.Material challenges: These basical

.Material challenges: These basically come from the inability of the dielectric and wiring materials to provide reliable insulation and conduction, respectively with continued scaling.
.Power-thermal challenges: these are because of the ever increasing number of transistors integrated per unit-area, which demands larger power consumption and higher thermal dissipation.
.Technological challenges: these are the results from the incompetency lithography-based techniques to provide the resolution below the wavelength of the light to manufacture to CMOS devices.
.Economical challenges: these are mainly due to the rising in cost of production, fab, and testing that may reach a point where it will be not affordable from economic point of view.
In this paper, each of the above challenges will be analyzed. ALTERNATIVE non-CMOS nanodevices that are possible to solve the CMOS limitation will be also presented.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

.ความท้าทายวัสดุ: เหล่านี้โดยทั่วไปมาจากไม่สามารถของ dielectric และสายไฟวัสดุฉนวนที่เชื่อถือได้และนำ ตามลำดับด้วยอย่างต่อเนื่องมาตราส่วน.
พลังงานความร้อนความท้าทาย: เหล่านี้เนื่องจากเคยเพิ่มจำนวน transistors รวมต่อหน่วยพื้นที่ ที่ต้องการใช้พลังงานขนาดใหญ่และกระจายความร้อนสูง
ความท้าทายทางเทคโนโลยี: เหล่านี้คือผลลัพธ์ได้จากเทคนิคใช้ภาพพิมพ์หิน incompetency ให้ความละเอียดต่ำความยาวคลื่นของแสงจะผลิตอุปกรณ์ CMOS.
ความประหยัด: เหล่านี้เป็นส่วนใหญ่เนื่องจากไรซิ่งในต้นทุนการผลิต fab และการทดสอบที่อาจถึงจุดที่มันจะไม่ราคาไม่แพงจากมองเศรษฐกิจ.
ในกระดาษนี้ แห่งความท้าทายข้างต้นที่จะวิเคราะห์ อื่นไม่-CMOS nanodevices ที่สามารถแก้ข้อจำกัดของ CMOS จะยังนำเสนอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความท้าทาย .Material: เหล่านี้โดยทั่วไปมาจากการไร้ความสามารถของอิเล็กทริกและการเดินสายไฟวัสดุที่จะให้ฉนวนกันความร้อนที่เชื่อถือได้และการนำตามลำดับอย่างต่อเนื่องปรับ
ความท้าทายที่กำลังไฟความร้อน: เหล่านี้เป็นเพราะจำนวนที่เพิ่มขึ้นของทรานซิสเตอร์แบบบูรณาการต่อหน่วยพื้นที่ ซึ่งความต้องการใช้พลังงานที่มีขนาดใหญ่และกระจายความร้อนที่สูงขึ้น
ความท้าทาย .Technological: เหล่านี้เป็นผลที่ได้จากเทคนิคการพิมพ์หินตาม incompetency ที่จะให้ความละเอียดต่ำกว่าความยาวคลื่นของแสงในการผลิตไปยังอุปกรณ์ CMOS
ความท้าทาย .Economical: เหล่านี้ส่วนใหญ่เกิดจากการ ที่เพิ่มขึ้นในค่าใช้จ่ายในการผลิต Fab และการทดสอบที่อาจจะถึงจุดที่มันจะไม่ได้ราคาไม่แพงจากจุดทางเศรษฐกิจของมุมมอง
ในบทความนี้แต่ละความท้าทายดังกล่าวข้างต้นจะถูกวิเคราะห์ ทางเลือกที่ไม่ nanodevices CMOS ที่มีความเป็นไปได้ที่จะแก้ปัญหาข้อ จำกัด CMOS จะนำเสนอยัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัสดุ : ความท้าทายเหล่านี้จะมาจากการไร้ความสามารถของวัสดุไดอิเล็กทริกและการเดินสายไฟเพื่อให้ฉนวนกันความร้อนที่เชื่อถือได้และการนำ ตามลำดับจากการ
. พลังงานความร้อนความท้าทายเหล่านี้เป็นเพราะหมายเลขที่เคยเพิ่มขึ้นของทรานซิสเตอร์แบบบูรณาการต่อหน่วยพื้นที่ ซึ่งความต้องการพลังงานที่สูงใหญ่และการกระจายความร้อน .

ความท้าทายทางเทคโนโลยีเหล่านี้คือผลลัพธ์จาก incompetency รุ่นพื้นฐานเทคนิคเพื่อให้ความละเอียดด้านล่าง ความยาวคลื่นของแสงที่ผลิต CMOS อุปกรณ์ .
. ความท้าทายทางเศรษฐกิจ : เหล่านี้ส่วนใหญ่เนื่องจากการเพิ่มขึ้นในค่าใช้จ่ายของการผลิต fab และการทดสอบที่อาจจะถึงจุดที่มันจะไม่มากจากจุดทางเศรษฐกิจ ในมุมมองของ .
ในกระดาษนี้แต่ละความท้าทายข้างต้นจะถูกวิเคราะห์ nanodevices CMOS ไม่ใช่ทางเลือกที่เป็นไปได้เพื่อแก้ข้อจำกัด CMOS จะยังนำเสนอ