Given that most Zn and Ga atoms exp

Given that most Zn and Ga atoms experience a similar surface diffusion process, the uniform Ga distribution along the long ZnO nanowire is achieved.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ว่าอะตอม Zn และ Ga ส่วนใหญ่พบกระจายที่ผิวคล้ายขั้นตอน Ga เหมือนกันที่แจกจ่ายไปตาม nanowire ZnO ยาวจะประสบความสำเร็จ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระบุว่าส่วนใหญ่สังกะสีและ Ga อะตอมได้สัมผัสกับกระบวนการแพร่บนพื้นผิวที่คล้ายกันกระจาย Ga เครื่องแบบไปตามเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ยาวจะประสบความสำเร็จ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ให้สังกะสีมากที่สุด และ กา อะตอมประสบการณ์คล้ายกับพื้นผิวกระบวนการแพร่ เครื่องแบบ กา กระจายตาม nanowire ZnO ยาวได้