Diamond depositions were prepared t

Diamond depositions were prepared through microwave plasma
enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) technique using a
homemade cylindrical shape metal reactor. Growth conditions with
pressure and power of 10 mbar and 550 W, respectively, were used to
reach a temperature on the substrate holder of 500 °C. The precursor
gas mixture consists of hydrogen, methane and trimethylboron (TMB)
at flow rates of 100, 1 and 12 sccm, respectively

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Depositions เพชรที่เตรียมโดยใช้พลาสม่าไมโครเวฟโดยใช้เทคนิคการสะสม (MPCVD) ไอเคมีขั้นสูงการเครื่องปฏิกรณ์โลหะรูปทรงกระบอกโฮมเมด สภาพการเจริญเติบโตด้วยความดัน และพลังงานของ 10 mbar และ 550 W ตามลำดับ เคยใช้ถึงอุณหภูมิบนพื้นผิวที่ยึดของ 500 องศาเซลเซียส สารตั้งต้นแก๊สผสมที่ประกอบด้วยไฮโดรเจน มีเทน และ trimethylboron (ทหารไทย)ที่อัตราการไหลของ sccm 100, 1 และ 12 ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

depositions
เพชรได้จัดทำผ่านการพลาสม่าไมโครเวฟไอสารเคมีสะสมที่เพิ่มขึ้น(MPCVD)
เทคนิคการใช้รูปทรงกระบอกโลหะเครื่องปฏิกรณ์แบบโฮมเมด สภาวะการเจริญเติบโตที่มีความดันและพลังของ 10 และเอ็มบาร์ 550 วัตต์ตามลำดับถูกนำมาใช้ถึงอุณหภูมิบนพื้นผิวถือ500 ° C ผู้นำก๊าซผสมประกอบด้วยไฮโดรเจนมีเทนและ trimethylboron (TMB) ที่อัตราการไหล 100, 1 และ 12 SCCM ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Depositions เพชรเตรียมผ่านไมโครเวฟพลาสมา
ปรับปรุง chemical vapor deposition ( mpcvd ) เทคนิคที่ใช้
พาสทรงกระบอกร่างโลหะของเครื่องปฏิกรณ์ การเจริญเติบโตเงื่อนไขกับ
ความดันและพลังของ 10 mbar และ 550 W ตามลำดับใช้

ถึงอุณหภูมิบนพื้นผิวที่วาง 500 องศา สารตั้งต้น
แก๊สผสมที่ประกอบด้วยไฮโดรเจน , มีเทน และ trimethylboron ( TMB )
ที่อัตราการไหล 100 , 1 และ 12 sccm ตามลำดับ