A silicon chip measurihg 5 mm on a

A silicon chip measurihg 5 mm on a side and 1 mm in thickness is embedded in a ceramic substrate. At steady state,the chip has an electrical power input of 0.225 w. The top surface of the chip is exposed to a coolant whose temperature is 20 .the heat transfer coefficient for convection between the chip amd the coolant is 150 w/m .K . If heat transfer by conduction between the chip and the substrate is negligible,determine the surface temperature of the chip,in

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีซิลิคอนชิ measurihg 5 มม.ด้านบน และความหนา 1 มม.ฝังอยู่ในพื้นผิวเซรามิก ท่อน ชิปมีการป้อนไฟฟ้า 0.225 w พื้นผิวด้านบนของชิปที่สัมผัสกับอุณหภูมิลแลนท์อุณหภูมิเป็น 20 อะลูมิเนียมม...ความร้อนถ่ายโอนสัมประสิทธิ์การพาระหว่าง amd ชิการลแลนท์เป็น 150 w m K ถ้ามีการถ่ายโอนความร้อนโดย การนำชิพที่และพื้นผิวเป็นระยะ กำหนดว่าอุณหภูมิพื้นผิวของชิพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชิปซิลิกอน measurihg 5 มิลลิเมตรที่ด้านข้างและ 1 มมถูกฝังอยู่ในพื้นผิวเซรามิก ความมั่นคงของรัฐในชิปมีการป้อนพลังงานไฟฟ้าของน้ำหนัก 0.225 พื้นผิวด้านบนของชิปจะสัมผัสกับน้ำหล่อเย็นที่มีอุณหภูมิอยู่ที่ 20 ค่าสัมประสิทธิ์การถ่ายเทความร้อนได้โดยเริ่มต้นสำหรับการพาความร้อนระหว่างชิปเอเอ็มดีน้ำหล่อเย็น 150 w / ม. .K หากการถ่ายเทความร้อนโดยการนำระหว่างชิปและสารตั้งต้นที่เป็นเล็กน้อยตรวจสอบอุณหภูมิพื้นผิวของชิปใน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิคอนชิป measurihg 5 มม. ด้านและ 1 มม. ความหนาฝังอยู่ในพื้นผิวเซรามิก ที่สภาวะชิปมีไฟฟ้าเข้าของ 0.225 . พื้นผิวด้านบนของชิปจะสัมผัสกับสารหล่อเย็นที่อุณหภูมิ 20 . สัมประสิทธิ์การถ่ายเทความร้อนสำหรับการพาความร้อนระหว่างชิป AMD เย็น 150 W / M . K .ถ้าการถ่ายเทความร้อนโดยการนำความร้อนระหว่างชิปและพื้นผิวเล็กน้อยหาอุณหภูมิพื้นผิวของชิปใน