4. Conclusions This study investiga

4. Conclusions

This study investigated the effects of post-annealing on the thermoelectric properties of Bi-Te films. We annealed co-sput red Bi-Te films at different temperatures (100, 150 and 200 oC) under N2 ambient for 8 h, and characterized the crystallinity and morphology of the Bi-Te films using SEM and XRD. The microstruc ture characterization disclosed that the post-annealing treatment drastically changed the microstructure of the films by instigating the development of a strong c axis oriented texture. The measure ment of electrical transport and thermoelectric properties reveal their close link with the microstructure changes. The electron mobility and Seebeck coefficient increase significantly, leading to a strong improvement in power factor from 3.3 uwlK2 cm for the as-deposited sample to 24.1 HWIK2 cm for the 200 oC-annealed sample.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. บทสรุป การศึกษานี้ตรวจสอบผลกระทบของการอบเหนียวหลังสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของฟิล์ม Bi-Te เรา annealed co-sput ฟิล์ม Bi เต้สีแดงที่อุณหภูมิแตกต่างกัน (100, 150 และ 200 องศาเซลเซียส) ภายใต้ N2 แวดล้อมสำหรับ 8 h และลักษณะ crystallinity และสัณฐานวิทยาของ Bi-Te ภาพยนตร์ XRD และ SEM จำแนก ture microstruc เปิดเผยว่า การรักษาหลังหลอมอย่างรวดเร็วเปลี่ยนแปลงต่อโครงสร้างจุลภาคของภาพยนตร์ โดย instigating เนื้อแกน c แข็งแรงเน้นการพัฒนา ติดขัดวัดไฟฟ้าขนส่งและคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์เปิดเผยเชื่อมโยงการปิด ด้วยการเปลี่ยนแปลงต่อโครงสร้างจุลภาค อิเล็กตรอนเคลื่อนและสัมประสิทธิ์ Seebeck เพิ่มมาก นำไปสู่การพัฒนาแข็งแกร่งในตัวประกอบกำลังไฟฟ้าจาก 3.3 ซม uwlK2 สำหรับตัวอย่างฝากเป็น 24.1 HWIK2 ซม.สำหรับตัวอย่าง 200 annealed องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4. สรุปผลการศึกษานี้เป็นการศึกษาผลกระทบของการหลอมโพสต์ต่อสมบัติเทอร์โมของภาพยนตร์Bi-Te เราอบร่วม sput สีแดงหนัง Bi-Te ที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน (100, 150 และ 200 องศาเซลเซียส) ภายใต้ N2 โดยรอบเป็นเวลา 8 ชั่วโมงและลักษณะผลึกและสัณฐานวิทยาของภาพยนตร์ Bi-Te ใช้ SEM และ XRD ลักษณะ ture microstruc เปิดเผยว่าการรักษาหลังการเปลี่ยนแปลงอย่างเห็นได้ชัดหลอมจุลภาคของภาพยนตร์โดย instigating การพัฒนาของแกนคเนื้อแข็งแกร่งที่มุ่งเน้น ment ตัวชี้วัดของการขนส่งไฟฟ้าและเทอร์โมเปิดเผยคุณสมบัติการเชื่อมโยงอย่างใกล้ชิดกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างจุลภาค การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนและการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck ที่นำไปสู่การพัฒนาที่แข็งแกร่งในปัจจัยอำนาจจาก 3.3 uwlK2 ซม. สำหรับตัวอย่างตามที่ฝาก 24.1 HWIK2 ซม. สำหรับกลุ่มตัวอย่าง 200 องศาเซลเซียสอบ-

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 .

สรุปงานวิจัยนี้ศึกษาผลของการอบอ่อน โพสต์ต่อสมบัติเทอร์โมของบีไปยังภาพยนตร์ เราอบ Co sput บีสีแดงทีฟิล์มที่อุณหภูมิแตกต่างกัน ( 100 , 150 และ 200 องศาเซลเซียส ) ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน 8 H , และลักษณะของผลึกและสัณฐานวิทยาของบีเทภาพยนตร์โดยใช้ SEM และ XRD .การ microstruc ture ลักษณะเปิดเผยว่าหลังการอบการเปลี่ยนแปลงอย่างมาก โครงสร้างของฟิล์มยุยงการพัฒนาแข็งแรง C แกนเชิงพื้นผิว มาตรการการจัดการและคุณสมบัติเทอร์โมไฟฟ้าใกล้เคียงกับการเชื่อมโยงการขนส่งเปิดเผยโครงสร้างการเปลี่ยนแปลง อิเล็กตรอนและเพิ่มความคล่องตัว วัดค่าอย่างมากนำไปสู่การปรับปรุงที่แข็งแกร่งในด้านพลังงาน จาก 3.3 uwlk2 ซม. สำหรับเป็นฝากตัวอย่าง hwik2 24.1 เซนติเมตร 200 องศาเซลเซียสอบตัวอย่าง