In 1999, a vertical replacement gat

In 1999, a vertical replacement gate transistor of 50 nm thick was invented by
scientist in Lucent laboratory. Figure 2.3 shows the picture of the Lucent
Transistor. There was other smaller transistor reported during that time by
research laboratory of a university in Ohio State.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในปี 1999 ทรานซิสเตอร์ประตูในแนวตั้งแทน 50 nm หนาถูกคิดค้นโดยนักวิทยาศาสตร์ในห้องปฏิบัติการลูเซนท์ รูปที่ 2.3 แสดงภาพของ Lucentทรานซิสเตอร์ มีทรานซิสเตอร์ขนาดเล็กอื่น ๆ ที่รายงานในช่วงเวลานั้นโดยห้องปฏิบัติการวิจัยของมหาวิทยาลัยในรัฐโอไฮโอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในปี 1999 แนวตั้งทรานซิสเตอร์ทดแทนประตูจาก 50 นาโนเมตรหนาถูกคิดค้นโดย
นักวิทยาศาสตร์ในห้องปฏิบัติการ Lucent รูปที่ 2.3 แสดงให้เห็นภาพของ Lucent
ทรานซิสเตอร์ มีทรานซิสเตอร์ขนาดเล็กอื่น ๆ รายงานในช่วงเวลานั้นโดยเป็น
ห้องปฏิบัติการวิจัยของมหาวิทยาลัยในรัฐโอไฮโอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในปี 1999 , ประตูแทนแนวตั้งทรานซิสเตอร์ 50 nm หนาถูกคิดค้นโดยนักวิทยาศาสตร์ในห้องปฏิบัติการสามารถ . รูปที่ 2.3 แสดงรูปภาพของลูเซนต์ทรานซิสเตอร์ มีทรานซิสเตอร์ขนาดเล็กอื่น ๆ รายงานในช่วงเวลานั้น โดยวิจัยทางห้องปฏิบัติการของมหาวิทยาลัยแห่งหนึ่งในรัฐโอไฮโอ