where n(z, t) is the concentration

where n(z, t) is the concentration at the position z and time t, andz represent the distance from the bottom of ZnO nanowire.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

n (z, t) เป็น ความเข้มข้นที่ตำแหน่ง z และเวลา t, andz แสดงระยะห่างจากด้านล่างของ ZnO nanowire

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ n (Z, t) เป็นความเข้มข้นที่ตำแหน่ง Z และเวลา t ที่ andz แทนระยะทางจากด้านล่างของเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่ N ( Z , T ) มีความเข้มข้นในตำแหน่ง Z และเวลา t andz แสดงระยะทางจากด้านล่างของ ZnO nanowire .