The photo resist layer is then expo

The photo resist layer is then exposed to ultraviolet light through masking which defines those regions into which diffusion is to take place together with transistor channels. Assume, for example , that those areas exposed to uv radiations are polymerized (hardened), but that the areas required for diffusion are shielded by the mask and remain unaffected.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้นที่ต่อต้านภาพได้รับแสงอัลตราไวโอเลตผ่านกำบังซึ่งกำหนดภูมิภาคเหล่านั้นที่แพร่จะทำงานร่วมกับทรานซิสเตอร์ช่องแล้ว สมมติ เช่น ว่า พื้นที่ดังกล่าวสัมผัสกับรังสียูวีมี polymerized (ชุบแข็ง), แต่ว่าพื้นที่ที่จำเป็นสำหรับการกระจายป้องกัน ด้วยหน้ากาก และยังคงได้รับผลกระทบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปภาพต่อต้านชั้นสัมผัสแล้วกับแสงอัลตราไวโอเลตผ่านกำบังซึ่งได้กำหนดพื้นที่เหล่านั้นเป็นที่แพร่คือการใช้สถานที่ร่วมกับช่องทรานซิสเตอร์ สมมติเช่นว่าพื้นที่เหล่านั้นสัมผัสกับรังสียูวี polymerized (แข็ง) แต่ที่พื้นที่ที่จำเป็นสำหรับการแพร่กระจายมีการป้องกันโดยหน้ากากและยังคงได้รับผลกระทบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพต่อต้านชั้นแล้วสัมผัสกับแสงอัลตราไวโอเลตผ่านกาวซึ่งกำหนดพื้นที่เหล่านั้นในที่การแพร่กระจาย คือ จะใช้สถานที่ร่วมกับช่องทางทรานซิสเตอร์ สมมติเช่น พื้นที่เหล่านั้นสัมผัสกับรังสี UV เป็นโพลิเมอร์ ( แข็ง ) แต่ที่พื้นที่ที่จำเป็นสำหรับการแพร่กระจายเป็นเกราะป้องกันโดยหน้ากากและปลอดภัย