Figure 11(a) and 11(b): Variation o

Figure 11(a) and 11(b): Variation of threshold voltage with time (with andwithout considering the effect of diffusion) at pH=7 and 10 respectively.
In the figure 11(a) and figure 11(b), when the surface site densities are considered, in other words when factor ‘f ‘is considered very less change in observed in the value of the threshold voltage even when ISFET is taken to be immersed for longer duration of time. This due to the fact that very small number of hydrogen ion remains after reacting with compatible sites for diffusion into the oxide layer at high value of pH such as : pH 7 and pH 10. Thus, bringing smaller changes in the threshold voltage at pH7 and almost negligible at pH 10.
Conclusion In this work, a mathematical model is proposed to explain drift in pH sensitive ISFET using SiO2 as sensing layer. Here, drift is considered to be a physical modification in the silicon dioxide layer due to the diffusion of hydrogen ion. Hydrogen ion is a fast diffuser, and with the passage of time it penetrates deeper into the oxide layer. The factor (f), multiplied with the surface charge concentration, indicates about that the hydrogen ions which has remained after reacting with the compatible sites manages to penetrate into the oxide layer. These diffused hydrogen ions change the concentration of the oxide charges, resulting in possible drift in the value of the threshold voltage. The change in threshold voltageis higher for pH 4 than that in pH 7 and pH10. The effect in drain current is significant for pH 4 and much less in pH 7 and 10.
References
[1] Bergveld,P.Development of an Ion-Sensitive Solid-State Device for Neurophysiological Measurements, IEEE Transactions on Biomedical Engineering,17, No-1,70-71,1970. [2] Bergveld,P. Development, Operation, and Application of the Ion-sensitive Field-Effect Transistor as a Tool for Electrophysiology, IEEE Transactions on Biomedical Engineering, 19, No-5,342-351,1972. [3] Yates,D. E.,Levine,S.&Healy,T.W.Site binding Model of the Electrical Double Layer at the Oxide/Water Interface, Journal of Chemical society , Faraday Transaction 170, 1807-1818,1974. [4] Martinoia,S., Massobrio,G.&Lorenzelli, L.Modelling ISFET microsensor and ISFET-based microsystems: a review, Sensors and Actuators B,105,14– 27,2005. [5] Bergveld,P. Thirty years of ISFETOLOGY –What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years, Sensors and ActuatorsB,88 ,1-20,2003.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 11(a) และ 11(b): ความผันแปรของขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้ากับเวลา (andwithout) พิจารณาผลกระทบของการแพร่ที่ pH = 7 และ 10 ตามลำดับ ในรูป 11(a) และ 11(b) รูป เมื่อถือว่าความหนาแน่นของพื้นผิวไซต์ ในคำอื่น ๆ เมื่อปัจจัย ' f ' ถือเป็นการเปลี่ยนแปลงน้อยมากในสังเกตค่าแรงดันขีดจำกัดแม้ว่าจะนำ ISFET ไปก้มหน้าก้มตาสำหรับระยะเวลานานของเวลา นี้เนื่องจากความจริงที่ว่าจำนวนน้อยมากของไฮโดรเจนไอออนที่ยังคงอยู่หลังจากทำปฏิกิริยาเข้ากันได้กับ เว็บไซต์การกระจายในชั้นออกไซด์ที่สูงค่าของ pH เช่น: pH 7 และ pH 10 ดังนั้น นำการเปลี่ยนแปลงขนาดเล็กในดันเกณฑ์ pH7 และน้อยมากที่ pH 10 ข้อสรุปในงานนี้ มีเสนอแบบจำลองทางคณิตศาสตร์เพื่ออธิบายดริฟท์ในค่า pH สำคัญ ISFET ใช้ SiO2 เป็นชั้นจับ ที่นี่ ดริฟท์จะถือว่าเป็นการเปลี่ยนแปลงทางกายภาพในชั้นซิลิคอนไดออกไซด์เนื่องจากการแพร่ของไอออนไฮโดรเจน ไฮโดรเจนไอออนเป็นกระจายแสงได้อย่างรวดเร็ว และ ด้วยกาลเวลา มันซึมลึกเข้าชั้นออกไซด์ ตัวคูณ (f), คูณ ด้วยพื้นผิวค่าความเข้มข้น บ่งชี้เกี่ยวกับการที่ไฮโดรเจนไอออนที่ได้หลังจากทำปฏิกิริยากับไซต์เข้ากันได้จัดการเจาะเข้าไปในชั้นออกไซด์ เหล่านี้ไอออนไฮโดรเจนช่วยเปลี่ยนแปลงความเข้มข้นของออกไซด์ ดริฟท์ได้ค่าแรงดันขีดจำกัดของผล การเปลี่ยนแปลงในเกณฑ์ voltageis สูงสำหรับค่า pH 4 กว่าที่ pH 7 และ pH10 ผลในปัจจุบันท่อระบายน้ำเป็นสำคัญสำหรับค่า pH 4 และน้อยมากในค่า pH 7 และ 10 อ้างอิง [1] Bergveld,P.Development ของอุปกรณ์โซลิดสเตทไอออนไวต่อการวัดปรากฏ ธุรกรรม IEEE ในวิศวกรรมชีวการแพทย์ 17, 71-ไม่มี-1,70, 1970 [2] Bergveld, P. พัฒนา ดำเนินการ และการประยุกต์ใช้ทรานซิสเตอร์ไวต่อไอออนฟิลด์–ผลเป็นเครื่องมือสำหรับ Electrophysiology ธุรกรรม IEEE ในวิศวกรรมชีวการแพทย์ 19 ไม่มี-5,342-351, 1972 [3] เยตส์ D. E., Levine, S. & Healy,T.W.Site ผูกรุ่นไฟฟ้าสองชั้นที่รอยต่อน้ำออกไซด์ วารสารของสมาคมเคมี ฟาราเดย์ธุรกรรม 170, 1807-1818, 1974 [4] Martinoia, S., Massobrio, G. และ Lorenzelli, microsensor L.Modelling ISFET และ microsystems ISFET คะแนน: รีวิว เซนเซอร์และ Actuators B, 105, 14 – 27,2005 [5] Bergveld, P. สามสิบปีของ ISFETOLOGY – สิ่งที่เกิดขึ้นในอดีต 30 ปีและสิ่งที่อาจเกิดขึ้นใน 30 ปี เซ็นเซอร์ถัดไปและ ActuatorsB, 88, 1-20, 2003

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 11 (ก) และ 11 (ข). การเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ที่มีเวลา (กับ andwithout พิจารณาผลกระทบของการแพร่กระจาย) ที่ pH = 7 และ 10 ตามลำดับ
ในรูปที่ 11 (ก) และรูปที่ 11 (ข) เมื่อ ความหนาแน่นของพื้นผิวที่ไซต์ได้รับการพิจารณาในคำอื่น ๆ เมื่อปัจจัย 'F' คือการพิจารณาการเปลี่ยนแปลงน้อยมากในการปฏิบัติในค่าของแรงดันเกณฑ์แม้เมื่อ ISFET จะนำไปแช่สำหรับระยะเวลานานของเวลา นี้เนื่องจากความจริงที่ว่าจำนวนน้อยมากของไฮโดรเจนไอออนยังคงอยู่หลังจากทำปฏิกิริยากับเว็บไซต์ที่รองรับสำหรับการแพร่กระจายเข้าไปในชั้นออกไซด์ที่มีมูลค่าสูงของค่า pH เช่นค่า pH 7 และค่า pH 10. ดังนั้นการนำการเปลี่ยนแปลงที่มีขนาดเล็กในเกณฑ์แรงดันไฟฟ้าที่ pH7 และ เล็กน้อยเกือบที่ pH 10.
ข้อสรุปในงานนี้แบบจำลองทางคณิตศาสตร์มีการเสนอที่จะอธิบายดริฟท์ในค่า pH ISFET มีความละเอียดอ่อนใช้เป็น SiO2 ชั้นการตรวจจับ ที่นี่ดริฟท์จะถือเป็นการเปลี่ยนแปลงทางกายภาพในชั้นซิลิกอนไดออกไซด์เกิดจากการแพร่กระจายของไฮโดรเจนไอออน ไฮโดรเจนไอออนเป็นกระจายอย่างรวดเร็วและด้วยเนื้อเรื่องของเวลาที่มันแทรกซึมลึกลงไปในชั้นออกไซด์ ปัจจัย (ฉ) คูณค่าใช้จ่ายที่มีความเข้มข้นพื้นผิวที่บ่งชี้เกี่ยวกับว่าไฮโดรเจนไอออนซึ่งยังคงอยู่หลังจากที่ทำปฏิกิริยากับเว็บไซต์ที่เข้ากันได้พอที่จะเจาะเข้าไปในชั้นออกไซด์ เหล่านี้กระจายไฮโดรเจนไอออนเปลี่ยนความเข้มข้นของค่าใช้จ่ายออกไซด์เป็นผลในการดริฟท์ที่เป็นไปได้ในค่าของแรงดันไฟฟ้าธรณีประตู การเปลี่ยนแปลงในเกณฑ์ที่สูงขึ้นสำหรับ voltageis ค่า pH 4 กว่าในค่า pH 7 และ PH10 ผลกระทบในท่อระบายน้ำในปัจจุบันมีความสำคัญสำหรับค่า pH 4 และมากน้อยในค่า pH 7 และ 10
อ้างอิง
[1] Bergveld, P.Development ของ Ion-Sensitive solid-state อุปกรณ์สำหรับวัด Neurophysiological, ธุรกรรมอีอีอีวิศวกรรมชีวการแพทย์, 17, ไม่มี -1,70-71,1970 [2] Bergveld, P การพัฒนากิจการและการประยุกต์ใช้ไอออนที่ไวต่อสนามผลทรานซิสเตอร์เป็นเครื่องมือสำหรับการ Electrophysiology, ธุรกรรมอีอีอีวิศวกรรมชีวการแพทย์, 19, No-5,342-351,1972 [3] เยตส์ DE, Levine, S. & ฮีลี, TWSite ผูกพันรุ่นของชั้นดับเบิลไฟฟ้าออกไซด์ / การเชื่อมต่อทางน้ำ, วารสารสมาคมเคมีเดย์ทำธุรกรรม 170, 1807-1818,1974 [4] Martinoia, S, Massobrio, G & Lorenzelli, L.Modelling ISFET microsensor และ Microsystems ISFET ตาม:.. รีวิวเซนเซอร์และ Actuators B, 105,14- 27,2005 [5] Bergveld, P สามสิบปี ISFETOLOGY อะไรที่เกิดขึ้นในอดีตที่ผ่านมา 30 ปีและสิ่งที่อาจจะเกิดขึ้นในช่วง 30 ปีข้างหน้าและเซนเซอร์ ActuatorsB, 88, 1-20,2003