If the outer area of the wafer were

If the outer area of the wafer were exposed during the e-beam lithography
operation, then the silicon and the hardmask oxide would remain before polysilicon
deposition. This would produce a relative “high” area on the outer regions of the
wafer. However, this would increase the e-beam write time to unacceptable levels.
However, in order to maintain the oxide and silicon, the exposure must be done at the
same time as the RX e-beam exposure. NEB-31 is sensitive to, in addition to electron
beam dose, Deep Ultra-Violet (DUV) dose [29]. One of the CNF contact/proximity
aligners (the HTG 3HR) utilizes a wideband light source. So, a mask was produced

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ถ้าพื้นที่ภายนอกของแผ่นเวเฟอร์ได้สัมผัสระหว่างภาพพิมพ์หินอีบีมการดำเนิน งาน แล้วซิลิคอน และออกไซด์ hardmask จะยังคงก่อน polysiliconสะสม จะทำพื้นที่ "สูง" สัมพันธ์กับพื้นที่ภายนอกของการแผ่นเวเฟอร์ อย่างไรก็ตาม นี้จะเพิ่มเวลาเขียนอีคานระดับที่ไม่สามารถยอมรับอย่างไรก็ตาม รักษาออกไซด์และซิลิกอน เปิดรับแสงต้องทำที่นี้กันเป็นแสงลำแสงอีจำนวน NEB 31 เป็นสำคัญ นอกเหนือไปจากอิเล็กตรอนยาบีม ลึก Ultra-Violet (DUV) ยา [29] ติดต่อ CNF/ใกล้ ชิดอย่างใดอย่างหนึ่งaligners (ใน HTG 3HR) ใช้แสง wideband ดังนั้น รูปแบบถูกผลิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หากพื้นที่ด้านนอกของแผ่นเวเฟอร์ถูกเปิดเผยในระหว่างการพิมพ์หินอีคาน
การดำเนินการแล้วและซิลิกอนออกไซด์ hardmask จะยังคงอยู่ก่อนที่จะโพลีซิลิคอน
การสะสม นี้จะผลิตญาติพื้นที่ "สูง" ในภูมิภาคด้านนอกของ
แผ่นเวเฟอร์ แต่นี้จะเพิ่มเวลาในการเขียนอีเมลคานให้อยู่ในระดับที่ยอมรับไม่ได้.
แต่เพื่อรักษาออกไซด์และซิลิกอนสัมผัสจะต้องทำใน
เวลาเดียวกับที่การสัมผัสทาง e-คาน RX NEB-31 มีความไวต่อนอกเหนือไปจากอิเล็กตรอน
ยาคานลึกอัลตร้าไวโอเล็ต (DUV) ยา [29] หนึ่งในการติดต่อ CNF / ความใกล้ชิด
ใส (HTG 3HR) ใช้แหล่งกำเนิดแสง wideband ดังนั้นหน้ากากถูกผลิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หากพื้นที่ด้านนอกของเวเฟอร์ที่ถูกเปิดเผยในช่วง e-beam ภาพยนตร์จีน
ปฏิบัติการแล้ว ซิลิคอนออกไซด์ จะยังคงอยู่ และ hardmask polysilicon
ก่อนการ นี้จะผลิตเป็นญาติสูง " พื้นที่ " ในภูมิภาคด้านนอกของ
เวเฟอร์ อย่างไรก็ตาม นี้จะเพิ่ม e-beam เวลาเขียนในระดับที่ยอมรับไม่ได้ .
แต่เพื่อรักษาออกไซด์และซิลิกอนการต้องทำในเวลาเดียวกับ RX
e-beam แสง neb-31 อ่อนไหวนอกเหนือจากอิเล็กตรอน
ลำแสงขนาดลึก Ultra Violet ( duv ) ขนาด [ 29 ] หนึ่งใน CNF ติดต่อความใกล้ชิด /
aligners ( HTG 3hr ) ใช้สัญญาณแสงแหล่งที่มา ดังนั้น หน้ากากถูกผลิต