I. INTRODUCTIONTHE INSULATED-GATE b

I. INTRODUCTION
THE INSULATED-GATE bipolar transistor (IGBT) has accrued
success as a high-power solid-state switching device
due its combination of fast switching, low conduction loss,
and high-impedance gate control. However, there will always
be an unrelenting demand for higher performance devices.
Manufacturers are therefore motivated to develop switches with
extended voltage ratings and current carrying capability. Cur-rently, commercial off-the-shelf (COTS) high-voltage IGBTs
are rated up to 6.5 kV from multiple manufacturers. Highvoltage
(> 1200 V) IGBTs are commonly sold as modules with
ratings from 200 to over 2000 A, aimed at motor control and
traction applications.
Increasing the voltage ratings of IGBTs generally reduces
turn-on and turn-off di/dt and increases the switching loss [1].
For systems that require higher switching frequencies such as
high-voltage switch mode power supplies (SMPS) and pulsed
power applications, fast switching is essential to the performance
of the system with subsequent low turn-on and turnoff
losses. As such, a review of the inherent device structure
is important to understanding the loss mechanisms

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฉัน การแนะนำ
ฉนวนประตูทรานซิสเตอร์สองขั้ว (IGBT) ได้ค้าง
ความสำเร็จในฐานะพลังงานสูงสถานะของแข็งเปลี่ยนอุปกรณ์
เนื่องจากการรวมกันของการสลับที่รวดเร็วการสูญเสียการนำต่ำ
และการควบคุมประตูสูงความต้านทาน แต่มีจะเสมอ
เป็นความต้องการสำหรับอุปกรณ์ที่ยึดมั่นการดำเนินงานที่สูงขึ้น.
ผู้ผลิตจึงมีแรงจูงใจที่จะพัฒนาสวิทช์ด้วย
คะแนนที่แรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นและความสามารถในการดำเนินการในปัจจุบัน cur-rently พาณิชย์ปิดชั้น (เตียง) แรงดันสูง IGBTs
ได้รับการประเมินถึง 6.5 กิโลโวลต์จากผู้ผลิตหลาย ๆ highvoltage
(> 1200 v) IGBTs ที่มีขายกันทั่วไปว่าเป็นโมดูลที่มีการให้คะแนนโดย
จาก 200 ถึงกว่า 2000 มุ่งเป้าไปที่การควบคุมมอเตอร์และการประยุกต์ใช้การลาก
.
การเพิ่มการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าของ IGBTs ทั่วไปลด
เปิดและเปิดปิด di / dt และเพิ่มการสูญเสียการเปลี่ยน [1].
สำหรับระบบที่ต้องมีการเปลี่ยนความถี่ที่สูงขึ้นเช่น
สวิทช์แรงดันสูงอุปกรณ์ไฟฟ้าโหมด (SMPS) และพัล
การใช้งานไฟฟ้าสลับที่รวดเร็วเป็นสิ่งจำเป็น ให้ประสิทธิภาพการทำงานของระบบ
ที่มีการสูญเสียต่ำเปิดและ turnoff
ภายหลัง เช่นการทบทวนโครงสร้างอุปกรณ์โดยธรรมชาติ
เป็นสิ่งสำคัญที่จะเข้าใจในกลไกการสูญเสีย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

I. แนะนำ
INSULATED ประตูไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ (IGBT) ได้สะสม
สำเร็จเป็นอุปกรณ์โซลิดสเตตสลับกำลังแรงสูง
ครบกำหนดการรวมกันของการสลับอย่างรวดเร็ว ขาดทุนจึงต่ำ,
และควบคุมประตูความต้านทานสูง อย่างไรก็ตาม มีจะเสมอ
มีความต้องการ unrelenting สำหรับสูงประสิทธิภาพอุปกรณ์
ผู้ผลิตดังนั้นจึงมีแรงจูงใจพัฒนาสลับกับ
ขยายแรงดันและความสามารถในการถือครองปัจจุบัน ปัจจุบัน rently, IGBTs แรงดันสูง (เปล) รูปค้า
มีคะแนนถึง 6.5 kV จากหลายผู้ผลิต Highvoltage
IGBTs (> 1200 V) โดยทั่วไปจะขายเป็นด้วย
จัดอันดับจาก 200 กว่า 2000 A มุ่งควบคุมมอเตอร์ และ
ลากใช้งาน
เพิ่มแรงดันไฟฟ้าการจัดอันดับของ IGBTs โดยทั่วไปลด
turn-on และหันออก di/dt และเพิ่มการสูญเสียเปลี่ยน [1] .
สำหรับระบบที่ต้องการสูงสลับความถี่เช่น
พลังงานแรงสูงสลับโหมดอุปกรณ์ (SMPS) และสูง
พลังงานประยุกต์ การสลับอย่างรวดเร็วเป็นสิ่งสำคัญเพื่อประสิทธิภาพ
ระบบ turn-on ต่ำตามมาและ turnoff
ขาดทุน เป็นเช่น ทบทวนโครงสร้างอุปกรณ์แต่กำเนิด
จะต้องทำความเข้าใจเกี่ยวกับกลไกการสูญเสีย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

I .แนะนำ
ซึ่งจะช่วยป้องกันไฟฟ้ารั่ว - ประตูวิทยุทรานซิสเตอร์สวิตช์ Bipolar MOS ( IGBT )มีดอกเบี้ยค้างชำระเดิมอุปกรณ์
ซึ่งจะช่วยสร้างความสำเร็จเป็นการสลับใช้งาน Solid - state แบบกำลังไฟสูง
เนื่องจากมีการผสมผสานของการสลับไปมาอย่างรวดเร็วการสูญเสียการควบคุมความถี่ต่ำการทำประตู
และสูง - อิมพีแดนซ์ แต่ถึงอย่างไรก็ตามยังมีความต้องการจะได้รับไม่ผ่อนที่สำหรับอุปกรณ์ ประสิทธิภาพ การทำงานที่สูงขึ้นเสมอ
ซึ่งจะช่วย..
ผู้ผลิตมีแรงจูงใจในการพัฒนาจะสลับด้วย
ดังนั้นในปัจจุบันและการจัดอันดับความน่าเชื่อถือระดับแรงดันไฟฟ้าขยายความสามารถในการพกพา. igbts ปิดทางการค้าที่ไหล่ทวีป(ท่านเปลสำหรับทารกห้องพัก)แรงดันสูง CUR - rently
ซึ่งจะช่วยได้รับการจัดระดับสูงถึง 6.5 kV จากผู้ผลิตหลายราย highvoltage
(> 1200 V ) igbts มีจำหน่ายเป็นโมดูลด้วย
การจัดอันดับจาก 200 ถึงมากกว่า 2000 ที่มีเป้าหมายอยู่ที่แอปพลิเคชัน
ซึ่งจะช่วยการยึดเกาะและการควบคุมมอเตอร์.
เพิ่มขึ้นการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าของ igbts โดยทั่วไปแล้วช่วยลด
ปิด - เปิดและปิด - ปิด di / dt และเพิ่มการขาดทุน[ 1 ]..
สำหรับระบบที่ต้องการให้สูงขึ้นการสลับความถี่เช่น
แรงดันสูงสวิตช์โหมดพาวเวอร์ซัพพลาย(ผู้ดำเนินการสื่อสังคม)และแอพพลิเคชั่น
ซึ่งจะช่วยให้การสลับไปมาอย่างรวดเร็วเป็นสิ่งจำเป็นที่จะให้ ประสิทธิภาพ
ของระบบด้วยต่อมาต่ำเปิดและเปลี่ยนเส้นทาง
ขาดทุน. เนื่องจากการตรวจสอบโครงสร้าง
ตามมาตรฐานอุปกรณ์ที่มีอยู่เป็นสิ่งสำคัญในการทำความเข้าใจกลไกการสูญเสีย