We investigate a dual layer active

We investigate a dual layer active channel of random distributed intrinsic silicon nanowires and solution
processing semiconducting polythiophene polymers for organicbased eld effect transistors. Primary
results show that low density silicon nanowire networks could enhance the effective charge carrier
mobility of polythiophene transistors by a factor of six, suggesting that these nanowires act as rapid one
dimensional charge transport bridges in the active channel. Moreover, increasing the nanowire loading
in the dual layer nanocomposite could further lessen the transistor hysteresis. The lifetime test of
nanowirepolythiophene devices is found to be more sustainable with respect to that of pristine poly
thiophene in ambient air. These results indicate that semiconducting nanowires should be considered as
a viable additive to active channel for nextgeneration organic eld effect transistors.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราตรวจสอบช่องสัญญาณใช้งานชั้นสองของ nanowires สุ่มกระจาย intrinsic ซิลิคอนและโซลูชันการประมวลผลโลหะ polythiophene เมอร์สำหรับทรานซิสเตอร์ผลภาย organicbased หลักผลลัพธ์แสดงว่า เครือข่าย nanowire ซิลิคอนความหนาแน่นต่ำสามารถเพิ่มผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายที่มีประสิทธิภาพจำนวนของทรานซิสเตอร์ polythiophene โดยปัจจัยที่หก การแนะนำว่า nanowires เหล่านี้ทำหน้าที่เป็น one อย่างรวดเร็วค่ามิติสะพานขนส่งในช่องสัญญาณใช้งานอยู่ นอกจากนี้ เพิ่มการโหลด nanowireในชั้นสอง สิตสามารถเพิ่มลด hysteresis ทรานซิสเตอร์ การทดสอบอายุการใช้งานของnanowirepolythiophene อุปกรณ์ที่พบเป็นความยั่งยืนมากขึ้นเกี่ยวกับของเก่า polythiophene ในอากาศแวดล้อม ผลลัพธ์เหล่านี้บ่งชี้ว่า ควรจะพิจารณานำ nanowires เป็นสารเติมแต่งที่สามารถใช้งานช่องสำหรับทรานซิสเตอร์ผลอินทรีย์ภาย nextgeneration

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราจะตรวจสอบเป็นชั้นที่ใช้งานช่องทางที่สองของการสุ่มกระจาย nanowires ซิลิกอนภายในและวิธีการแก้ปัญหา
โพลีเมอประมวลผลกึ่งตัวนำ polythiophene สำหรับorganicbased ELD ทรานซิสเตอร์ผล หลัก
ผลปรากฏว่าเครือข่ายความหนาแน่นต่ำซิลิคอนเส้นลวดนาโนสามารถเพิ่มประสิทธิภาพของค่าใช้จ่ายที่ผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพ
การเคลื่อนไหวของทรานซิสเตอร์ polythiophene โดยปัจจัยที่หกบอกว่า nanowires เหล่านี้ทำหน้าที่เป็นอย่างรวดเร็วone
สะพานค่าใช้จ่ายในการขนส่งมิติช่องทางที่ใช้งานอยู่ นอกจากนี้การเพิ่มโหลดเส้นลวดนาโน
ในนาโนคอมโพสิตชั้นสองต่อไปอาจลด hysteresis ทรานซิสเตอร์ การทดสอบอายุการใช้งานของ
อุปกรณ์nanowirepolythiopheneจะพบว่ามีความยั่งยืนมากขึ้นเกี่ยวกับการที่เก่าแก่poly
thiophene ในอากาศแวดล้อม ผลการศึกษานี้แสดงให้เห็นว่าสารกึ่งตัวนำ nanowires ควรจะถือว่าเป็น
สารเติมแต่งที่ทำงานได้กับช่องใช้งานสำหรับnextgenerationอินทรีย์ ELD ทรานซิสเตอร์ผล