diode is analyzed using the current

diode is analyzed using the current-voltage and capacitance voltage(C–V) measurement methods. Moreover, by incorporating equivalent circuit model with the current–voltage (I–V) measurement method, trap density, lifetime, and Schottky barrier height is extracted in erbium-silicided Schottky diode.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดโอดเป็นวิเคราะห์โดยใช้แรงดันกระแสและความ voltage(C–V) ประเมินวิธีการ นอกจากนี้ โดยเพจจำลองวงจรเท่ากับกระแสแรงดันไฟฟ้า (I – V) วิธีการวัด ความหนาแน่นดัก ชีวิต และ Schottky สกัดกั้นสูงในไดโอด Schottky เออร์เบียม silicided

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไดโอดมีการวิเคราะห์โดยใช้แรงดันกระแสและแรงดันความจุ (C-V) วิธีการวัด นอกจากนี้โดยผสมผสานรูปแบบวงจรเทียบเท่ากับแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบัน (I-V) วิธีการวัดความหนาแน่นกับดักอายุการใช้งานและความสูงอุปสรรคกีสกัดใน erbium-silicided ไดโอด Schottky

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไดโอดโดยใช้แรงดันกระแสไฟฟ้าแรงดันไฟฟ้าและความจุ ( c ) V ) วิธีการวัด นอกจากนี้ โดยผสมผสานรูปแบบวงจรสมมูลกับแรงดันไฟฟ้า–ปัจจุบัน ( ผม ) 5 ) แบบวัดกับดักชีวิต และความสูงของสิ่งกีดขวางท์สกัดในแพทย์แผนจีน silicided ไดโอดชอทท์กี้ .