LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxi

LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) is the dominant device technology used in high power RF amplifiers for frequencies ranging from 10 MHz to 3.8 GHz. It offers significant advantages over silicon bipolar transistors, such as very high ruggedness and efficiency, high gain, and compatibility with low cost packaging platforms. And in all but a few markets LDMOS is the most commercially viable solution in comparison with GaN based power amplifiers. NXP's LDMOS technology platforms are designed for devices to run from supply voltages in the range 28 to 50 V, with outstanding efficiency, power and ruggedness. The technology draws on NXP's heritage of proven product and technology innovation in RF spanning over 35 years. Now in its 8th-generation, our LDMOS devices deliver record performance up to 3.8 GHz and, for example, help wireless network operators realize best-in-class efficiencies for wireless base stations and hence reduce operating costs. Advanced processes and architectures These high efficiencies are actually achieved through a combination of the Gen8 LDMOS devices with specific amplifier circuit designs such as Doherty. The technology enables Doherty amplifiers with higher power, higher efficiencies, less memory effects and better pre-distortion capabilities. Doherty amplifiers are available, which are fully integrated into a single transistor package - engineers do not need to worry about the quite intricate design of such a circuit any more - all splitters, delay lines and combiners are already included and the design challenge boils down to a class AB circuit design. Higher power densities and ruggedness For the aerospace and defense, broadcast and ISM markets NXP uses the proven Gen6 & Gen7 LDMOS platforms for devices fine-tuned to the specific needs required by these applications. For example, the Gen6 technology has been re-optimized for 42 to 50 V operation with the Gen6HV process, and then improved further again as Gen6XR to enable devices with extreme ruggedness, equivalent to the older VDMOS technology. The Gen6XR process is essential for ISM applications that suffer from severe mismatch conditions, the technology enables products that withstands them all without compromising the RF performance. Historically the broadcast market has led the way in terms of power demands, a challenge NXP has risen to time and again with a succession of LDMOS products that set new milestones in terms of power density. These products clearly demonstrate the strengths of NXP’s LDMOS to deliver new levels of consistency in power distribution over a die and also in production from batch to batch, year to year. The improvements in LDMOS technology have enabled the aerospace and defense radar markets to migrate from designs using Si bipolar power transistors to LDMOS. LDMOS RF performance now equals Si bipolar in most respects and exceeds it in the remaining few. Plus LDMOS is an easier technology to apply and has significant cost of ownership benefits in these markets. In these markets NXP have managed to raise the bar for LDMOS with 350 W S-band devices in the range 2.7 to 3.5 GHz. - See more at: http://www.nxp.com/techzones/hprf-techzone/technologies/ldmos.html#sthash.LDBUITUO.dpuf

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

LDMOS (Diffused ขวาง Metal Oxide Semiconductor) เป็นเทคโนโลยีที่โดดเด่นอุปกรณ์ที่ใช้ในการขยายเสียงกำลังสูง RF ความถี่ตั้งแต่ 10 MHz ถึง 3.8 GHz มันมีข้อดีที่สำคัญกว่าทรานซิสเตอร์ซิลิคอนเช่นความรุนแรงสูงมากและมีประสิทธิภาพที่ได้รับสูงและการทำงานร่วมกันที่มีต้นทุนต่ำแพลตฟอร์มบรรจุภัณฑ์ และในทุกตลาดไม่กี่ LDMOS เป็นส่วนใหญ่โซลูชั่นที่ทำงานได้ในเชิงพาณิชย์ในการเปรียบเทียบกับขยายอำนาจกันตาม LDMOS NXP แพลตฟอร์มเทคโนโลยีที่ได้รับการออกแบบสำหรับอุปกรณ์ที่จะวิ่งออกจากกระแสในช่วง 28-50 V ที่มีประสิทธิภาพที่โดดเด่นของอำนาจและความรุนแรง เทคโนโลยีดึงมรดก NXP ของผลิตภัณฑ์การพิสูจน์และนวัตกรรมเทคโนโลยีใน RF ทอดกว่า 35 ปี ตอนนี้ในรุ่นที่ 8 ของอุปกรณ์ LDMOS มอบประสิทธิภาพการทำงานของเราบันทึกได้ถึง 3.8 GHz และเช่นช่วยให้ผู้ประกอบการเครือข่ายไร้สายที่มีประสิทธิภาพที่ดีที่สุดตระหนักในชั้นเรียนสำหรับสถานีฐานแบบไร้สายและจึงลดค่าใช้จ่ายในการดำเนินงาน กระบวนการขั้นสูงและสถาปัตยกรรมที่มีประสิทธิภาพสูงเหล่านี้จะประสบความสำเร็จจริงผ่านการรวมกันของอุปกรณ์ Gen8 LDMOS กับการออกแบบวงจรเครื่องขยายเสียงที่เฉพาะเจาะจงเช่นโดเฮอร์ตี้ เทคโนโลยีช่วยให้แอมป์โดเฮอร์ตี้ที่มีอำนาจสูงขึ้นประสิทธิภาพที่สูงขึ้นมีผลกระทบหน่วยความจำน้อยกว่าและดีกว่าความสามารถในการก่อนการบิดเบือน แอมป์โดเฮอร์ตี้ที่มีอยู่ซึ่งมีการบูรณาการอย่างเต็มที่ในแพคเกจเดียวทรานซิสเตอร์ - วิศวกรไม่จำเป็นต้องกังวลเกี่ยวกับการออกแบบที่ซับซ้อนค่อนข้างเช่นวงจรใด ๆ เพิ่มเติม - แยกทุกสายล่าช้าและ combiners จะรวมอยู่แล้วและท้าทายการออกแบบเดือดลงไป ระดับการออกแบบวงจร AB ที่สูงขึ้นความหนาแน่นพลังงานและความทนทานสำหรับการบินและอวกาศและการป้องกันการออกอากาศและ ISM ตลาด NXP ใช้พิสูจน์ Gen6 & Gen7 แพลตฟอร์ม LDMOS สำหรับอุปกรณ์ที่จะปรับแต่งตามความต้องการเฉพาะที่จำเป็นโดยโปรแกรมเหล่านี้ ตัวอย่างเช่นเทคโนโลยี Gen6 ได้รับการปรับให้เหมาะสมกับ 42-50 V การดำเนินการกับกระบวนการ Gen6HV แล้วดีขึ้นต่อไปอีกครั้งเป็น Gen6XR เพื่อเปิดใช้งานอุปกรณ์ที่มีความรุนแรงมากเทียบเท่ากับเทคโนโลยี VDMOS เก่า กระบวนการ Gen6XR เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับการใช้งาน ISM ที่ประสบจากสภาพไม่ตรงกันอย่างรุนแรงเทคโนโลยีช่วยให้ผลิตภัณฑ์ที่ทนทานต่อพวกเขาทั้งหมดโดยไม่สูญเสียประสิทธิภาพการทำงานของ RF ในอดีตตลาดออกอากาศได้นำวิธีการในแง่ของความต้องการพลังงานที่ท้าทาย NXP ได้เพิ่มขึ้นถึงเวลาและอีกครั้งกับความสำเร็จของผลิตภัณฑ์ LDMOS ที่ตั้งความคืบหน้าใหม่ในแง่ของความหนาแน่นของพลังงาน ผลิตภัณฑ์เหล่านี้แสดงให้เห็นถึงความแข็งแกร่งของ LDMOS NXP ที่จะส่งมอบอีกระดับของความสม่ำเสมอในการกระจายอำนาจเหนือตายและยังอยู่ในการผลิตจากชุดการผลิตปีถึงปี การปรับปรุงในด้านเทคโนโลยี LDMOS ได้เปิดใช้งานการบินและอวกาศและการป้องกันตลาดเรดาร์ที่จะโยกย้ายจากการออกแบบโดยใช้ศรีทรานซิสเตอร์สองขั้วอำนาจที่จะ LDMOS ผลการดำเนินงานในขณะนี้ LDMOS RF เท่ากับศรีสองขั้วส่วนใหญ่นับถือและเกินความมันในไม่กี่ที่เหลือ พลัส LDMOS เป็นเทคโนโลยีที่ง่ายต่อการใช้และมีค่าใช้จ่ายอย่างมีนัยสำคัญของผลประโยชน์ที่เป็นเจ้าของในตลาดเหล่านี้ ในตลาดเหล่านี้ NXP มีการบริหารจัดการที่จะยกบาร์สำหรับ LDMOS กับ 350 วัตต์อุปกรณ์ S-วงดนตรีในช่วง 2.7 ถึง 3.5 GHz - ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่: http://www.nxp.com/techzones/hprf-techzone/technologies/ldmos.html#sthash.LDBUITUO.dpuf

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ldmos ( ด้านข้างๆสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ ) เป็นอุปกรณ์ที่ใช้เทคโนโลยีสูงเด่น พลังงาน RF ความถี่สูงตั้งแต่ 10 MHz ถึง 3.8 GHz มันมีข้อดีที่สำคัญกว่าทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ เช่น ความทนทานสูงมาก และประสิทธิภาพได้สูง และเข้ากันได้กับแพลตฟอร์มบรรจุภัณฑ์ราคาถูกและในทั้งหมด แต่ตลาดไม่กี่ ldmos เป็นโซลูชั่นที่สุดในเชิงพาณิชย์ในการเปรียบเทียบกับ กานใช้พลังงานเครื่องขยายเสียง บริการ ldmos เทคโนโลยีของแพลตฟอร์มถูกออกแบบมาสำหรับอุปกรณ์ที่จะวิ่งจากอุปทานแรงดันไฟฟ้าในช่วง 28 50 V กับประสิทธิภาพที่โดดเด่น พลัง และความหยาบคาย เทคโนโลยีดึงทางมรดกของการพิสูจน์ผลิตภัณฑ์และนวัตกรรมเทคโนโลยีใน RF ครอบคลุมกว่า 35 ปีตอนนี้ในรุ่นที่ 8 ของ ldmos อุปกรณ์ของเราได้ส่งบันทึกการทำงานได้ถึง 3.8 GHz และ เช่น ช่วยให้ผู้ประกอบการเครือข่ายไร้สายที่ดีที่สุดในชั้นเรียนว่าประสิทธิภาพในสถานีฐานแบบไร้สายและจึงลด ค่าใช้จ่ายในการดำเนินงานกระบวนการที่ทันสมัยและสถาปัตยกรรมประสิทธิภาพสูงเหล่านี้จะประสบความสำเร็จจริงผ่านการรวมกันของ gen8 ldmos อุปกรณ์เฉพาะวงจรการออกแบบ เช่น โดเฮอร์ตี้ . เทคโนโลยีช่วยให้มือที่เครื่องขยายเสียงกับพลังงานสูงประสิทธิภาพสูงหน่วยความจำน้อยกว่าผลและดีกว่าก่อนการบิดเบือนความสามารถ โดเฮอร์ตี้แอมป์พร้อมใช้งานที่ครบวงจรในที่เดียว แบบแพคเกจ - วิศวกรไม่ต้องเป็นห่วงเรื่องซับซ้อนค่อนข้างออกแบบเป็นวงจรใด ๆเพิ่มเติม - แยกสายล่าช้า และควบรวมแล้ว และความท้าทายของการออกแบบ boils ลงเพื่อการออกแบบวงจรคลาสเอบี พลังงานที่สูงขึ้นและมีความทนทานสำหรับการบินและอวกาศและกลาโหมทางตลาดออกอากาศและลัทธิใช้พิสูจน์ gen6 & gen7 ldmos แพลตฟอร์มสำหรับอุปกรณ์ปรับจูนกับความต้องการใช้โดยโปรแกรมเหล่านี้ ตัวอย่างเช่น gen6 เทคโนโลยีได้รับการ re เหมาะสำหรับ 42 50 V การดำเนินการกับกระบวนการ gen6hv และจากนั้นปรับปรุงเพิ่มเติมอีก gen6xr เพื่อให้อุปกรณ์ที่มีความหยาบมากเทียบเท่ากับรุ่นเก่า vdmos เทคโนโลยีกระบวนการ gen6xr เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับ ISM โปรแกรมที่ประสบจากสภาพที่ไม่ตรงกันอย่างรุนแรง เทคโนโลยีที่ช่วยให้ผลิตภัณฑ์ที่เข้าใจพวกเขาทั้งหมดโดยไม่สูญเสียประสิทธิภาพ RF ในอดีตตลาดออกอากาศได้นำวิธีในแง่ของความต้องการพลังงานความท้าทายทางเพิ่มขึ้นและเวลาอีกครั้งด้วยการ ldmos ผลิตภัณฑ์ชุดเหตุการณ์สำคัญใหม่ในแง่ของความหนาแน่นของพลังงาน ผลิตภัณฑ์เหล่านี้อย่างชัดเจนแสดงให้เห็นถึงจุดแข็งของ NXP ของ ldmos เพื่อส่งมอบระดับของความสอดคล้องในการกระจายพลังงานมากกว่าตายและในการผลิตจากชุดรุ่นปีการปรับปรุงในด้านเทคโนโลยี ldmos ได้เปิดการใช้งานการบินและอวกาศและการป้องกันประเทศเรดาร์ตลาดเพื่อโยกย้ายจากการออกแบบไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ไปใช้อำนาจ ศรี ldmos . ประสิทธิภาพ RF ldmos ตอนนี้เท่ากับศรีไบโพลาร์ในการเคารพมากที่สุดและเกินในอีกไม่กี่ บวก ldmos เป็นเทคโนโลยีที่ง่ายต่อการใช้ และมีต้นทุนที่สำคัญของประโยชน์ความเป็นเจ้าของในตลาดเหล่านี้ในตลาดเหล่านี้ฟิลิปส์ได้จัดการยกบาร์สำหรับ ldmos กับ 350 W s-band อุปกรณ์ในช่วง 2.7 - 3.5 GHz ดูเพิ่มเติมได้ที่ : http : / / www.nxp . com / techzones / hprf techzone / เทคโนโลยี / ldmos . html # sthash.ldbuituo.dpuf