In this article we report on the ca

In this article we report on the capability of integrated LDMOS transistors for power amplifiers in 10 gigabit per second (Gbps) communication systems, smart power systems and X-band power amplifiers. The switched mode properties of the amplifier were evaluated using a 10.3125 Gbps pseudo random bit error sequence (PRBS) signal. A test mask according to the IEEE P802.3aq 10GBASE-LRM Ethernet standard was applied to evaluate the recorded eye diagram. No single hit was detected in the forbidden test mask regions after measuring 6 million data points. Load-pull measurements at 11 GHz show an operational gain of 16 dB, a maximum power added efficiency (PAE) of 30 % and a maximum drain efficiency (EFF) of 38 %. RF small signal scattering parameters of the LDMOS transistor were measured up to 67 GHz. A cutoff frequency of 27 GHz and a maximum oscillation frequency of 61 GHz were extracted. The investigated n-LDMOS transistor is modularly integrated into a 0.25 μm SiGe:C BiCMOS Technology.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในบทความนี้ เรารายงานความสามารถในการบูรณาการ LDMOS ทรานซิสเตอร์สำหรับขยายสัญญาณใน 10 กิกะบิตต่อระบบการสื่อสาร (Gbps) สอง ระบบไฟฟ้าอัจฉริยะ และ X-วงแอมป์ คุณสมบัติเปลี่ยนโหมดของแอมพลิฟายเออร์ได้ถูกประเมินโดยใช้ 10.3125 Gbps หลอกบิตสุ่มผิดพลาดลำดับ (PRBS) สัญญาณ หน้ากากทดสอบตามอีเทอร์เน็ตรับ 10gbase อี LRM IEEE P802.3aq มาตรฐานถูกนำไปใช้ในการประเมินตาบันทึกไดอะแกรม นัดเดียวไม่พบในภูมิภาคหน้ากากต้องห้ามทดสอบหลังจากการวัดจุดข้อมูล 6 ล้าน โหลด-ดึงวัดที่ 11 GHz แสดงกำไรการดำเนินงานของ 16 dB อำนาจสูงสุดเพิ่มประสิทธิภาพ (PAE) 30% และสูงสุดระบายประสิทธิภาพ (EFF) 38% กระจายเล็กสัญญาณ RF มีพารามิเตอร์ของทรานซิสเตอร์ LDMOS วัดถึง 67 GHz ความถี่ตัดของ 27 GHz และความถี่ในการสั่นสูงสุด 61 GHz ถูกสกัด ทรานซิสเตอร์สอบสวน n-LDMOS modularly เครื่อแบบ 0.25 ไมครอนเทคโนโลยี BiCMOS SiGe:C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้เรารายงานเกี่ยวกับความสามารถในการทรานซิสเตอร์ LDMOS บูรณาการเพื่อขยายอำนาจใน 10 กิกะบิตต่อวินาที (Gbps) ระบบการสื่อสารระบบไฟฟ้าและสมาร์ท X-band ขยายอำนาจ เปลี่ยนคุณสมบัติของโหมดเครื่องขยายเสียงได้รับการประเมินโดยใช้ 10.3125 Gbps ลำดับผิดพลาดบิตสุ่มหลอก (PRBS) สัญญาณ หน้ากากทดสอบตามมาตรฐาน IEEE P802.3aq 10GBASE-LRM อีเธอร์เน็ตถูกนำมาใช้ในการประเมินแผนภาพตาบันทึก ไม่มีอย่างเดียวถูกตรวจพบในพระราชวังต้องห้ามภูมิภาคหน้ากากทดสอบหลังวัด 6 ล้านจุดข้อมูล วัดโหลดดึง 11 GHz แสดงกำไรจากการดำเนินงานของ 16 เดซิเบลซึ่งเป็นอำนาจสูงสุดเพิ่มประสิทธิภาพ (PAE) 30% และประสิทธิภาพการระบายน้ำสูงสุด (เอฟเอฟ) 38% RF พารามิเตอร์สัญญาณขนาดเล็กกระเจิงของทรานซิสเตอร์ LDMOS ถูกวัดได้ถึง 67 GHz ตัดความถี่ 27 GHz และความถี่สูงสุดของ 61 GHz ถูกสกัด สอบสวนทรานซิสเตอร์ N-LDMOS ถูกนำมารวมเป็นชุดที่ 0.25 ไมครอน SiGe: C BiCMOS เทคโนโลยี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในบทความนี้เราได้รายงานเกี่ยวกับความสามารถของเพาเวอร์แอมป์แบบบูรณาการ ldmos 10 กิกะบิตต่อวินาที ( Gbps ) ระบบการสื่อสาร ระบบพลังงานสมาร์ทและพลังงานแอมปลิฟายเออร์ กซ์ แบนด์ . การเปลี่ยนโหมด คุณสมบัติของเครื่องขยายเสียงได้แก่ การใช้ 10.3125 Gbps หลอกสุ่มบิตข้อผิดพลาดลำดับ ( prbs ) สัญญาณ การทดสอบหน้ากากตามมาตรฐาน IEEE p802.3aq 10gbase-lrm ) ถูกนำมาใช้เพื่อหาบันทึกตาแผนภาพ ไม่มีตีที่ตรวจพบในภูมิภาคหลังหน้ากากห้ามทดสอบวัด 6 ล้านจุดข้อมูล โหลดดึงวัดที่ 11 GHz แสดงได้รับการดำเนินงานของ 16 dB , สูงสุดเพิ่มประสิทธิภาพพลัง ( แพ ) 30% และประสิทธิภาพระบายน้ำสูงสุด ( EFF ) 38 บาท ขนาดเล็กกระจายสัญญาณ RF พารามิเตอร์ของทรานซิสเตอร์ ldmos ได้ถึง 67 GHz . มีการตัดความถี่ 27 GHz และสูงสุดมีค่าความถี่ของ 61 GHz ถูกสกัด ศึกษา n-ldmos ทรานซิสเตอร์เป็น modularly รวมเข้าเป็น 0.25 μ M SiGe : C bicmos เทคโนโลยี