The transistor has now been electri

The transistor has now been electrically isolated and its three regions have been formed. To
be useful, it must be connected. Once again, the
wafer is oxidized and photolithography is used
to open up windows as shown in Figure 13-10
on page 392. These expose the connection
points for the emitter, base, and the collector.
Aluminum is evaporated and then deposited
onto the surface of the wafer to make contact
through the windows. Photolithography is used
to pattern the metal layer. Etching removes the
unwanted aluminum and Fig. 13-10(c) and (d)
shows what remains. Complex ICs can have
two or even three separate aluminum layers
separated by dielectric layers.While the transistors are being formed,
diodes are also being formed. Figure 13-11 on
page 392 shows a P-N junction diode in an IC.
Notice that it looks a lot like the transistor of
Fig. 13-9. The collector-base junction is used as
a diode, so no emitter diffusion is needed.Figure 13-12 shows how a capacitor might
be formed. The N type region acts as one plate,
an aluminum layer as the other, and silicon
dioxide serves as the insulator. Another approach is to use a reverse-biased P-N junction
as a capacitor. Both methods are used.
Figure 13-13 illustrates resistor formation.
Different values of resistance are realized by
controlling the size of the N channel and the
level of doping. Once again, heavy doping produces less resistance.
An MOS transistor is shown in Figure 13-14.
Notice the insulating (SiO2) layer between the
gate and the channel. MOS transistors take up less space than BJTs and are often preferred for
that reason.
IC components have certain limitations
when compared with discrete components:
• Resistor accuracy is limited. However,
resistors in hybrid ICs can be laser
trimmed to overcome this.
• Very low and very high resistor values
are not practical.
• Inductors are usually not practical.
• Only small values of capacitance are
practical.
• PNP transistors tend to not perform as
well as discrete types.• High voltage components are not practical.
• Power dissipation is usually limited to
modest levels.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทรานซิสเตอร์ตอนนี้ได้แยกไฟฟ้า และมีการเกิดขึ้นของภูมิภาคที่สาม ถึงมีประโยชน์ มันต้องต่อ อีกครั้ง การแผ่นเวเฟอร์จะออกซิไดซ์ และใช้ photolithographyเมื่อต้องการเปิดหน้าต่างดังแสดงในรูปที่ 13-10บนหน้า 392 เหล่านี้แสดงการเชื่อมต่อคะแนนสำหรับตัวส่งตัว ฐาน และตัวเก็บรวบรวมอลูมิเนียมจะหายไปแล้ว ฝากบนพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์เพื่อให้ผู้ติดต่อผ่านหน้าต่าง ใช้ photolithographyรูปแบบชั้นโลหะ เอาการแกะสลักการอลูมิเนียมที่ไม่พึงประสงค์ และ Fig. 13-10(c) และ (d)แสดงส่วนที่เหลือ ICs ที่ซับซ้อนได้ชั้นอลูมิเนียมที่แยกต่างหากสอง หรือสามได้คั่น ด้วยชั้นที่เป็นฉนวนในขณะที่เกิด transistorsไดโอดได้จะยังเกิด รูป 13-11 บนหน้า 392 แสดงเป็นไดโอดเชื่อมต่อ P-N ในตัว ICสังเกตว่า มันเหมือนมากทรานซิสเตอร์ของFig. 13-9 ใช้ฐานรวบรวมแยกเป็นเป็นไดโอด จึงจำเป็นต้องใช้การแพร่ตัวส่งไม่รูป 13-12 แสดงว่าตัวเก็บประจุอาจจะเกิดขึ้น ภูมิภาคชนิด N ทำหน้าที่เป็นจานหนึ่งมีชั้นอลูมิเนียมเป็นอื่น ๆ และซิลิคอนไดออกไซด์ทำหน้าที่เป็นฉนวนกันความร้อนที่ อีกวิธีคือการ ใช้ P-N junction ลำเอียงกลับเป็นตัวเก็บประจุ ทั้งสองวิธีจะใช้รูปที่ 13-13 แสดงการก่อตัวต้านทานค่าความต้านทานแตกต่างกันได้รับรู้การควบคุมขนาดของช่อง N และระดับของโดปปิงค์ โดปปิงค์หนักครั้ง สร้างความต้านทานน้อยMOS ทรานซิสเตอร์จะแสดงในรูปที่ 13-14สังเกตชั้นฉนวน (SiO2) ระหว่างการประตูและช่อง ใช้เนื้อที่น้อยกว่า BJTs MOS transistors และมักต้องการสำหรับเหตุผลที่ส่วนประกอบ IC มีข้อจำกัดบางอย่างเมื่อเปรียบเทียบกับส่วนประกอบที่ไม่ต่อเนื่อง:•ความถูกต้องของตัวต้านทานคือจำกัด อย่างไรก็ตามresistors ในไฮบริ ICs สามารถเลเซอร์ตัดเฉือนนี้•ค่าตัวต้านทานที่ต่ำมาก และสูงมากไม่ปฏิบัติ•ประเทศไม่มักปฏิบัติ•ขนาดเล็กเพียงค่าของความปฏิบัติการ• PNP transistors มักจะ ทำไม่เป็นดีเป็นชนิดแยกกัน•แรงดันสูงส่วนประกอบจะไม่สามารถปฏิบัติ•กระจายอำนาจมักจำกัดอยู่ที่ระดับการเจียมเนื้อเจียมตัว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทรานซิสเตอร์ได้ถูกแยกด้วยไฟฟ้าและสามภูมิภาคได้ถูกขึ้น

เป็นประโยชน์ มันต้องเชื่อมต่อ อีกครั้ง
เวเฟอร์เป็นออกซิไดซ์และ 43 ใช้
เพื่อเปิดหน้าต่างที่แสดงในรูป 13-10
หน้า 392 . เหล่านี้เปิดเผยการเชื่อมต่อ
จุดที่อิมิตเตอร์ พื้นฐาน และการสะสม คือ อลูมิเนียม แห้งแล้ว

ฝากลงบนพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ไปติดต่อ
ผ่าน Windows 43 ใช้
รูปแบบชั้นโลหะ กัดเอา
อลูมิเนียมที่ไม่พึงประสงค์และมะเดื่อ 13-10 ( c ) และ ( d )
แสดงสิ่งที่ยังคงอยู่ ICS ที่ซับซ้อนได้
สองหรือสามแยกอลูมิเนียมชั้น
คั่นด้วยฉนวนชั้น ในขณะที่ทรานซิสเตอร์กําลังขึ้น
ไดโอดยังถูกสร้างขึ้น รูป 13-11 บน
หน้า 392 แสดงไดโอดรอยต่อพีเอ็นที่เป็นสารกึ่งตัวนำใน IC .
สังเกตเห็นว่ามันเหมือนทรานซิสเตอร์ของ
รูปที่ 13-9 . นักสะสมฐานแยกเป็นใช้เป็น
ไดโอดจึงไม่มีตัวส่งสัญญาณการแพร่กระจาย คือ ต้องการ รูป 13-12 แสดงให้เห็นว่าตัวเก็บประจุอาจ
ถูกสร้างขึ้น N ประเภทเขตทำหน้าที่เป็นจานเดียว
อลูมิเนียมชั้นเป็น อื่น ๆ , และซิลิคอนไดออกไซด์
หน้าที่เป็นฉนวนอีกวิธีหนึ่งคือการใช้ลําเอียงกลับ p-n ชุมทาง
เป็นตัวเก็บประจุ ทั้งสองวิธีมีการใช้รูปแสดงให้เห็นถึงการ 13-13 .
. .
ค่าที่แตกต่างกันของความต้านทานเป็นตระหนักโดยการควบคุมขนาดของ n

ช่องและระดับของโด๊ป อีกครั้งการสร้างความต้านทานที่หนักน้อยกว่า
เป็นทรานซิสเตอร์มอส แสดงในรูปที่ 13-14 .
สังเกตฉนวน ( SiO2 ) ชั้นระหว่าง
ประตูและช่อง มอสใช้พื้นที่น้อยกว่า และมัก bjts ที่ต้องการ

เหตุผลนั้น ชิ้นส่วน IC มีข้อจำกัดบางประการ
เมื่อเทียบกับส่วนประกอบต่อเนื่อง :
- ตัวต้านทานความแม่นยำจำกัด อย่างไรก็ตาม ตัวต้านทานในไอซีไฮบริดสามารถ

ตัดเลเซอร์ ที่จะเอาชนะนี้ .
- ตัวต้านทานค่าต่ำมาก และสูงมาก

- ไม่ปฏิบัติ inductors มักไม่ปฏิบัติ .
- ค่าความจุไฟฟ้าที่มีขนาดเล็กเท่านั้น

- ทรานซิสเตอร์ PNP จริง มักจะไม่ดำเนินการตามที่
เป็นชนิดไม่ต่อเนื่อง แรงดันสูง บริการคอมโพเนนต์ไม่ปฏิบัติ .
-
สลายพลังมักจะ จำกัด ในระดับพอประมาณ