The resultinggraphene on SiGe subst

The resulting
graphene on SiGe substrate may be directly used to fabricate
semiconductor-based devices for high-speed electronic and optoelectronic
applications based on conventional microelectronics
technology [7–9].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

งบ
graphene บนพื้นผิว SiGe อาจโดยตรงใช้ในการปั้น
สารกึ่งตัวนำอุปกรณ์สำหรับความเร็วสูงอิเล็กทรอนิกส์และ optoelectronic
โปรแกรมประยุกต์โดยใช้ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ธรรมดา
เทคโนโลยี [7-9]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทำให้
กราฟีนใน SiGe ตั้งต้นอาจนำมาใช้โดยตรงในการประดิษฐ์
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้สำหรับความเร็วสูงอิเล็กทรอนิกส์และ optoelectronic
ใช้งานตามปกติไมโครอิเล็กทรอนิกส์
เทคโนโลยี [7-9]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บนพื้นผิวที่เกิด
graphene SiGe สามารถใช้โดยตรงเพื่อสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้และ optoelectronic

โปรแกรมประยุกต์บนพื้นฐานของเทคโนโลยีแบบไมโครอิเล็กทรอนิกส์
[ 7 – 9 ] อิเล็กทรอนิกส์ความเร็วสูง