently, based on electrospinning and metal deposition, transparent conductive electrode with remarkable optoelectronic performance (sheet resistance of about 2 Ohm/sq at 90% transmission) and mechanical flexibility was achieved in Y. Cui's group22. The obviously contradicting relationship between the high transmittance and low resistivity in metal NW networks strongly restricts its further improvement and wide applications, which has been a crucial problem to overcome. Where does this conflict stem from? It was observed that the thicker the NW layer is, the higher the conductivity of TE could be but the worse the transmittance would become meanwhile23. This is because the light has been largely blocked by the thick media. Recently, metal nanowires include Ag NWs24, Cu NWs19, 25 and Cu@Ni core-shell NWs26, have been synthesized through chemical solution route. These metal NWs in the form of inks were then imprinted onto substrates to form desired TEs. According to previous reports, the metal NWs generating in solution usually have large diameter, short length and a great number of nanoparticles attached27. For example, the Ag NWs synthesized by Lee et al. have a diameter between 100 ~ 150 nm24. The Cu NWs reported by Wiley et al. are in a diameter of 90 ± 10 nm and in a length of 10 ± 3 μm, meanwhile, spherical nanoparticles are absorbed at the end of the NWs19. As a result, the transparent conductor consisting of the as-synthesized Cu NWs has a sheet resistance of 61 Ohm sq−1 at a transmittance of just 67%. On this issue, Hu and his coworkers proposed the percolation theory to predict the threshold areal NW density of Nth = (4.236/L)2/π (L being the wire length) for achieving the onset of TE conductivity23. From this relation, we can know that a longer wire length could provide a higher conductivity with less NWs. Furthermore, a network with thinner NWs is also beneficial to give wider spacing as the light's pathway. Thus, an important solution to the conflict and the crucial challenge lies in producing perfectly ultra-long and thin metal NWs with smooth surfaces27.

Catalytic effect has been widely used by chemists to synthesize a variety of chemical compounds since this concept was recommended to chemical science by Berzelius in the 18th century. Based on this concept, here we demonstrate a novel method with nickel ions to large-scale catalytic synthesis of ultra-long and fine Cu NWs in hydrophobic solution with excellent dispersibility and very high aspect ratio. The catalytic growth mechanism and network connection model were further elucidated, which could be extended to synthesis of other metallic NWs such as Ag and Au NWs. The imprinted TE with the as-prepared Cu NWs achieves a sheet resistance of 51 Ohm sq−1 at 93% transparency, which has been comparable to the commercial ITO thin film and exceeded some of the available metal-based TEs (see Supplementary Information, Fig. S1). Moreover, Ohmic contact to n- and p-type GaN conducting layers have been fabricated and succeeded in electroluminescence of GaN-based blue light emitting diodes (LEDs).

0/5000

จาก: -

เป็น: -

ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]

คัดลอก!

โปร่งใสหุงต (ทดสอบ) การทำกระแสไฟฟ้า และยอมให้แสงผ่าน ใช้เป็นส่วนประกอบสำคัญในอุปกรณ์ optoelectronic ต่าง ๆ เช่นไดโอดเปล่ง–ไฟ เซลล์แสงอาทิตย์ photodetectors, windows ควบคุมแสง และสัมผัส screens1, 2, 3, 4 ตามความหมายของชื่อ TE ดีตัวเองควรจะมีการนำสูงและโปร่งใสมาก ในขณะเดียวกัน จากการประยุกต์มุมมอง ความต้านทานต่ำระหว่าง TE และวัสดุอิเล็กทรอนิกส์ใช้งานที่เป็นอิเล็กทรอนิกส์ ยังมีบทบาทสำคัญในการบรรลุอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูง ทศวรรษผ่านมาไม่กี่ สัญญาวัสดุ TE ที่มีมาบนเวทีได้แก่ออกไซด์โปร่งไฟฟ้า grids5 โลหะ โลหะ nanowire (NW) networks6 และ graphene3 อินเดียม doped ดีบุกออกไซด์ (ITO) เป็นชั้นออกไซด์โปร่งไฟฟ้าดีที่สุดกับความต้านทานต่ำใน scale7 ค้า ซึ่งมีวัสดุเป็นในจอแบน อย่างไรก็ตาม อิโตะจะแพงเกินไป เพราะต้นทุนสูงของอินเดียม นอกจากนี้ อิโต้ฟิล์มบางจะเปราะเกินไปที่จะใช้ใน devices8 ยืดหยุ่นและ transmittance ต่ำแสงที่ความยาวคลื่นสีน้ำเงิน regions6 Materials9 ใช้คาร์บอน Nanoscale เช่น graphene ได้เพิ่งมา มีความคล่องตัวสูงและดีเยี่ยม transparency10, 11 อย่างไรก็ตาม เรียนจำนวนมากข้าวขอบและริ้วรอยที่เกิดขึ้นในระหว่างการเจริญเติบโตทำให้ข้อจำกัดของความต้านทานของแผ่น graphene (100-1000 โอห์ม/ตารางที่ 80 – 90% transmittance) 12 นอกจากนี้ สังเคราะห์ตามพื้นผิว โดยการสะสมไอสารเคมี (เกี่ยวกับได้เผชิญความท้าทายในการผลิตที่ต้นทุนต่ำขนาดใหญ่ อีกประการหนึ่งคือนำเสนอ โดยรูปแบบ nanograting โลหะโดยม้วนม้วน nanoimprint lithography13 หรือโลหะ patterning method14 ในการทดสอบที่ประกอบด้วยโลหะ nanostructures เครือข่ายอินเทอร์เลซโลหะ NW ดูเหมือน ค้างสัญญามากขึ้น ซึ่งมีดีตรงความติประสิทธิภาพดี สังเคราะห์มวล (ผ่านวิธีการแก้ปัญหา) และต้นทุนต่ำสุด ตั้งแต่งานเริ่มต้นที่รายงานโดย P. Peumans et al นั้นมีเตรียมทดสอบ ด้วยประสิทธิภาพที่เกินของออกไซด์โลหะธรรมดาใช้ Ag NW ตาข่าย อินเทอร์เลซ เครือข่าย NW โลหะมีดึงดูด attentions15 เพิ่มขึ้น พื้นที่ใหญ่ Ag NWs เครือข่ายกับต้านแผ่นของโอห์ม 50/ตร. ที่ 90% transmittance สำเร็จ โดย Scardaci, V. ร้อยเอ็ดเช่น al.16 ในขณะเดียวกันหลายแห่งแสดงของ R = 34 ±โอห์ม 2 ตร. ที่ 98% transmittance และ 8 โอห์ม/ตร. 80% transmittance diffusive ในช่วงสเปกตรัมมองเห็นได้สำหรับหุงต nanowires เงินได้รายงาน โดย Leem, D. S. ร้อยเอ็ด al17 และ Y. Cui group18 ตามลำดับ Wiley และเพื่อนร่วมงานมีการเน้นความสนใจใน Cu nanowires ทดสอบ ผู้ได้รับการต้านทานแผ่นโอห์ม 61 ตร.ที่ 67% transmittance สำหรับ Cu NWs TEs19 และจากนั้น ปรับปรุงประสิทธิภาพ optoelectronic กับโอห์ม 60 ตร. 94.4% 20 นอกจากนี้ เพิ่มประสิทธิภาพความสามารถทนต่อออกซิเดชันของทดสอบ NWs Cu พวกเขาเคลือบ Cu NWs กับเชลล์ Ni โซลูชันที่มีประสิทธิภาพมากขึ้นถูกนำเสนอ โดยชั้นเคลือบ doped อลูมิเนียมออกไซด์ลงบน nanofibers21 electrospun ทองแดง เมื่อเร็ว ๆ นี้ ตามเส้นใยนาโนและสะสมโลหะ อิเล็กโทรดไฟฟ้าโปร่งใส มีประสิทธิภาพโดดเด่น optoelectronic (แผ่นความต้านทานของโอห์มประมาณ 2 ตร.ที่ส่ง 90%) และความยืดหยุ่นกลสำเร็จใน Y. Cui group22 ความสัมพันธ์ขัดแย้งอย่างชัดเจนระหว่าง transmittance สูงและต้านทานความชื้นต่ำในเครือข่าย NW โลหะขอจำกัดการปรับปรุงเพิ่มเติมและโปรแกรมประยุกต์กว้าง ซึ่งมีปัญหาสำคัญจะเอาชนะ ซึ่งความขัดแย้งนี้ไม่เกิดจาก มันถูกพบว่า เป็นชั้น NW ที่หนา สูงนำของ TE อาจ แต่ transmittance ที่แย่จะเป็น meanwhile23 ทั้งนี้เนื่องจากแสงใหญ่ถูกบล็อก โดยสื่อหนา ล่าสุด nanowires โลหะรวม Ag NWs24, Cu NWs19, 25 และ Cu@Ni หลักเชลล์ NWs26 มีการสังเคราะห์ผ่านกระบวนการผลิตน้ำยา โลหะเหล่านี้ NWs ในรูปแบบของหมึกถูกแล้วติดตราลงบนพื้นผิวแบบทดสอบต้อง ตามรายงานก่อนหน้านี้ NWs โลหะที่สร้างในการแก้ปัญหามักจะมีขนาดใหญ่เส้นผ่าศูนย์กลาง ความยาวสั้น และเก็บกัก attached27 จำนวนมาก ตัวอย่าง NWs Ag ที่สังเคราะห์โดย Lee et al. มีเส้นผ่าศูนย์กลางตั้งแต่ 100 ~ 150 nm24 NWs Cu ที่รายงานโดย al. et Wiley ได้ ในเส้นผ่าศูนย์กลางของ 90 ± 10 nm และความยาวของ 10 ± 3 μm ในขณะเดียวกัน มีการดูดซึมเก็บกักทรงกลมท้ายของ NWs19 ดัง ประกอบด้วย NWs Cu สังเคราะห์เป็นคนโปร่งใสมีต้านแผ่นของ sq−1 โอห์ม 61 ที่ transmittance เพียง 67% ในปัญหานี้ Hu และคณะของเขาเสนอทฤษฎี percolation เพื่อทำนายจำกัด areal NW ความหนาแน่นของ = (4.236/L)2/π (L เป็นความยาวสาย) สำหรับการบรรลุเป้าหมายของ conductivity23 ติ จากความสัมพันธ์นี้ เราสามารถทราบความยาวเส้นลวดยาวสามารถให้นำสูง ด้วย NWs น้อย นอกจากนี้ เครือข่ายที่ มีทินเนอร์ NWs ได้ยังประโยชน์ให้ระยะห่างที่กว้างขึ้นเป็นทางเดินของแสง ดังนั้น แก้ไขความขัดแย้งและความท้าทายที่สำคัญสำคัญอยู่ในการผลิต NWs โลหะบาง และยาวเป็นพิเศษอย่างกับ surfaces27 เรียบผลของตัวเร่งปฏิกิริยาได้ถูกใช้ โดยนักเคมีสังเคราะห์สารประกอบทางเคมีที่หลากหลายตั้งแต่แนวคิดนี้ถูกแนะนำวิทยาศาสตร์เคมี โดย Berzelius ในศตวรรษที่ 18 ตามแนวคิดนี้ ที่นี่เราแสดงให้เห็นถึงวิธีนวนิยายกับนิกเกิลประจุการสังเคราะห์ตัวเร่งปฏิกิริยาขนาดใหญ่ยาวพิเศษ และดี NWs Cu ในโซลูชัน hydrophobic แห่ง dispersibility และอัตราสูง เจริญเติบโตของตัวเร่งปฏิกิริยากลไกและรูปแบบการเชื่อมต่อเครือข่ายถูกเพิ่มเติม elucidated ซึ่งสามารถขยายการสังเคราะห์ NWs โลหะอื่น ๆ เช่น Ag และ Au NWs ติการ imprinted กับ NWs Cu เตรียมเป็นต้านแผ่นของ sq−1 โอห์ม 51 ที่โปร่งใส 93% ซึ่งมีการเทียบได้กับฟิล์มค้า ITO บางเกินบางทดสอบองค์กรที่ใช้โลหะพร้อมใช้งาน (ดูรายละเอียดเพิ่มเติม ฟิก ที่ได้รับ S1) นอกจากนี้ Ohmic ติดต่อกับ n และ p-ประเภทชั้นทำกันได้หลังสร้าง และประสบความสำเร็จใน electroluminescence ตามย่านฟ้าแสง emitting diodes (Led)

การแปล กรุณารอสักครู่..

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]

คัดลอก!

ขั้วใส (หลาน) ซึ่งดำเนินการกระแสไฟฟ้าและช่วยให้แสงผ่านจะมีการใช้อย่างกว้างขวางว่าเป็นองค์ประกอบที่สำคัญในอุปกรณ์ optoelectronic ต่างๆเช่นไดโอดเปล่งแสง, เซลล์แสงอาทิตย์, ตรวจจับแสง, หน้าต่างการควบคุมพลังงานแสงอาทิตย์และสัมผัส screens1, 2, 3, 4 . เป็นชื่อที่แสดงถึง TE ที่ยอดเยี่ยมของตัวเองควรจะมีการนำสูงและความโปร่งใสสูง ในขณะเดียวกันจากจุดการประยุกต์ใช้ในมุมมองของความต้านทานต่ำระหว่าง TE และการใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ซึ่งโดยทั่วไปจะมีเซมิคอนดักเตอร์ยังมีบทบาทสำคัญในการบรรลุอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพสูง ในช่วงไม่กี่ทศวรรษที่ผ่านมามีแนวโน้มวัสดุ TE ที่มีมาบนเวทีรวมถึงออกไซด์เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าโปร่งใส grids5 โลหะโลหะเส้นลวดนาโน (NW) networks6 และ graphene3 อินเดียมดีบุกออกไซด์เจือ (ITO) เป็นชั้นออกไซด์โปร่งใสเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าที่ดีที่สุดกับความต้านทานต่ำสุดใน scale7 เชิงพาณิชย์ซึ่งได้รับวัสดุที่เกิดขึ้นในการแสดงจอแบน อย่างไรก็ตาม ITO มีราคาแพงเกินไปเนื่องจากค่าใช้จ่ายสูงของอินเดียม นอกจากนี้ฟิล์มบาง ITO จะเปราะเกินไปที่จะใช้ใน devices8 มีความยืดหยุ่นและการส่งผ่านแสงต่ำความยาวคลื่นสีฟ้า regions6 materials9 นาโนคาร์บอนเช่นกราฟีนได้มาเมื่อเร็ว ๆ นี้ที่มีความคล่องตัวสูงล้ำและ transparency10 ยอดเยี่ยม 11. อย่างไรก็ตามอุปสรรคของจำนวนมากของข้าวเขตแดนและริ้วรอยที่เกิดขึ้นในช่วงการเจริญเติบโตที่จะนำข้อ จำกัด ของความต้านทานแผ่นกราฟีน (100-1000 โอห์ม / ตารางการส่งผ่านที่ 80-90%) 12 นอกจากนี้ยังมีการสังเคราะห์สารตั้งต้นที่ใช้สารเคมีสะสมไอ (CVD) จะสามารถเผชิญกับความท้าทายในการผลิตขนาดใหญ่ที่มีต้นทุนต่ำ เป็นไปได้ก็ถูกนำเสนอโดยรูปแบบ nanograting โลหะจัดทำขึ้นโดยม้วนไปม้วน nanoimprint lithography13 หรือโลหะแบบ method14 ในส่วนที่เกี่ยวกับหลานประกอบด้วยโครงสร้างนาโนโลหะโลหะ interlaced เครือข่าย NW ดูเหมือนจะถือสัญญามากขึ้นซึ่งได้พบกันมากที่สุดของความต้องการ TE เช่นผลงานที่ดี, การสังเคราะห์มวล (โดยวิธีการแก้ปัญหา) และค่าใช้จ่ายต่ำ ตั้งแต่เริ่มต้นการทำงานรายงานโดยพี Peumans et al, ประเด็นหลานที่มีประสิทธิภาพการทำงานที่เกินของโลหะออกไซด์ที่เตรียมการชุมนุมโดยใช้ตาข่าย Ag NW โลหะ interlaced NW เครือข่ายมีความสนใจที่เพิ่มขึ้น attentions15 ตัวอย่างเช่นพื้นที่ขนาดใหญ่เครือข่าย Ag NWS กับความต้านทานแผ่น 50 โอห์ม / ตารางการส่งผ่านที่ 90% ได้สำเร็จโดย Scardaci โวลต์และ al.16, การแสดงที่ยอดเยี่ยมในขณะที่มากขึ้นของ R = 34 ± 2 โอห์ม / ตารางการส่งผ่านที่ 98% และ 8 โอห์ม / ตารางและ 80% การส่งผ่าน diffusive ในช่วงสเปกตรัมที่มองเห็นเงินขั้ว nanowires ได้รับรายงานจาก LEEM, D.-S. และ AL17 และ group18 วาย Cui ตามลำดับ ไวลีย์และเพื่อนร่วมงานได้รับการมุ่งเน้นความสนใจของพวกเขาใน Cu nanowires หลานที่ได้รับความต้านทาน 61 โอห์มแผ่น / ตารางการส่งผ่านที่ 67% สำหรับ Cu NWS TEs19 แล้วการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของ optoelectronic 60 โอห์ม / ตารางที่ 94.4% 20 นอกจากนี้เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพความสามารถในการทนต่อการเกิดออกซิเดชันของ Cu NWS หลานพวกเขาเคลือบทองแดง NWS กับเปลือก Ni โซลูชั่นที่มีประสิทธิภาพมากขึ้นที่ถูกนำเสนอโดยการเคลือบสังกะสีชั้นของอลูมิเนียมออกไซด์เจือลง nanofibers21 ทองแดงด้วยไฟฟ้า เมื่อเร็ว ๆ นี้อยู่บนพื้นฐานของไฟฟ้าสถิตและการสะสมโลหะนำไฟฟ้าอิเล็กโทรดที่โปร่งใสมีประสิทธิภาพการทำงานที่โดดเด่น optoelectronic (ต้านทานแผ่นประมาณ 2 โอห์ม / ตารางที่ส่ง 90%) และความยืดหยุ่นกลก็ประสบความสำเร็จใน group22 วายของ Cui เห็นได้ชัดว่าขัดแย้งกับความสัมพันธ์ระหว่างการส่งผ่านสูงและความต้านทานต่ำในเครือข่ายของโลหะ NW ขอ จำกัด การปรับปรุงต่อไปและการใช้งานที่หลากหลายซึ่งได้รับเป็นปัญหาสำคัญที่จะเอาชนะ นี้ไม่ในกรณีที่เกิดความขัดแย้งมาจากไหน? มันถูกตั้งข้อสังเกตว่าหนาเป็นชั้น NW ที่สูงกว่าการนำของ TE อาจจะเลวร้ายยิ่ง แต่การส่งผ่านจะกลายเป็น meanwhile23 นี้เป็นเพราะแสงถูกบล็อกโดยส่วนใหญ่สื่อหนา เมื่อเร็ว ๆ นี้รวมถึงโลหะ nanowires Ag NWs24 ทองแดง NWs19, 25 และ Cu @ Ni หลักเปลือก NWs26 ได้รับการสังเคราะห์ผ่านเส้นทางการแก้ปัญหาสารเคมี เหล่านี้ NWS โลหะในรูปแบบของหมึกพิมพ์ถูกตราตรึงใจแล้วลงบนพื้นผิวในรูปแบบที่ต้องการหลาน ตามรายงานก่อนหน้านี้ NWS โลหะการสร้างในการแก้ปัญหามักจะมีขนาดใหญ่ความยาวสั้นและจำนวนมากของอนุภาคนาโน attached27 ตัวอย่างเช่น Ag NWS สังเคราะห์โดย Lee et al, มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 100 ~ 150 nm24 Cu NWS รายงานโดยไวลีย์และอัล จะมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 90 ± 10 นาโนเมตรและมีความยาว 10 ± 3 ไมครอนขณะที่อนุภาคนาโนทรงกลมจะถูกดูดซึมในตอนท้ายของ NWs19 เป็นผลให้ตัวนำโปร่งใสประกอบด้วยเป็นสังเคราะห์ Cu NWS มีความต้านทานแผ่น 61 โอห์มตารางที่ 1 การส่งผ่านเพียง 67% เกี่ยวกับเรื่องนี้หูและเพื่อนร่วมงานของเขาเสนอทฤษฎีซึมในการทำนายเกณฑ์ความหนาแน่น NW ขนหัวลุกของชับ = (4.236 / ลิตร) 2 / π (L เป็นความยาวสาย) เพื่อให้บรรลุการโจมตีของ TE conductivity23 จากความสัมพันธ์นี้เราสามารถรู้ได้ว่ามีความยาวสายไม่สามารถให้สูงขึ้นกับการนำ NWS น้อย นอกจากนี้เครือข่ายที่มี NWS ทินเนอร์ยังเป็นประโยชน์ที่จะให้ระยะห่างที่กว้างขึ้นเป็นทางเดินของแสง ดังนั้นสิ่งสำคัญที่จะแก้ปัญหาความขัดแย้งและความท้าทายที่สำคัญอยู่ในการผลิตได้อย่างสมบูรณ์แบบโลหะพิเศษยาวและบาง NWS กับ surfaces27 เรียบ. มีผลบังคับใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาที่มีการใช้กันอย่างแพร่หลายโดยนักเคมีสังเคราะห์ความหลากหลายของสารประกอบทางเคมีตั้งแต่แนวคิดนี้ได้รับการแนะนำให้วิทยาศาสตร์เคมี โดยโป๊ะในศตวรรษที่ 18 ตามแนวคิดนี้ที่นี่เราแสดงให้เห็นถึงวิธีการนวนิยายที่มีไอออนนิกเกิลเพื่อสังเคราะห์ขนาดใหญ่เร่งปฏิกิริยาของอัลตร้ายาวและปรับ Cu NWS ในการแก้ปัญหาน้ำที่มีการกระจายตัวที่ดีเยี่ยมและอัตราส่วนที่สูงมาก กลไกการเจริญเติบโตของตัวเร่งปฏิกิริยาและรูปแบบการเชื่อมต่อเครือข่ายได้รับการอธิบายต่อไปซึ่งอาจจะขยายไปถึงการสังเคราะห์ NWS โลหะอื่น ๆ เช่น Ag และ Au NWS ตราตรึงใจกับ TE เป็นเตรียม Cu NWS ประสบความสำเร็จในความต้านทานแผ่น 51 โอห์มตาราง-1 ที่ 93% โปร่งใสซึ่งได้รับการเปรียบเทียบกับการค้า ITO ฟิล์มบางและเกินบางส่วนของหลานที่ใช้โลหะที่มีอยู่ (ดูข้อมูลเสริม รูปที่. S1) นอกจากนี้ยังมีการติดต่อแบบโอห์มมิคที่จะ n- และชนิดพีชั้นการดำเนินกานได้รับการประดิษฐ์และประสบความสำเร็จใน electroluminescence ของกานตามไดโอดเปล่งแสงสีฟ้า (LEDs)

การแปล กรุณารอสักครู่..

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]

คัดลอก!

ขั้วไฟฟ้าโปร่งแสง ( ภาษาอังกฤษ ) ซึ่งดำเนินการไฟฟ้าและอนุญาตให้แสงผ่านเป็นอย่างกว้างขวางใช้เป็นส่วนประกอบสำคัญในอุปกรณ์ optoelectronic ต่างๆเช่นเซลล์แสงอาทิตย์ , ไดโอดเปล่งแสง photodetectors , ปัจจุบัน , หน้าต่างควบคุมแสงอาทิตย์และสัมผัส screens1 , 2 , 3 , 4 เป็นชื่อนัย , เป็นเลิศ เต้เองควรจะมีความนำไฟฟ้าสูงและมีความโปร่งใสสูงขณะเดียวกัน จากการ มุมมอง , ต้านทานระหว่างทีต่ำและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้งานโดยทั่วไปซึ่งมีเซมิคอนดักเตอร์ ยังมีบทบาทสำคัญในการบรรลุอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูง กว่าทศวรรษที่ผ่านมา , วัสดุ Te สัญญาที่ได้ขึ้นมาบนเวที รวมถึงการเป็นแหล่ง grids5 โปร่งใส , โลหะ , โลหะ nanowire ( NW ) และ networks6 graphene3 .เจืออินเดียมทินออกไซด์ เป็นสื่อที่ดีที่สุดโปร่งใสชั้นออกไซด์ค่าความต้านทานใน scale7 พาณิชย์ ซึ่งมีการแลกเปลี่ยนวัสดุในจอแบนแสดง อย่างไรก็ตาม , นี้มีราคาแพงเกินไปเนื่องจากค่าใช้จ่ายสูงของอินเดียม นอกจากนี้ ฟิล์มบาง ITO ก็เปราะที่จะถูกใช้ใน devices8 ความยืดหยุ่นและการส่งผ่านแสงน้อย ใน regions6 ความยาวคลื่นสีน้ำเงินคาร์บอนนาโนสเกลตาม materials9 เช่นกราฟีน เพิ่งมาสูงเป็นพิเศษในการ transparency10 ดี 11 อย่างไรก็ตาม อุปสรรคของจำนวนมากของขอบเขตของเมล็ดข้าวและริ้วรอยที่เกิดขึ้นในระหว่างการเจริญเติบโตนำไปสู่ข้อจำกัดของความต้านทานแผ่นกราฟีน ( 100 – 1 , 000 โอห์ม / sq 80 – 90% transmittance ) 12 นอกจากนี้พื้นผิวสังเคราะห์ขึ้นโดย chemical vapor deposition ( CVD ) ต้องเผชิญกับความท้าทายในการผลิตขนาดใหญ่ที่ค่าใช้จ่ายต่ำ ความเป็นไปได้อื่นที่เสนอ โดยโลหะ nanograting รูปแบบเตรียมม้วนกลิ้ง nanoimprint lithography13 หรือโลหะแบบ method14 . ในการเทสที่ประกอบด้วยนาโนโลหะ , โลหะดูเหมือน interlaced เครือข่าย NW ถือสัญญามากกว่าซึ่งมีทั้งพบที่สุดของ Te ความต้องการ เช่น ประสิทธิภาพดี การสังเคราะห์มวล ( ผ่านวิธีการแก้ปัญหา ) และค่าใช้จ่ายต่ำ ตั้งแต่เริ่มต้นทำงาน รายงาน โดย พี พิวแมน et al , เพื่อเทส ด้วยประสิทธิภาพเกินที่ของโลหะออกไซด์ปกติเตรียมใช้ตาข่าย AG NW , interlaced โลหะ NW เครือข่ายได้ดึงดูดการเพิ่ม attentions15 . ตัวอย่างเช่นพื้นที่ขนาดใหญ่โดย NWS เครือข่ายกับแผ่นความต้านทาน 50 โอห์ม SQ ที่ 90% การทำโดย scardaci วี และ al.16 ขณะที่ยอดเยี่ยมการแสดงของ R = 34 ± 2 โอห์ม / SQ ที่ส่งผ่าน 98% และ 8 โอห์ม / ตารางการกระจายและ 80% ในช่วงสเปกตรัมที่มองเห็นได้สำหรับขั้วไฟฟ้า นาโนซิลเวอร์ถูกรายงานโดย leem , D - S และ al17 และ Y j group18 ตามลำดับนิ่งและเพื่อนร่วมงานได้เน้นความสนใจของพวกเขาใน Cu ลวดนาโน TES ที่ได้รับความต้านทานแผ่น 61 โอห์ม / SQ ที่ส่งผ่าน 67% สูงกว่า NWS tes19 แล้วปรับปรุงประสิทธิภาพ Optoelectronic 60 โอห์ม / SQ ที่ 94.4 % 20 นอกจากนี้ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการป้องกันของ CU NWS TES พวกเขาเคลือบทองแดง NWS ด้วยชั้นเปลือกโซลูชั่นที่มีประสิทธิภาพที่นำเสนอโดยชั้นของอลูมิเนียมเคลือบด้วยซิงค์ออกไซด์บนเส้นใยทองแดง nanofibers21 . เมื่อเร็วๆ นี้ ขึ้นอยู่กับทะเบียนการค้าและโลหะการโปร่งใสนำขั้วไฟฟ้าด้วยประสิทธิภาพที่น่าทึ่ง ( optoelectronic ความต้านทานแผ่นของเกี่ยวกับ 2 โอห์ม / SQ ที่ส่ง 90% ) และความยืดหยุ่นเชิงกลสําเร็จใน Y . j group22 .ที่เห็นได้ชัดว่าขัดแย้งกับความสัมพันธ์ระหว่างการส่งผ่านสูงและต่ำค่าความต้านทานในเครือข่าย NW โลหะขอจำกัดของการปรับปรุงเพิ่มเติมและโปรแกรมที่หลากหลาย ซึ่งเป็นปัญหาสำคัญที่จะเอาชนะ ความขัดแย้งนี้เกิดจากไหน ? พบว่า ความหนาของชั้นเองได้สูงกว่าค่าทีอาจจะ แต่ที่แย่กว่าการจะกลายเป็น meanwhile23 . นี้เป็นเพราะแสงส่วนใหญ่ได้รับที่ถูกบล็อกโดยสื่อหนา เมื่อเร็วๆ นี้ โดย nws24 นาโนโลหะ ได้แก่ ทองแดง nws19 25 และทองแดง @ ผม core-shell nws26 ได้ผ่านเส้นทางโซลูชั่นสังเคราะห์ทางเคมีNWS โลหะเหล่านี้ในรูปแบบของหมึก แล้วประทับลงบนพื้นผิวที่ต้องการทดสอบในรูปแบบ . ตามรายงานก่อนหน้านี้ โลหะ NWS สร้างในการแก้ปัญหามักจะมีเส้นผ่าศูนย์กลางขนาดใหญ่ ความยาวสั้นและหมายเลขที่ดีของอนุภาคนาโน attached27 . ตัวอย่างเช่น โดย NWS สังเคราะห์โดยลี et al . มีเส้นผ่าศูนย์กลางระหว่าง 100 ~ 150 nm24 . CU NWS รายงานโดยนิ่ง et al .ในเส้นผ่าศูนย์กลาง 90 ± 10 nm และในความยาว 10 ± 3 μ M ขณะที่อนุภาคทรงกลมจะถูกดูดซึมในตอนท้ายของ nws19 . ผล คอนดักเตอร์ใส ประกอบด้วยเป็นสังเคราะห์ CU NWS ได้แผ่นความต้านทานของ 61 โอห์ม sq − 1 ในการส่งผ่านเพียง 67 % ในประเด็นนี้หูและเพื่อนร่วมงานของเขาได้เสนอทฤษฎีการซึมทำนายเกณฑ์กระทรวงศึกษาธิการ NW = ( ความหนาแน่นของแลก 4.236 / L ) 2 / π ( ผมเป็นสายความยาว ) เพื่อให้บรรลุการเท conductivity23 . จากความสัมพันธ์นี้เราสามารถรู้ว่าความยาวสายไฟยาวสามารถให้ความสูงกับ NWS น้อยลง นอกจากนี้เครือข่ายกับ NWS ทินเนอร์ยังเป็นประโยชน์เพื่อให้กว้างระยะห่างเป็นทางเดินของแสง ดังนั้น ที่สำคัญ การแก้ไขข้อขัดแย้งและความท้าทายที่สำคัญอยู่ในการผลิตอย่างสมบูรณ์แบบ Ultra นานและ NWS โลหะบางเรียบ มี surfaces27 .

ผลที่ได้รับการใช้กันอย่างแพร่หลายโดยนักเคมีสังเคราะห์ความหลากหลายของสารประกอบทางเคมี เนื่องจากแนวคิดนี้ถูกแนะนำวิทยาศาสตร์เคมี โดย เบอร์ซีเลียส ในศตวรรษที่ 18 ตามแนวคิดนี้ที่นี่เราแสดงให้เห็นถึงวิธีการใหม่ในการสังเคราะห์ตัวเร่งปฏิกิริยานิกเกิลไอออนขนาดใหญ่ของอัลตร้า ยาวและละเอียดในสารละลาย Cu NWS ) กับกระจายตัวที่ดีและอัตราส่วนกว้างยาวสูงมาก การเติบโตและกลไกรูปแบบการเชื่อมต่อเครือข่ายได้อีกมาก ซึ่งอาจจะขยายเพื่อการสังเคราะห์ NWS โลหะอื่น เช่น เอจีและ AU NWSการตราตรึง Te กับเป็นเตรียมจุฬาฯ NWS ใช้แผ่นความต้านทานของ 51 โอห์ม sq − 1 ที่ 93% ความโปร่งใส ซึ่งถูกเปรียบกับฟิล์มบาง ITO พาณิชย์และเกินบางส่วนของโลหะสามารถใช้งานภาษาอังกฤษ ( ดูข้อมูลเพิ่มเติมรูปที่ S1 ) นอกจากนี้ติดต่อ - และค่าพี กานาชั้นได้ประดิษฐ์และประสบความสำเร็จในเล็กโทรลูมิเนสเซนซ์ของกานจาก Blue light emitting diodes ( LEDs )

การแปล กรุณารอสักครู่..

ภาษาอื่น ๆ

การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.