The low gas response of sensor base

The low gas response of sensor based on Ni0.9Zn0.1O (p-type semiconductor) compared to the others (n-type semiconductors),can be explained by the theory supported by the Hübner et al.’s calculation which states that the gas response of p-type oxide semiconductors is the square root of that of n-type oxide semiconductors with the same morphology [51]. Moreover, owing to its high conductivity (Rair= 131 ) compared to others (Rair= 750 kfor ZnO and Rair= 60 M for Ni0.9Zn0.1O/ZnO), the variation of the resistance at the surface of the particle is negligible because the Debye length is very short and the relative charge carrier change is small when adsorbed gas exchanges electrons. The high gas response of the sensor based on composite material(Ni0.9Zn0.1O/ZnO) for CO specifically can be explained by the formation of heterojunction in one hand but moreover by the catalytic activity of both component (ZnO and Ni0.9Zn0.1O) on the oxidationof CO in other hand [52–54]. This cumulative CO oxidation catalytic activity should favor more adsorption of CO on the surface via the active sites thus enhancing the sensor response. This will not be the case for H2 and NO2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การตอบสนองต่ำก๊าซเซนเซอร์ที่อิง Ni0.9Zn0.1O (สารกึ่งตัวนำชนิด p) เมื่อเทียบกับผู้อื่น (n ชนิดสารกึ่งตัวนำ), สามารถอธิบายได้ โดยทฤษฎีที่สนับสนุน โดยการคำนวณของ Hübner และคณะซึ่งระบุว่า การตอบสนองก๊าซของสารกึ่งตัวนำออกไซด์ชนิด p เป็นรากที่สองของของสารกึ่งตัวนำชนิด n ออกไซด์กับสัณฐานเดียวกัน [51] นอกจากนี้ เนื่องจากการนำความสูง (แร่ = 131) เทียบกับคนอื่น (แร่ = 750 k ZnO และแร่ = 60 เมตรสำหรับ Ni0.9Zn0.1O/ZnO), การเปลี่ยนแปลงของความต้านทานที่ผิวของอนุภาคเป็นเล็กน้อยเนื่องจากความยาว Debye สั้นมาก และการเปลี่ยนแปลงสัมพัทธ์ค่าขนส่งมีขนาดเล็กเมื่อแก๊สซับแลกเปลี่ยนอิเล็กตรอน การตอบสนองสูงก๊าซเซ็นเซอร์ที่อิง material(Ni0.9Zn0.1O/ZnO) ผสม CO โดยเฉพาะสามารถอธิบายการก่อตัวของ heterojunction ด้วยมือเดียว แต่นอกจากนี้ กิจกรรมเร่งปฏิกิริยาขององค์ประกอบทั้งสอง (ZnO และ Ni0.9Zn0.1O) บน oxidationof CO ในมือ [52-54] สะสม CO ออกซิเดชันปัจจัยกิจกรรมนี้ควรชอบดูดซับเพิ่มเติมของ CO บนพื้นผิวผ่านการใช้งานไซต์จึง เพิ่มการตอบสนองของเซนเซอร์ นี้จะไม่ใช่สำหรับ H2 และ NO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การตอบสนองของก๊าซต่ำของเซ็นเซอร์อยู่บนพื้นฐานของ Ni0.9Zn0.1O (P-สารกึ่งตัวนำชนิด) เมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ (N-ประเภทเซมิคอนดักเตอร์) สามารถอธิบายได้ด้วยทฤษฎีที่ได้รับการสนับสนุนโดยHübner et al. ของการคำนวณที่ระบุว่า การตอบสนองของก๊าซชนิดพีเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์เป็นรากที่สองของที่ n-ประเภทเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์ที่มีสัณฐานเหมือนกัน [51] นอกจากนี้เนื่องจากการนำความสูง (Rair = 131?) เมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ (Rair = 750 K? สำหรับซิงค์ออกไซด์และ Rair = 60 M? สำหรับ Ni0.9Zn0.1O / ZnO) การเปลี่ยนแปลงของความต้านทานที่พื้นผิวของที่ อนุภาคเป็นเล็กน้อยเนื่องจากความยาวเดอบายสั้นมากและการเปลี่ยนแปลงของค่าใช้จ่ายของผู้ให้บริการญาติมีขนาดเล็กเมื่อดูดซับการแลกเปลี่ยนก๊าซอิเล็กตรอน การตอบสนองก๊าซสูงของเซ็นเซอร์ขึ้นอยู่กับวัสดุผสม (Ni0.9Zn0.1O / ZnO) สำหรับ CO เฉพาะสามารถอธิบายได้ด้วยการก่อตัวของเฮเทอโรในมือข้างหนึ่ง แต่ยิ่งไปกว่านั้นโดยการเร่งปฏิกิริยาขององค์ประกอบทั้งสอง (ZnO และ Ni0.9Zn0 1O) ใน oxidationof CO ในมืออื่น ๆ [52-54] นี้สะสม CO เร่งปฏิกิริยาออกซิเดชันควรสนับสนุนการดูดซับมากขึ้นของ CO บนพื้นผิวผ่านเว็บไซต์ที่ใช้งานจึงเพิ่มการตอบสนองเซ็นเซอร์ นี้จะไม่เป็นกรณีสำหรับ H2 และ NO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก๊าซต่ำการตอบสนองของเซ็นเซอร์ที่ใช้ใน ni0.9zn0.1o ( พีเค ) เมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ ( ระบบทั่วไป ) สามารถอธิบายได้ด้วยทฤษฎีที่สนับสนุนโดย H ü bner et al . การคำนวณซึ่งระบุว่า การตอบสนองของสารกึ่งตัวนำพีแก๊สออกไซด์เป็นรากที่สองของของทั่วไปออกไซด์สารกึ่งตัวนำด้วย [ สัณฐานเดียวกัน 51 ] นอกจากนี้ เนื่องจากค่าการนำไฟฟ้าสูง ( rair = 131 ) เมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ ( rair = 750 kfor และซิงค์ออกไซด์ rair = 60 M สำหรับ ni0.9zn0.1o / ZnO ) , การเปลี่ยนแปลงของความต้านทานที่ผิวของอนุภาคกระจอกเพราะความยาว ดีบายจะสั้นมาก และญาติคิดค่าขนส่งเปลี่ยนเป็นขนาดเล็กเมื่อดูดซับการแลกเปลี่ยนก๊าซ อิเล็กตรอน ก๊าซสูงการตอบสนองของเซ็นเซอร์ที่ใช้ในวัสดุคอมโพสิต ( ni0.9zn0.1o / ZnO ) Co โดยเฉพาะ สามารถอธิบายได้โดยการก่อตัวของ heterojunction ในมือข้างหนึ่ง แต่ยิ่งไปกว่านั้น โดยฤทธิ์ของทั้งสององค์ประกอบ ( ZnO และการ ni0.9zn0.1o ) บนมืออื่น ๆบริษัทใน oxidationof 52 ) [ 54 ] นี้สะสม Co ออกซิเดชันกิจกรรมโปรดปรานมากกว่าการดูดซับ CO บนพื้นผิวผ่านการใช้งานเว็บไซต์จึงเพิ่มเซ็นเซอร์วัดการตอบสนอง นี้จะเป็นกรณีสำหรับ H2 และ NO2 .