Bi-Te films with the composition of

Bi-Te films with the composition of around 61% Te and the thickness of 300 nm were deposited onto Sio2-coated Si substrates by using bismuth and tellurium targets in a radio frequency (RF) magnetron sputtering system

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Bi-Te ฟิล์ม มีส่วนประกอบของรอบ 61% ติและความหนาของ 300 nm ได้ฝากลงบนพื้นผิวสีเคลือบ Sio2 โดยเป้าหมายเทลลูเรียมและบิสมัทใน magnetron คลื่นความถี่วิทยุ (RF) ที่พ่นระบบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หนัง Bi-Te กับองค์ประกอบประมาณ 61% Te และความหนา 300 นาโนเมตรวางลงบน SiO2 เคลือบพื้นผิวศรีโดยใช้เป้าหมายบิสมัทและเทลลูเรียมในความถี่วิทยุ (RF) ระบบสปัตเตอร์แมก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บีทีฟิล์มที่มีส่วนประกอบของประมาณ 61% Te และความหนา 300 nm มีฝากบนพื้นผิวพ่นเคลือบโดยใช้ Si เทลลูเรียมและบิสมัทเป้าหมายในความถี่วิทยุ ( RF ) แมกนีตรอนสปัตเตอร์ระบบ