From the table above we can see tha

From the table above we can see that the main P-type dopant used in the manufacture of Light Emitting Diodes is Gallium (Ga, atomic number 31) and that the main N-type dopant used is Arsenic (As, atomic number 33) giving the resulting compound of Gallium Arsenide (GaAs) crystalline structure.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จากตารางข้างต้น เราจะเห็นว่า dopant P ชนิดหลักที่ใช้ในการผลิตไดโอดเปล่งแสงเป็นแกลเลียม (Ga เลขอะตอม 31) และว่า dopant N ชนิดหลักที่ใช้คือ สารหนู (เป็น เลขอะตอม 33) ให้สารประกอบแกลเลียม Arsenide (GaAs) โครงสร้างผลึกที่เกิดขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จากตารางข้างต้นเราจะเห็นว่าหลักเจือปน P-ประเภทใช้ในการผลิตไดโอดเปล่งแสงเป็นแกลเลียม (GA, เลขอะตอม 31) และหลักเจือปน N-ประเภทใช้สารหนู (As, เลขอะตอม 33) ให้ สารประกอบที่เกิดจาก arsenide แกลเลียม (GaAs) โครงสร้างผลึก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จากตารางข้างต้น เราจะเห็นได้ว่า หลักที่ใช้ในการผลิตของพี dopant light emitting diodes คือแกลเลียม ( GA , เลขอะตอม 31 ) และหลักทั่วไปที่ใช้สารหนูโดพันท์ ( อะตอม หมายเลข 33 ) ให้เกิดสารประกอบแกลเลียมอาร์เซไนด์ ( GaAs ) โครงสร้างของผลึก