A top executive from Samsung told T

A top executive from Samsung told The Korea Herald that “3-D NAND flash memory stacking 36 layers of memory cells will be mass produced by the latter half of next year.”

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผู้บริหารสูงสุดจากซัมซุงเฮรัลด์ของเกาหลีที่บอกว่า "3 มิติ NAND แฟลชหน่วยความจำซ้อนชั้น 36 ของเซลล์หน่วยความจำจะถูกผลิตโดยรวม โดยครึ่งหลังของปีถัดไป"

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผู้บริหารระดับสูงจากซัมซุงบอกเฮรัลด์เกาหลีว่า "หน่วยความจำแฟลช NAND 3 มิติซ้อน 36 ชั้นของเซลล์หน่วยความจำจะถูกมวลที่ผลิตโดยครึ่งหลังของปีถัดไป."

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผู้บริหารสูงสุดจากซัมซุงบอกเกาหลี Herald " 3-D และหน่วยความจำแฟลชซ้อน 36 ชั้นของเซลล์หน่วยความจำจะถูกมวลผลิตโดยครึ่งหลังของปีถัดไป .