Further photo resist coating and ma

Further photo resist coating and masking allows the poly silicon to be patterned and then the thin oxide is removed to expose areas into which n-type impurities are to be diffused to form the source and drain. Diffusion is achieved by heating the wafer to a high temperature and passing a gas containing the desired n-type impurity.
Note: The poly silicon with underlying thin oxide and the thick oxide acts as mask during diffusion the process is self aligning.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ภาพต่อต้านเคลือบ และช่วยให้กาวซิลิโคนโพลีให้เป็นลวดลายแล้ว ออกไซด์บางจะถูกเอาออกเพื่อแสดงพื้นที่ที่สิ่งสกปรกประเภท n ฟุ้งในรูปแบบแหล่งที่มา และระบาย การกระจายจะทำได้ โดยความร้อนเวเฟอร์มีอุณหภูมิสูง และผ่านก๊าซที่ประกอบด้วยไม่บริสุทธิ์ชนิด n ที่ต้องการหมายเหตุ: ซิลิโคนโพลี มีออกไซด์บาง ๆ ที่อยู่ภายใต้และออกไซด์หนาทำหน้าที่เป็นหน้ากากในระหว่างการกระจายกระบวนการตนเองจัด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปภาพเพิ่มเติมต่อต้านการเคลือบและกาวช่วยให้ซิลิกอนโพลีที่จะมีลวดลายแล้วออกไซด์บางจะถูกลบออกเผยให้เห็นพื้นที่เป็นที่ N-ประเภทสิ่งสกปรกจะถูกกระจายไปในรูปแบบแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำ การแพร่กระจายจะทำได้โดยการให้ความร้อนเวเฟอร์ที่อุณหภูมิสูงและผ่านก๊าซที่มีชนิดเอ็นสิ่งเจือปนที่ต้องการ.
หมายเหตุ: ซิลิกอนโพลีกับออกไซด์บางพื้นฐานและการกระทำออกไซด์หนาเป็นหน้ากากในระหว่างการแพร่กระจายกระบวนการนี้สอดคล้องตนเอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปเพิ่มเติมต่อต้านเคลือบกาวและโพลีซิลิคอนช่วยให้เป็นลวดลายแล้วออกไซด์บางจะถูกลบออกเพื่อแสดงพื้นที่ที่ทั่วไปสิ่งสกปรกที่จะกระจายไปยังแบบฟอร์มแหล่งที่มาและระบาย การแพร่กระจายได้โดยความร้อนแผ่นเวเฟอร์ให้อุณหภูมิสูงและผ่านก๊าซที่มีทั่วไปที่ต้องการบริสุทธิ์หมายเหตุ : โพลีซิลิคอนที่มีพื้นฐานบางออกไซด์และออกไซด์หนาทำหน้าที่เป็นหน้ากากในระหว่างการแพร่เป็นกระบวนการปรับแนวได้เอง