the Curtice-Ettenberg model is trad

the Curtice-Ettenberg model is traditionally used to model
MESFETs, it was found to be a useful tool in accurately
predicting the performance trends in the Doherty. The finite
output impedance was found to have the biggest impact on
the performance and it can reduce the ideal Doherty P AE by
as much as 25 %. Finally, a 71-76 GHz DPA is proposed and
implemented in a 90-nm RF-CMOS process. The footprint
of the DPA is 1.53 mm2 and it has a P1dB of 11.7 dBm,
a P AE of 30.6 % and a P AE at 6-dB back-off of 15.6
%. At P1dB the DPA is consuming 21.7 mA from the 1.5
V supply. The reconfigurable option improves the gain by
3.2 dB and draws an additional 7.1 mA. This option makes
the circuit more functional at mm-wave frequencies. The
efficiency characteristics of the implementation are within 5
% of the model predictions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รุ่น Curtice-Ettenberg เป็นใช้รูปแบบMESFETs พบเพื่อเป็นเครื่องมือมีประโยชน์อย่างถูกต้องทำนายแนวโน้มประสิทธิภาพในการโดเฮอร์ตี จำกัดอิมพีแดนซ์เอาต์พุตพบว่ามีผลกระทบที่ใหญ่ที่สุดประสิทธิภาพและสามารถลด P AE เหมาะของโดเฮอร์ตีโดยได้มากถึง 25% ในที่สุด 71-76 GHz DPA จะเสนอ และนำมาใช้ในกระบวนการ RF CMOS 90 nm รอยของ DPA เป็น 1.53 mm2 และมี P1dB ของ 11.7 dBmAE P 30.6% และมี P AE ที่ 6 dB หลังปิดของ 15.6%. ที่ P1dB DPA คือบริโภค 21.7 mA จากการ 1.5แหล่งจ่าย V ตัวเลือก reconfigurable เพิ่มกำไรโดย3.2 dB และดึงข้อ 7.1 เพิ่มเติม mA ตัวเลือกนี้ทำให้วงจรที่ทำงานที่ความถี่คลื่นมม. การลักษณะประสิทธิภาพของการใช้งานได้ภายใน 5%ของคาดการณ์รูปแบบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปแบบ Curtice-Ettenberg เป็นประเพณีที่ใช้ในการจำลอง
MESFETs มันก็พบว่าเป็นเครื่องมือที่มีประโยชน์ในการได้อย่างถูกต้อง
ทำนายแนวโน้มผลการดำเนินงานในโดเฮอร์ตี้ ขอบเขต
ความต้านทานเอาท์พุทก็พบว่ามีผลกระทบมากที่สุดใน
ประสิทธิภาพและสามารถลดเหมาะโดเฮอร์ตี้ P AE โดย
มากที่สุดเท่าที่ 25% ในที่สุด 71-76 GHz DPA เสนอและ
ดำเนินการใน 90 นาโนเมตรกระบวนการ RF-CMOS รอยเท้า
ของ DPA คือ 1.53 mm2 และมี P1dB 11.7 dBm,
พี AE ของ 30.6% และ P AE ที่ 6 dB กลับออกจาก 15.6
% ที่ P1dB DPA บริโภค 21.7 mA จาก 1.5
V อุปทาน ตัวเลือก reconfigurable ช่วยเพิ่มกำไรโดย
3.2 เดซิเบลและดึงเพิ่มอีก 7.1 มิลลิแอมป์ ตัวเลือกนี้จะทำให้
วงจรทำงานได้มากขึ้นที่ความถี่คลื่นมิลลิเมตร
ลักษณะที่มีประสิทธิภาพของการดำเนินงานที่มีภายใน 5
% ของการคาดการณ์รูปแบบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ curtice ettenberg แบบดั้งเดิมที่ใช้รูปแบบmesfets พบที่จะเป็นเครื่องมือที่มีประโยชน์ในการได้อย่างถูกต้องทำนายแนวโน้มงานในมือที่ . การจำกัดเอาท์พุทอิมพีแดนซ์ที่พบจะมีผลกระทบที่ใหญ่ที่สุดในประสิทธิภาพ และสามารถลดมือที่เหมาะ P เอโดยเท่าที่ 25% ในที่สุด , DPA เป็น 71-76 GHz และจะเสนอดำเนินการใน 90 nm rf-cmos กระบวนการ รอยเท้าของการประชุมคือ 1.53 แน่นและมี p1db 11.7 dBm ,พีเอของ 30.6 % และ P เอ ที่ 6-db กลับออกจากสิน% ที่ p1db ประมาณ 21.7 จาก 1.5 เป็นนานมาวี ซัพพลาย ตัวเลือกเพิ่ม Reconfigurable ได้รับโดย3.2 dB และดึงอีก 7.1 ma ตัวเลือกนี้จะทำให้วงจรการทำงานที่มิลลิเมตรคลื่นความถี่ ที่ลักษณะการทำงานของการภายใน 5% ของแบบจำลองคาดคะเน