In this paper, the ac behaviour of

In this paper, the ac behaviour of crystalline silicon (c-Si) solar
cells fabricated in an industrial environment is studied using impedance
spectroscopy. The n+-p-p+ structure based cells have a p-n
junction (n+-p) and Al back surface field (BSF, with p-p+ structure)
at the rear side along with an antireflection layer on the front
besides front and back metal contacts. Impedance spectra are measured
at forward bias (Vb) condition (in dark) and at different illumination
(Pin) levels (at zero electrical bias). The noticeable
observation is the ‘‘negative capacitance” in the impedance data
in low frequency regime. To explain this, separate passive element
having inductive nature is added to the conventional equivalent
circuit having Voigt elements consisting of resistance and capacitance
(in parallel). The origin of low frequency inductance behaviour
is discussed in terms of ‘‘negative capacitance”.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในกระดาษนี้ พฤติกรรม ac ของผลึกซิลิคอน (ซี c) พลังงานแสงอาทิตย์ศึกษาเซลล์ประดิษฐ์ในสภาพแวดล้อมของอุตสาหกรรมโดยใช้ความต้านทานสเปกโทรสโก N + -p-p + คะแนนโครงสร้างเซลล์มี p-nชุมทาง (n + -p) และอัลฟิลด์กลับผิว (BSF กับ p-p + โครงสร้าง)ที่ด้านหลังพร้อมกับมีชั้นสะท้อนด้านหน้านอกจากหน้า และโลหะกลับติดต่อ วัดความต้านทานของสเปกตรัมความโน้มเอียงไปข้างหน้า (Vb) เงื่อนไข (ในที่มืด) และความสว่างแตกต่างกันระดับ (pin) ที่ศูนย์อคติไฟฟ้า) ที่เห็นได้ชัดการสังเกตเป็นการ ''ลบความจุ"ในข้อมูลความต้านทานในระบอบการปกครองความถี่ต่ำ อธิบาย แยกองค์ประกอบแฝงมีลักษณะเหนี่ยวนำถูกเพิ่มเทียบเท่าเดิมวงจรที่มีองค์ประกอบของ Voigt ประกอบด้วยความต้านทานและความจุ(แบบขนาน) มาของพฤติกรรมการเหนี่ยวนำความถี่ต่ำกล่าวถึงในแง่ของ ''ลบความจุ"

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้พฤติกรรม AC ของผลึกซิลิกอน (C-Si) พลังงานแสงอาทิตย์
เซลล์ประดิษฐ์ในสภาพแวดล้อมของอุตสาหกรรมคือการศึกษาโดยใช้ความต้านทาน
สเปกโทรสโก เซลล์ + n-p-P โครงสร้าง + based มี PN
ชุม (N + -p) และอัลกลับข้อมูลพื้นผิว (BSF กับ P-P + โครงสร้าง)
ที่ด้านหลังพร้อมกับชั้นสะท้อนบนหน้า
นอกเหนือจากด้านหน้าและด้านหลังสัมผัสโลหะ . สเปกตรัมความต้านทานวัด
ที่ไปข้างหน้าอคติ (Vb) เงื่อนไข (ในที่มืด) และไฟส่องสว่างที่แตกต่างกัน
(PIN) ระดับ (ที่ศูนย์อคติไฟฟ้า) เห็นได้ชัด
สังเกตคือ '' ความจุเชิงลบ "ในข้อมูลความต้านทาน
ในระบอบการปกครองที่มีความถี่ต่ำ ที่จะอธิบายนี้เรื่อย ๆ องค์ประกอบที่แยกต่างหาก
ที่มีธรรมชาติอุปนัยจะถูกเพิ่มในเทียบเท่าธรรมดา
วงจรมีองค์ประกอบยต์ที่ประกอบด้วยความต้านทานและความจุ
(ในแบบคู่ขนาน) ที่มาของพฤติกรรมความถี่เหนี่ยวนำต่ำ
จะกล่าวถึงในแง่ของ '' ความจุเชิงลบ "

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้ พฤติกรรม AC ของผลึกซิลิคอน ( c-si ) พลังงานแสงอาทิตย์เซลล์ประดิษฐ์ในสภาพแวดล้อมอุตสาหกรรมโดยใช้อิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปี N + - + ตามโครงสร้าง p-p เซลล์มี p-nชุมทาง ( n + - P ) และด้านผิว Al กลับ ( BSF ด้วยโครงสร้าง p-p + )ที่ด้านหลังพร้อมกับชั้น antireflection ในส่วนหน้านอกจากรายชื่อโลหะด้านหน้าและด้านหลัง วัดค่าสเปกตรัมที่ส่งต่ออคติ ( VB ) เงื่อนไข ( ในที่มืด ) และในรัศมีต่าง ๆ( พิน ) ระดับ ( ที่ศูนย์ ( อคติ ) ที่เห็นได้ชัดการสังเกตเป็น " "negative ความจุ " ในข้อมูลอิมพีแดนซ์ระบบความถี่ต่ำ อธิบายองค์ประกอบแยกเรื่อยๆมีลักษณะการเพิ่มเทียบเท่าทั่วไปวงจรที่มีองค์ประกอบของความต้านทานและความจุไฟฟ้าประกอบด้วยวอยก์ต( แบบขนาน ) ที่มาของพฤติกรรมความเหนี่ยวนำความถี่ต่ำถูกกล่าวถึงในแง่ของ " "negative ความจุ "