In the experiment, we used (100) or

In the experiment, we used (100) oriented ptype single crystalline silicon wafers with a thickness of 625 ± 25 μm and a resistivity of 12–18 Ω cm for lifetime and FTIR measurements.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการทดลอง เราใช้รับซิลิคอนผลึกเดี่ยวแนว ptype (100) กับความหนาของ μm ± 25 625 และความต้านทานของ 12 – 18 ซม.Ωสำหรับอายุการใช้งานและการวัด FTIR

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการทดลองเราใช้ (100) ที่มุ่งเน้น ptype ซิลิคอนเวเฟอร์ผลึกเดี่ยวที่มีความหนา 625 ± 25 ไมโครเมตรและความต้านทาน 12-18 Ωซม. สำหรับอายุการใช้งานและการวัด FTIR เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการทดลองที่เราใช้ ( 100 ) ที่มุ่งเน้น ptype ชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ที่มีความหนาของชั้น± 25 μเมตรและค่าความต้านทานจำเพาะของ 12 – 18 Ωซม. สำหรับอายุการใช้งานและการวัด FTIR .