Making 3D NAND Flash – Animated Vid

Making 3D NAND Flash – Animated Video
Published May 22, 2014 | By JimHandy
The good people at Coventor have graciously allowed me to post their video of the Pipe-Shaped BiCS 3D NAND flash process onto The Memory Guy blog site. Click the image to see it play out.
Coventor tells me that they are the leading supplier of 3D modeling and simulation software for MEMS, virtual fabrication of MEMS, and semiconductors, providing software and expertise to help customers predict the structures and behavior of their designs before they commit to actual fabrication. This video attests to the company’s strengths in that area.
As it stands today, the video is a very simple 2-minute animation with no sound, running through all the steps of the 3D BiCS process without any explanation. At some future point I hope to add annotation and pauses at reasonable times so that it makes more sense to those who don’t have the process memorized. Even without this finessing, it’s a pretty compelling video to watch, and it underscores the sheer complexity of this new process.
Those who haven’t already found and read my series on 3D NAND might want to look at that before trying to comprehend the video. In that series I go into some detail of the process for both Toshiba’s BiCS (in this video) and Samsung’s TCAT or V-NAND 3D NAND processes.
The video was given to me by Sandy Wen and David Fried of Coventor who tell me that it is based on a couple of key technical papers:
• Fukuzumi et al, “Optimal Integration and Characteristics of Vertical Array Devices for Ultra-High Density, Bit-Cost Scalable Flash Memory”, IEDM 2007
• Katsumata et al, “Pipe-shaped BiCS flash memory with 16 stacked layers and multi-level-cell operation for ultra high density storage devices”, VLSIT 2009



 Please consider the environment before printing this e-mail

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทำ 3D NAND Flash – วิดีโอเคลื่อนไหว
ประกาศ 22 may, 2014 | โดย JimHandy
คนดีที่ Coventor ได้ปรมิอนุญาตให้ฉันลงวิดีโอของพวกเขาการ Pipe-Shaped BiCS 3D NAND แฟลชบนเว็บไซต์บล็อกจำคน คลิกที่รูปเพื่อดูมันเล่นออก
Coventor บอกฉันว่า พวกเขาเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำแบบจำลอง 3 มิติและจำลองซอฟต์แวร์สำหรับ MEMS ประดิษฐ์เสมือนของ MEMS และ อิเล็กทรอนิกส์ ซอฟต์แวร์และเชี่ยวชาญในการช่วยลูกค้าในการทำนายโครงสร้างและลักษณะของการออกแบบของพวกเขาก่อนที่พวกเขากระทำการผลิตจริง วิดีโอนี้ attests ไปจุดแข็งของบริษัทในพื้นที่ที่
วันนี้ยืน วิดีโอเป็นภาพเคลื่อนไหว 2 นาทีง่ายมาก ด้วยไม่มีเสียง ทำงานผ่านทุกขั้นตอนของกระบวนการ BiCS 3D ไม่มีคำอธิบายใด ๆ ในบางจุดในอนาคต ฉันหวังว่าจะเพิ่มคำอธิบายและหยุดชั่วคราวในเวลาที่เหมาะสมเพื่อให้มันทำให้รู้สึกมากขึ้นกับผู้ที่ต้องการภาพ แม้ไม่ มีนี้ finessing มันเป็นวิดีโอสวยน่าดู และมัน underscores เลี่ยงความซับซ้อนของกระบวนการใหม่นี้
ผู้ที่ยังไม่ได้พบ และอ่านชุดของฉันบน 3D NAND อาจต้องดูว่าก่อนที่จะพยายามเข้าใจวิดีโอ ที่ชุดฉันไปในบางรายละเอียดของกระบวนการทั้ง Toshiba BiCS (ในวิดีโอนี้) และประมวลผล TCAT หรือ V NAND NAND 3D ของซัมซุง
วิดีโอให้ฉัน โดย Wen แซนดี้และดาวิดทอดของ Coventor ที่บอกว่า มันขึ้นอยู่กับคู่ของเอกสารทางเทคนิคที่สำคัญ:
• Fukuzumi et al "รวมเหมาะสมและลักษณะของอาร์เรย์แนวตั้งอุปกรณ์สำหรับความหนาแน่นสูง ต้นทุนบิตหน่วยความจำแฟลชปรับสเกล" IEDM 2007
• Katsumata et al "รูปท่อ BiCS แฟลชกับ 16 ซ้อนชั้นและการทำงาน multi-ระดับเซลล์สำหรับอุปกรณ์เก็บข้อมูลความหนาแน่นสูงเป็นพิเศษ" VLSIT 2009



โปรดพิจารณาสภาพแวดล้อมก่อนที่จะพิมพ์อีเมลที่นี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทำ 3D NAND Flash - การเคลื่อนไหววิดีโอ
เผยแพร่ 22 พฤษภาคม 2014 | ตาม JimHandy
คนดีที่ได้รับอนุญาตให้ Coventor เกล้าฯให้ผมโพสต์วิดีโอของพวกเขาของกระบวนการแฟลชท่อรูป Bics 3D NAND ลงบนบล็อกของหน่วยความจำ Guy คลิกเพื่อดูภาพที่จะเห็นมันเล่นออก
Coventor บอกฉันว่าพวกเขาเป็นผู้จัดจำหน่ายชั้นนำของการสร้างแบบจำลองและการจำลอง 3D ซอฟต์แวร์เพื่อ MEMS, การผลิตเสมือนจริงของเมมส์และเซมิคอนดักเตอร์ให้ซอฟต์แวร์และความเชี่ยวชาญในการช่วยให้ลูกค้าทำนายโครงสร้างและการทำงานของการออกแบบของพวกเขา ก่อนที่จะกระทำเพื่อการผลิตที่เกิดขึ้นจริง วิดีโอนี้จะเป็นเครื่องพิสูจน์ความแข็งแกร่งของ บริษัท ในพื้นที่ที่
มันยืนวันนี้วิดีโอเป็นภาพเคลื่อนไหว 2 นาทีง่ายมากกับเสียงวิ่งผ่านทุกขั้นตอนของกระบวนการ 3D Bics โดยไม่มีคำอธิบายใด ๆ ในบางจุดในอนาคตผมหวังว่าจะเพิ่มคำอธิบายประกอบและหยุดในเวลาที่เหมาะสมเพื่อที่จะทำให้รู้สึกมากขึ้นเพื่อผู้ที่ไม่ได้มีกระบวนการจดจำ แม้จะไม่มี finessing นี้เป็นวิดีโอที่น่าสนใจสวยไปชมและขีดความซับซ้อนที่แท้จริงของกระบวนการใหม่นี้
บรรดาผู้ที่ยังไม่ได้พบและอ่านแล้วชุดของฉันเกี่ยวกับ 3D NAND อาจต้องการที่จะดูว่าก่อนที่จะพยายามที่จะเข้าใจวิดีโอ . ในซีรีส์ที่ผมไปลงในรายละเอียดของกระบวนการในการ Bics ทั้งโตชิบาบางคน (ในวิดีโอนี้) และ TCAT ของซัมซุงหรือ V-NAND 3D NAND กระบวนการ
วิดีโอที่ถูกมอบให้กับฉันโดยแซนดี้เหวินและเดวิดทอดของ Coventor ที่บอกฉันว่ามัน จะขึ้นอยู่กับคู่ของเอกสารทางเทคนิคที่สำคัญ:
• Fukuzumi ตอัล "ที่ดีที่สุดบูรณาการและลักษณะของแนวตั้งอุปกรณ์ตกแต่งเพื่อความหนาแน่นสูงพิเศษบิตต้นทุนปรับขนาดหน่วยความจำแฟลช" IEDM 2007
• Katsumata et al, "Bics ท่อรูป หน่วยความจำแฟลชกับชั้นซ้อนกัน 16 และการดำเนินงานหลายระดับเซลล์สำหรับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นสูงอัลตร้า "VLSIT 2009 โปรดพิจารณาสภาพแวดล้อมก่อนที่จะพิมพ์อีเมลนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การทำ 3D และภาพเคลื่อนไหวแฟลชและวิดีโอ
ที่ 22 พฤษภาคม 2014 | โดย jimhandy
คนดีที่ coventor ได้พระราชทานอนุญาตให้ฉันโพสต์วิดีโอของพวกเขาของท่อรูปบิกส์ 3D แฟลชหน่วยความจำและกระบวนการบนผู้ชายบล็อกไซต์ คลิกที่ภาพเพื่อดู มันเล่นออก .
coventor บอกฉันว่าพวกเขาเป็นผู้ผลิตชั้นนำของ 3D โมเดลลิ่ง และซอฟต์แวร์การจำลองเสมือนของจุลภาค MEMS , ผลิต ,และเซมิคอนดักเตอร์ให้ซอฟต์แวร์และความเชี่ยวชาญที่จะช่วยให้ลูกค้าทำนายโครงสร้างและพฤติกรรมของการออกแบบของพวกเขาก่อนที่พวกเขายอมรับ จริง ผลิต วิดีโอนี้ได้ยืนยันถึงจุดแข็งของบริษัทในพื้นที่ที่ .
มันยืนวันนี้ , วิดีโอเป็นภาพเคลื่อนไหว 2-minute ง่ายมากกับไม่มีเสียง วิ่งผ่านทุกขั้นตอนของกระบวนการ 3D บิกส์โดยไม่มีคำอธิบายใด ๆที่จุดในอนาคตฉันหวังว่าจะเพิ่มบันทึกย่อและการหยุดในเวลาที่เหมาะสมเพื่อให้มันทำให้รู้สึกมากขึ้นกับผู้ที่ไม่ได้มีกระบวนการจำ แม้ไม่มี finessing นี้ , มันเป็นวิดีโอที่น่าสนใจมากที่จะดู และตอกย้ำถึงความซับซ้อนที่แท้จริงของกระบวนการใหม่นี้
.ผู้ที่ยังไม่ได้พบ และอ่านเรื่อง 3D และอาจต้องการที่จะดูที่ก่อนพยายามที่จะเข้าใจวิดีโอ ในชุดผมเข้าไปในรายละเอียดบางส่วนของกระบวนการทั้งโตชิบาบิกส์ ( ในวิดีโอนี้ ) และ ซัมซุง tcat หรือ v-nand กระบวนการ 3D
แล้ว .วิดีโอที่ฉันได้รับมาจากทรายเหวินและเดวิดทอดของ coventor ที่บอกฉันว่ามันขึ้นอยู่กับคู่ของเอกสารทางเทคนิคหลัก :
- ฟุกุซูมิ et al , " การบูรณาการที่เหมาะสม และลักษณะของอุปกรณ์อาร์เรย์แนวตั้งสำหรับความหนาแน่นสูงเป็นพิเศษ ดูต้นทุนอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช " iedm 2007
- คัทสึมาตะ et al ," ท่อรูปบิกส์แฟลช เมมโมรี่ 16 เรียงซ้อนกันเป็นชั้นๆและหลายระดับเซลล์ปฏิบัติการพิเศษความหนาแน่นสูงอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล " , vlsit 2009



โปรดพิจารณาสิ่งแวดล้อมก่อนพิมพ์อีเมลล์ฉบับนี้