2. Experimental detailsA commercial

2. Experimental details
A commercial indium-tin-oxide (ITO) film sputtered on the glass
substrate was used as the gate electrode with the thickness of
200 nm and resistivity of ~0.014 Ω-cm. The ITO/glass substrate was
cut with the size of ~2 cm× 2 cm for device fabrication. After cleaning,
a 200 nm-thick tetraethylorthosilicate silicon dioxide (TEOS-SiO2)
layer was deposited as gate dielectric by a plasma-enhanced chemical
vapor deposition (PECVD) at 350 °C. Sputtered aluminum-doped ZnO
(AZO), Ti, and Pt films were sequentially deposited at room temperature
and patterned by lift-off process. The Pt (50 nm)/Ti (100 nm)
films structure the electrodes of source/drain with the deposition parameters:
DC process powers of 40 W/100 W, and deposition rates of
~0.1 Å/s/0.5 Å/s, correspondingly, under a fixed pressure of ~8 mTorr.
The intermediate Ti film plays as an adhesion layer between Pt and
AZO films. The AZO film was sputtered with an AZO ceramic target,
RF process power of 150 W, deposition rate of ~0.5 Å/s, and controlled pressure of ~4 mTorr. The function of AZO film is a seed
layer for ZnO nucleation and growth during hydrothermal method
[13]. Some of the samples were dipped in 0.001 M H3PO4 to undercut
the AZO seed layer, and the others were not. Then, each sample
was immersed in the mixed hydrothermal solution to grow the lateral
ZnO film. The growth solution was prepared by mixing with 0.25 M
zinc nitrate hexahydrate (Zn(NO3)2·6H2O) with 0.25 M hexamethylenetetramine
(HMTA) in deionized water at 85 °C. Subsequently,
the samples were thoroughly rinsed with deionized water in order
to eliminate the residual salts and dried in air at room temperature.
As the reported investigation [14], the crystallinity of hydrothermal
ZnO nanostructures can be evidently enhanced after 400 °C-oxygen
ambient annealing. Therefore, all of the samples were annealed at
400 °C in oxygen ambience for 1 h. Some technologies of material
analysis were applied to characterize the physical properties of hydrothermal
ZnO films. The surface morphologies were observed by a
field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM, Hitachi S-
4700I). The surface roughness of films was inspected by an atomic
force microscope (AFM, Digital Instruments Nano-Scope III). The crystal
structure of prepared devices was examined by X-ray diffraction
(XRD) with a diffractometer (M18XHF, MAC Science) with the incident
radiation of Cu Kα (i.e. λ= 0.154 nm). The optical emission
properties were analyzed by photoluminescence (PL) spectra with
He-Cd laser (i.e. λ= 325 nm) excitation. After ZnO TFT fabrication,
an automatic measurement system that combines IBM PC/AT, semiconductor
parameter analyzer (4156C, Agilent Technologies) and a
probe station were used to measure the I–V characteristics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. รายละเอียดทดลองภาพยนตร์ (ITO) อินเดียม-ทินออกไซด์เชิงพาณิชย์ sputtered บนกระจกพื้นผิวใช้เป็นอิเล็กโทรดประตู มีความหนาของ200 nm และความต้านทาน ~0.014 Ωซม. มีพื้นผิวแก้ว ITOตัดขนาดของ ~ 2 ซม. × 2 ซม.สำหรับผลิตอุปกรณ์ หลังทำความสะอาด200 nm-หนา tetraethylorthosilicate ซิลิกอนไดออกไซด์ (TEOS SiO2)ชั้นฝากเป็นประตูเป็นฉนวน โดยเป็นสารเคมีที่เพิ่มพลาไอสะสม (PECVD) ที่อุณหภูมิ 350 องศาเซลเซียส ZnO ที่เจืออลูมิเนียม sputtered(AZO), Ti และภาพยนตร์ Pt ถูกฝากไว้ที่อุณหภูมิห้องตามลำดับและลวดลาย โดยการยกลากจูง Pt (50 nm) /Ti (100 นาโนเมตร)ภาพยนตร์โครงสร้างอิเล็กโทรดของแหล่งที่มา/ท่อระบายน้ำกับพารามิเตอร์สะสม:อำนาจกระบวนการ DC 40 W/100 W และอัตราการสะสมของ~0.1 å/s/0.5 Å / s ตามลำดับ ภายใต้ความดันคงที่ของ mTorr ~ 8ฟิล์ม Ti กลางเล่นชั้นการยึดเกาะระหว่าง Pt และAZO ภาพยนตร์ ฟิล์ม AZO ถูก sputtered กับเป้าหมายเซรามิก AZOกระบวนการพลังงาน RF 150 W อัตราการสะสมของ ~0.5 Å/s และควบคุมความดันของ 4 mTorr การทำงานของฟิล์ม AZO เป็นเมล็ดชั้นสำหรับ ZnO nucleation และเติบโตในระหว่างวิธี hydrothermal[13] . บางอย่างถูกจุ่มลงใน 0.001 M H3PO4 ขัดแข้งขัดขาชั้น AZO เมล็ด และคนอื่น ๆ ได้ไม่ แล้ว แต่ละอย่างมีอยู่ในโซลูชัน hydrothermal ผสมเติบโตข้างในฟิล์ม ZnO วิธีการแก้ไขปัญหาในการเจริญเติบโตถูกเตรียม โดยผสมกับ 0.25 เมตรhexahydrate สังกะสีไนเตรท (Zn(NO3)2·6H2O) กับ hexamethylenetetramine 0.25 เมตร(HMTA) จุน้ำที่อุณหภูมิ 85 องศาเซลเซียส ต่อมาตัวอย่างที่ล้างน้ำจุสั่งอย่างละเอียดลดเหลือเกลือและอบแห้งในอากาศที่อุณหภูมิห้องเป็นการรายงานสอบสวน [14], ผลึกของ hydrothermalZnO nanostructures สามารถเพิ่มอย่างเห็นได้ชัดหลังจาก 400 ° C ออกซิเจนอุณหภูมิหลอม ดังนั้น ทุกอย่างถูกอบที่400 ° C ในบรรยากาศออกซิเจนสำหรับ 1 h บางเทคโนโลยีวัสดุใช้วิเคราะห์กับลักษณะคุณสมบัติทางกายภาพของ hydrothermalZnO ภาพยนตร์ Morphologies ผิวข้อสังเกตโดยการปล่อยฟิลด์แกนอิเล็กตรอน (FE SEM, S ฮิตาชิ-4700I) การตรวจสอบพื้นผิวขรุขระของภาพยนตร์ โดยมีอะตอมบังคับกล้องจุลทรรศน์ (ด้าน ดิจิตอลเครื่องมือขอบเขตนาโน III) คริสตัลโครงสร้างของอุปกรณ์พร้อมได้รับการตรวจ โดยเอ็กซเรย์เลี้ยว(XRD) กับ diffractometer (M18XHF, MAC วิทยาศาสตร์) กับเหตุการณ์ของ Cu Kα (เช่นλ = 0.154 nm) ปล่อยแสงคุณสมบัติถูกวิเคราะห์ โดย photoluminescence (PL) สเป็คด้วยเขาซีดีเลเซอร์ (เช่นλ = 325 nm) กระตุ้นการ หลังจากการประดิษฐ์ ZnO TFTระบบการวัดอัตโนมัติที่พีซีของ IBM / สารกึ่งตัวนำวิเคราะห์พารามิเตอร์ (4156C, Agilent เทคโนโลยี) และสถานีรบที่ใช้วัดลักษณะ – V

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. การทดลองรายละเอียด
พาณิชย์อินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO) ฟิล์มพ่นบนกระจก
พื้นผิวถูกใช้เป็นอิเล็กโทรดประตูที่มีความหนาของ
200 นาโนเมตรและความต้านทานของ ~ 0.014 Ωซม สารตั้งต้น ITO / แก้วถูก
ตัดด้วยขนาดของ ~ 2 ซม. × 2 ​​ซม. สำหรับการผลิตอุปกรณ์ หลังจากทำความสะอาด
200 นาโนเมตรหนา tetraethylorthosilicate ซิลิคอนไดออกไซด์ (TEOS-SiO2)
ชั้นถูกวางเป็นประตูอิเล็กทริกโดยพลาสม่าเพิ่มสารเคมี
สะสมไอ (PECVD) ที่ 350 ° C พ่นอลูมิเนียมเจือซิงค์ออกไซด์
(AZO) ภาพยนตร์ Ti และ Pt มีเงินตามลำดับที่อุณหภูมิห้อง
และลวดลายโดยกระบวนการยกออก พอยต์ (50 นาโนเมตร) / Ti (100 นาโนเมตร)
โครงสร้างภาพยนตร์ขั้วไฟฟ้าของแหล่งที่มา / ท่อระบายน้ำที่มีพารามิเตอร์สะสม:
อำนาจกระบวนการ DC ของ 40 วัตต์ / 100 วัตต์และอัตราการสะสมของ
~ 0.1 A / S / 0.5 A / S, ตามลําดับภายใต้ความดันคงที่ของ ~ 8 mTorr.
ช่วงกลางของภาพยนตร์ Ti เล่นเป็นชั้นยึดเกาะระหว่าง Pt และ
AZO ภาพยนตร์ ภาพยนตร์เรื่องนี้ได้รับการพ่น AZO กับเป้าหมายเซรามิก AZO,
RF พลังงานกระบวนการของ 150 W อัตราการสะสมของ ~ 0.5 A / S และควบคุมความดันของ ~ 4 mTorr ฟังก์ชั่นของภาพยนตร์ AZO เป็นเมล็ดพันธุ์
ชั้นสำหรับ ZnO นิวเคลียสและการเจริญเติบโตในช่วงวิธี hydrothermal
[13] บางส่วนของตัวอย่างที่ถูกจุ่มลงใน 0.001 M H3PO4 จะทำลาย
ชั้นเมล็ด AZO และคนอื่น ๆ ที่ไม่ได้ จากนั้นแต่ละตัวอย่าง
ถูกแช่ในสารละลายผสมร้อนที่จะเติบโตด้านข้าง
ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ การแก้ปัญหาการเจริญเติบโตถูกจัดทำขึ้นโดยการผสมกับ 0.25 M
สังกะสีไนเตรต hexahydrate (Zn (NO3) 2 · 6H2O) 0.25 M hexamethylenetetramine
(HMTA) ในน้ำปราศจากไอออนที่ 85 ° C ต่อจากนั้น
กลุ่มตัวอย่างได้รับการล้างให้สะอาดด้วยน้ำปราศจากไอออนเพื่อ
ที่จะกำจัดเกลือที่เหลือและแห้งในอากาศที่อุณหภูมิห้อง.
ในฐานะที่เป็นสืบสวนรายงาน [14], ผลึกของ hydrothermal
โครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์สามารถเพิ่มอย่างเห็นได้ชัดหลังจากที่ 400 ° C ออกซิเจน
โดยรอบ การหลอม ดังนั้นตัวอย่างทั้งหมดที่ถูกอบที่
400 องศาเซลเซียสในบรรยากาศที่มีออกซิเจนเป็นเวลา 1 ชั่วโมง เทคโนโลยีบางส่วนของวัสดุที่
วิเคราะห์ได้ถูกนำไปใช้กับลักษณะคุณสมบัติทางกายภาพของ hydrothermal
ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ รูปร่างลักษณะพื้นผิวที่ถูกตั้งข้อสังเกตโดย
ใช้กล้องจุลทรรศน์ฟิลด์ปล่อยอิเล็กตรอนสแกน (FE-SEM ฮิตาชิ S-
4700I) พื้นผิวที่ขรุขระของภาพยนตร์ได้รับการตรวจสอบโดยอะตอม
กล้องจุลทรรศน์แรง (AFM ดิจิตอลเครื่องดนตรีนาโนขอบเขต III) คริสตัล
โครงสร้างของอุปกรณ์ที่เตรียมได้รับการตรวจสอบโดย X-ray การเลี้ยวเบน
(XRD) กับ diffractometer (M18XHF, MAC วิทยาศาสตร์) กับเหตุการณ์ที่เกิดขึ้น
รังสีของ Cu Kα (เช่นλ = 0.154 นาโนเมตร) การปล่อยแสง
คุณสมบัตินำมาวิเคราะห์โดย photoluminescence (PL) สเปกตรัมด้วย
เลเซอร์เขา-CD (เช่นλ = 325 นาโนเมตร) กระตุ้น หลังจากที่การผลิตซิงค์ออกไซด์ TFT,
ระบบวัดอัตโนมัติที่รวม IBM PC / AT, เซมิคอนดักเตอร์
วิเคราะห์พารามิเตอร์ (4156C, Agilent Technologies) และ
สอบสวนสถานีถูกนำมาใช้ในการวัดลักษณะ I-V