affect the final morphology. When t

affect the final morphology. When the substrate temperature was
at 850 C, the Mg-doped ZnO layer enclosed Zn was partially
vaporized into Zn steam to form ZnO nanowires, as shown in
Fig. 2(b). With the further increase of the growth temperature to
900 and 1000 C, the inner Zn was vaporized very fast, leading to
the hemispheric shell and chain-like nanoparticles, as shown in
Fig. 2(f) and (g). Based on the above experimental observations,
we suggest that the possible growth mechanisms are described
as illustrated in Fig. 1(b).
Fig. 5 shows the absorption spectra at room temperature. The
absorption coefficient a and photon energy can be related by
applying the Tauc model, and the Davis and Mott model in the
absorbance region [15,16]: (ahm) = A(hm  Eg)n, where A is a constant
depending on the transition probability, hm is the photon
energy, Eg is the optical band gap and n is equal to 1/2 for direct
gap and 2 for an indirect gap. For ZnO material, the transition is
a directly allowed electronic transition [17], the variation of
absorption coefficient with photon energy will follow the above
relation with n = 1/2. The band gaps can be evaluated in the standard
manner from a plot of (ahm)2 as a function of the energy of the
incident radiation and extrapolating the linear part of the curve to
intercept the energy axis [18], and the band gap of pure ZnO
nanoparticles at 750 C is 3.22 eV, Mg-doped ZnO nanomaterials
deposited at 750, 850, 900 and 1000 C are 3.26, 3.28, 3.32 and
3.34 eV, respectively. Obviously, the band gaps of Zn1xMgxO
nanomaterials increase with the growth temperature. From the

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ส่งผลกระทบต่อลักษณะทางสัณฐานวิทยาสุดท้าย เมื่ออุณหภูมิพื้นผิวเป็น
ที่ 850? C, Mg เจือชั้นซิงค์ออกไซด์สังกะสีล้อมรอบบางส่วนได้รับการ
ระเหยเป็นไอสังกะสีในรูปแบบเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ดังแสดงใน
รูปที่ 2 (ข) ด้วยการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิต่อไปของการเจริญเติบโตไป
900 และ 1000? C, ภายใน Zn ได้ระเหยไปอย่างรวดเร็วมากที่นำไปสู่
​​เปลือกสมองซีกและอนุภาคนาโนห่วงโซ่เหมือนดังที่แสดงใน
รูป 2 (ฉ) และ (ช) ตามข้อสังเกตการทดลองดังกล่าวข้างต้น
เราขอแนะนำให้กลไกการเจริญเติบโตเป็นไปได้ที่จะมีคำอธิบาย
ดังแสดงในรูปที่ 1 (ข).
รูป 5 แสดงสเปกตรัมการดูดซึมที่อุณหภูมิห้อง
ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมและพลังงานโฟตอนสามารถที่เกี่ยวข้องโดย
ใช้รูปแบบการ Tauc และเดวิสและรูปแบบ Mott ใน
ภูมิภาคการดูดกลืนแสง [15,16] (AHM) = (hm เช่น?) n โดยที่เป็นค่าคงที่
ขึ้นอยู่กับ ที่น่าจะเปลี่ยนแปลง hm เป็นโฟตอน
พลังงานเช่นเป็นช่องว่างแถบแสงและ n เท่ากับ 1/2 โดยตรง
ช่องว่างและ 2 ช่องว่างทางอ้อม สำหรับวัสดุซิงค์ออกไซด์, การเปลี่ยนแปลงคือ
การเปลี่ยนแปลงที่ได้รับอนุญาตโดยตรงอิเล็กทรอนิกส์ [17], การเปลี่ยนแปลงของ
ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมด้วยพลังงานโฟตอนจะเป็นไปตามข้างต้น
ความสัมพันธ์กับ n = 1/2 ช่องว่างวงสามารถประเมินมาตรฐานใน
ลักษณะจากพล็อต (AHM) 2 เป็นหน้าที่ของการใช้พลังงานของ
รังสีและเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นคะเนส่วนหนึ่งของเส้นโค้งเส้นตรงในการ
สกัดกั้นแกนพลังงาน [18] และช่องว่างของวง ซิงค์ออกไซด์บริสุทธิ์
อนุภาคนาโนที่ 750 องศาเซลเซียสคือ 3.22 eV, Mg เจือวัสดุนาโนซิงค์ออกไซด์
ฝากที่ 750, 850, 900 และ 1,000 องศาเซลเซียสเป็น 3.26, 3.28, 3.32 และ
3.34 eV ตามลำดับ เห็นได้ชัดว่าช่องว่างของวง Zn1? xMgxO
วัสดุนาโนที่มีอุณหภูมิเพิ่มการเจริญเติบโต จาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีผลต่อรูปร่างสุดท้าย เมื่ออุณหภูมิแผ่นรองรับเป็น
ที่ 850  C มิลลิกรัมซิงค์ออกไซด์เจือชั้นล้อมสังกะสีบางส่วนระเหยเป็นไอสังกะสี
รูปแบบนาโนซิงค์ออกไซด์ ดังแสดงในรูปที่ 2
( B ) ด้วยการเพิ่มของอุณหภูมิการเจริญเติบโตต่อไป

900 และ 1000  C , สังกะสีภายในถูกระเหยอย่างรวดเร็วนำไปสู่
ขนาดเปลือกและโซ่เหมือนอนุภาค ดังแสดงในรูปที่ 2 ( F )
( g )ตามข้างบน ทดลอง สังเกต
เราแนะนำให้กลไกการเจริญเติบโตเป็นไปได้อธิบาย
ตามที่แสดงในรูปที่ 1 ( b )
รูปที่ 5 แสดงสเปกตรัมการดูดกลืนที่อุณหภูมิห้อง
มีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงและพลังงานโฟตอนสามารถที่เกี่ยวข้องโดย
ใช้ tauc โมเดล และ เดวิส และ มอตต์ รูปแบบในภูมิภาค 15,16 ค่า
[ ] : ( อัม ) = ( HM  EG ) n , ซึ่งเป็นค่าคงที่
ขึ้นอยู่กับการเปลี่ยนแปลงความน่าจะเป็น อืมเป็นโฟตอน
พลังงาน เช่น เป็นช่องว่างแถบเชิงแสงและ n มีค่าเท่ากับ 1 / 2
2 ตรงช่องว่างและช่องว่างในทางอ้อม สำหรับวัสดุซิงค์ออกไซด์ , การเปลี่ยนแปลงการอนุญาตอิเล็กทรอนิกส์โดยตรงการเปลี่ยนแปลง [ 17 ] , การเปลี่ยนแปลงของ
มีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงด้วยพลังงานโฟตอนจะติดตามความสัมพันธ์ข้างต้น
n = 1 / 2 ช่องว่างแถบสามารถประเมินในมาตรฐาน
ลักษณะจากแปลง ( อัม ) 2 เป็นฟังก์ชันของพลังงานของ
เหตุการณ์รังสีและการประมาณส่วนเส้นตรงของกราฟตัดแกนพลังงาน

[ 18 ] และช่องว่างแถบของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์บริสุทธิ์
750  C เป็น 3.22 EV mg ด้วยเช่นกัน nanomaterials
ฝากไว้ที่ 750 , 850 , 900 และ 1000  C เป็น 3.26 , 3.28 , 3.32 และ
3.34 eV ตามลำดับ เห็นได้ชัดว่าแถบช่องว่างของ zn1  xmgxo
nanomaterials เพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิการเจริญเติบโต จาก