Abstract Recently magnesium silicid

Abstract Recently magnesium silicide (Mg2Si) has
received great interest from thermoelectric (TE) society
because of its non-toxicity, environmental friendliness,
comparatively high abundance, and low production material
cost as compared to other TE systems. It also exhibited
promising transport properties, including high electrical
conductivity and low thermal conductivity, which
improved the overall TE performance (ZT). In this work,
Mg2Si powder was obtained through high energy ball
milling under inert atmosphere, starting from commercial
magnesium silicide pieces (99.99 %, Alfa Aesar). To
maintain fine microstructure of the powder, spark plasma
sintering (SPS) process has been used for consolidation.
The Mg2Si powder was filled in a graphite die to perform
SPS and the influence of process parameters as temperature,
heating rate, holding time and applied pressure on the
microstructure, and densification of compacts were studied
in detail. The aim of this study is to optimize SPS consolidation
parameters for Mg2Si powder to achieve high
density of compacts while maintaining the nanostructure.
X-Ray diffraction (XRD) was utilized to investigate the
crystalline phase of compacted samples and scanning and
transmission electron microscopy (SEM & TEM) coupled
with Energy-Dispersive X-ray Analysis (EDX) was used to
evaluate the detailed microstructural and chemical composition,
respectively. All sintered samples showed compaction
density up to 98 %. Temperature dependent TE
characteristics of SPS compacted Mg2Si as thermal conductivity,
electrical resistivity, and Seebeck coefficient
were measured over the temperature range of RT 600 C
for samples processed at 750 C, reaching a final ZT of
0.14 at 600 C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Abstract Recently magnesium silicide (Mg2Si) hasreceived great interest from thermoelectric (TE) societybecause of its non-toxicity, environmental friendliness,comparatively high abundance, and low production materialcost as compared to other TE systems. It also exhibitedpromising transport properties, including high electricalconductivity and low thermal conductivity, whichimproved the overall TE performance (ZT). In this work,Mg2Si powder was obtained through high energy ballmilling under inert atmosphere, starting from commercialmagnesium silicide pieces (99.99 %, Alfa Aesar). Tomaintain fine microstructure of the powder, spark plasmasintering (SPS) process has been used for consolidation.The Mg2Si powder was filled in a graphite die to performSPS and the influence of process parameters as temperature,heating rate, holding time and applied pressure on themicrostructure, and densification of compacts were studiedin detail. The aim of this study is to optimize SPS consolidationparameters for Mg2Si powder to achieve highdensity of compacts while maintaining the nanostructure.X-Ray diffraction (XRD) was utilized to investigate thecrystalline phase of compacted samples and scanning andtransmission electron microscopy (SEM & TEM) coupledwith Energy-Dispersive X-ray Analysis (EDX) was used toevaluate the detailed microstructural and chemical composition,respectively. All sintered samples showed compactionความหนาแน่นถึง 98% ติขึ้นอยู่กับอุณหภูมิลักษณะของ SPS กระชับ Mg2Si เป็นการนำความร้อนความต้านทานไฟฟ้า และสัมประสิทธิ์ Seebeckมีวัดมากกว่าอุณหภูมิช่วงของ RT 600 Cตัวอย่างการประมวลผลที่ 750 C ถึง ZT ขั้นสุดท้ายของ0.14 ที่ 600 เซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อแมกนีเซียมซิลิไซด์เมื่อเร็ว ๆ นี้ (Mg2Si)
ได้รับความสนใจอย่างมากจากเทอร์โม(TE)
สังคมเพราะความเป็นพิษที่ไม่ใช่ของตนเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม,
ความอุดมสมบูรณ์ค่อนข้างสูงและการผลิตวัสดุที่ต่ำค่าใช้จ่ายเมื่อเทียบกับระบบอื่น ๆ TE
นอกจากนี้ยังแสดงให้เห็นแนวโน้มที่คุณสมบัติการขนส่งรวมทั้งไฟฟ้าสูงการนำไฟฟ้าและการนำความร้อนต่ำซึ่งการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานโดยรวมTE (ZT) ในงานนี้ผง Mg2Si ที่ได้รับผ่านบอลพลังงานสูงกัดภายใต้บรรยากาศเฉื่อยเริ่มต้นจากการค้าแมกนีเซียมชิ้นซิลิไซด์ (99.99% Alfa Aesar) เพื่อรักษาจุลภาคที่ดีของผงพลาสม่าจุดประกายการเผา(SPS) กระบวนการถูกนำมาใช้สำหรับการรวม. ผง Mg2Si ได้รับการเติมเต็มในตายไฟท์ที่จะดำเนินการSPS และอิทธิพลของพารามิเตอร์กระบวนการอุณหภูมิที่อัตราความร้อนถือเวลาและใช้ความดันในจุลภาคและ densification ของชิ้นงานมีการศึกษาในรายละเอียด จุดมุ่งหมายของการศึกษาครั้งนี้คือการเพิ่มประสิทธิภาพ SPS การรวมพารามิเตอร์ผงMg2Si เพื่อให้บรรลุสูงความหนาแน่นของชิ้นงานในขณะที่รักษาโครงสร้างระดับนาโนได้. เลี้ยวเบน X-Ray (XRD) ถูกนำมาใช้เพื่อตรวจสอบผลึกของตัวอย่างบดอัดและการสแกนและการส่งผ่านกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน(SEM และ TEM) ควบคู่ไปกับการกระจายพลังงานX-ray วิเคราะห์ (EDX) ถูกใช้ในการประเมินองค์ประกอบจุลภาคและเคมีรายละเอียดตามลำดับ ตัวอย่างเผาทั้งหมดแสดงให้เห็นว่าการบดอัดความหนาแน่นได้ถึง 98% อุณหภูมิ TE ขึ้นอยู่กับลักษณะของSPS อัด Mg2Si เป็นการนำความร้อน, ความต้านทานไฟฟ้าและค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck วัดในช่วงอุณหภูมิ RT 600 องศาเซลเซียสสำหรับตัวอย่างการประมวลผลที่750? C ถึงขั้นสุดท้ายของ ZT 0.14 ที่ 600 องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทคัดย่อแมกนีเซียมซิลิไซด์ ( เมื่อเร็วๆ นี้ mg2si )
ได้รับความสนใจมากจากเทอร์โม ( TE ) สังคม
เนื่องจากปลอดพิษ เป็นมิตรสิ่งแวดล้อม
ความอุดมสมบูรณ์เปรียบเทียบสูงและต่ำต้นทุนการผลิตวัสดุ
เมื่อเทียบกับระบบทีอื่น นอกจากนี้ยังจัดแสดง
สัญญาคุณสมบัติการขนส่ง รวมถึงการนำไฟฟ้า
สูงและค่าการนำความร้อนต่ำซึ่ง
การปรับปรุงประสิทธิภาพโดยรวมของ Te ( คูน ) ในงานนี้
mg2si ผงผ่านบอลพลังงานสูง
กัดภายใต้บรรยากาศเฉื่อย เริ่มจากการค้า
แมกนีเซียมซิลิไซด์ชิ้น ( 99.99% Alfa aesar )

รักษาโครงสร้างละเอียดของผง สปาร์กพลาสมาซิน
( SPS ) กระบวนการได้ถูกใช้สำหรับการรวม .
mg2si ผงบรรจุในแกรไฟต์ตายแสดง
SP และอิทธิพลของพารามิเตอร์เช่นอุณหภูมิ ,
อัตราความร้อน ระยะเวลา และกดดัน
โครงสร้างจุลภาค และทำให้ความหนาแน่นของชิ้นงานตัวอย่าง
ในรายละเอียด การศึกษานี้มีวัตถุประสงค์เพื่อเพิ่ม SP รวม
พารามิเตอร์สำหรับ mg2si ผงเพื่อให้บรรลุความหนาแน่นของชิ้นงานในขณะที่การรักษาโครงสร้างนาโน
.
เครื่อง X-ray diffraction ( XRD ) มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษา
ผลึก ( อัดตัวอย่างและการสแกนและ
ส่งกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน ( SEM & TEM ) ควบคู่กับการวิเคราะห์รังสีเอ็กซ์พลังงานกระจายตัว

( การวัด ) ใช้ประเมินรายละเอียดโครงสร้างจุลภาคและองค์ประกอบทางเคมี
ตามลำดับ ทุกตัวอย่างพบการเผาของ
ถึง 98% ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ Te
ลักษณะของ mg2si เป็น SP อัดความร้อนการนำความร้อน
ความต้านทานไฟฟ้าและวัดค่า
ที่วัดตลอดช่วงอุณหภูมิของ RT 600  C
ตัวอย่างการประมวลผลที่ 750  C ถึง ZT สุดท้าย
0.14 ที่ 600  C