Based on a prediction of the perfor

Based on a prediction of the performance characteristics of future CMOS compatible optical devices, a comprehensive comparison between electrical and optical on-chip interconnect is presented for different technology nodes. Critical lengths beyond which optical interconnect becomes advantageous are developed for the delay, PDP, and bandwidth density/delay. These lengths are well below the chip die size dimension with technology scaling.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามการคาดการณ์ลักษณะประสิทธิภาพของ CMOS ในอนาคตอุปกรณ์ออปติคอเข้ากันได้ การเปรียบเทียบครอบคลุมระหว่างไฟฟ้า และแสงบนชิป interconnect นำเสนอสำหรับโหนเทคโนโลยีแตกต่างกัน ความยาวสำคัญที่เป็นประโยชน์ซึ่ง interconnect แสงถูกพัฒนาสำหรับเลื่อน ร่วมประชุม PDP และแบนด์วิดธ์ความหนาแน่น/ล่าช้า ความยาวเหล่านี้ดีด้านล่างขนาดขนาดตายชิด้วยเทคโนโลยีปรับได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขึ้นอยู่กับการคาดการณ์ของลักษณะการทำงานในอนาคตอุปกรณ์แสง CMOS รองรับการเปรียบเทียบที่ครอบคลุมระหว่างไฟฟ้​​าและแสงเชื่อมต่อระหว่างกันบนชิปจะนำเสนอสำหรับโหนดเทคโนโลยีที่แตกต่าง ความยาวที่สำคัญเกินกว่าที่เชื่อมต่อระหว่างกันแสงกลายเป็นข้อได้เปรียบที่ได้รับการพัฒนาสำหรับความล่าช้า, พีดีพีและความหนาแน่นของแบนด์วิดธ์ / ล่าช้า เหล่านี้มีความยาวต่ำกว่าชิปมิติขนาดตายด้วยการปรับเทคโนโลยี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามคำทำนายของลักษณะการดำเนินงานของ CMOS ในอนาคตที่รองรับอุปกรณ์แสง , การเปรียบเทียบระหว่างแสงได้อย่างครอบคลุมบนไฟฟ้าและนำเสนอเทคโนโลยีสำหรับโหนดที่แตกต่างกัน มีความยาวเกินกว่าที่แสงจะกลายเป็นประโยชน์คอมพิวเตอร์ถูกพัฒนาขึ้นเพื่อความล่าช้า , PDP และแบนด์วิดธ์ความหนาแน่น / ล่าช้าความยาวเหล่านี้เป็นอย่างดีด้านล่าง ชิปตาย ขนาดมิติกับการปรับเทคโนโลยี