Figure 1(b) shows the resistors are

Figure 1(b) shows the resistors are electrically connected in a Wheatstone bridge layout. When
pressure is applied to the silicon membrane of a pressure sensor, it deflects in the downward direction,
causing a change in the resistance values of the four piezoresistors. This in turn induces a change in the
output voltage of the Wheatstone bridge. The environment pressure can be derived using the output
voltage change of the pressure sensor. The current study considers the package of a p-type silicon
pressure sensor deposited in an n-type epilayer with a specific thickness grown on a p-type silicon
substrate. The square silicon membrane of the piezoresistive pressure sensor has an area of 576 × 576
μm and a thickness of 20 μm. It is designed for an absolute pressure range of 0-690 × 103 Pa with TCO
of 0.2% span/°C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1(b) รูปแสดงตัวต้านทานที่มีการเชื่อมต่อระบบไฟฟ้าในเค้าโครงวีตสโตนบริดจ์ เมื่อเมมเบรนซิลิคอนของเซ็นเซอร์ความดันใช้ความดัน มัน deflects ในทิศลงก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานของ piezoresistors สี่ นี้จะก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในการแรงดันขาออกของวีตสโตนบริดจ์ ความดันของสภาพแวดล้อมที่สามารถรับมาใช้ผลผลิตเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าของเซนเซอร์ความดัน การศึกษาปัจจุบันถือว่าแพคเกจที่ซิลิคอนชนิด pเซ็นเซอร์ความดันฝากในประเภท n epilayer ที่ มีความหนาเฉพาะที่ปลูกบนซิลิคอนชนิด pพื้นผิว ซิลิโคนสี่เหลี่ยมเมมเบรนของเซนเซอร์ความดัน piezoresistive มีพื้นที่ 576 × 576ไมครอนและหนา 20 ไมครอน การออกแบบที่มีช่วงความดันสัมบูรณ์ของ 0-690 × 103 Pa กับ TCO0.2% ช่วง/องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 1 (ข) แสดงให้เห็นตัวต้านทานมีการเชื่อมต่อระบบไฟฟ้าในรูปแบบสะพาน Wheatstone เมื่อ
ความดันถูกนำไปใช้เมมเบรนซิลิกอนของเซ็นเซอร์ความดันก็เบนไปในทิศทางที่ลดลง
ก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในค่าความต้านทานของสี่ piezoresistors นี้ในทางกลับก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงใน
แรงดันขาออกของสะพาน Wheatstone ความดันสภาพแวดล้อมที่สามารถจะได้มาโดยใช้การส่งออก
การเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าของเซ็นเซอร์ความดัน การศึกษาในปัจจุบันพิจารณาแพคเกจของซิลิกอน P-type
เซ็นเซอร์ความดันฝากใน N-ประเภท epilayer ที่มีความหนาโดยเฉพาะที่ปลูกในซิลิคอนชนิดพี
ตั้งต้น เมมเบรนซิลิคอนตารางของเซ็นเซอร์ความดัน piezoresistive มีพื้นที่ 576 × 576
ไมโครเมตรและความหนา 20 ไมครอน มันถูกออกแบบมาสำหรับช่วงความดันสัมบูรณ์ของ 0-690 × 103 Pa กับ TCO
ของช่วง 0.2% / ° C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 ( b ) แสดงตัวเป็นระบบไฟฟ้าเชื่อมต่อในวีทสโตนบริดจ์เค้าโครง เมื่อความดันที่ใช้กับซิลิกอนเมมเบรนของเซ็นเซอร์ จะเปลี่ยนแปลงในทิศทางลงก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานของสี่ piezoresistors . นี้จะก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในแรงดันของวีทสโตนบริดจ์ สภาพแวดล้อมความดันได้มาใช้ผลผลิตแรงดันเปลี่ยนแปลงของความดันเซ็นเซอร์ การศึกษาปัจจุบันพิจารณาแพคเกจของพี ซิลิคอนเซ็นเซอร์ความดันที่ฝากไว้ใน epilayer ทั่วไปที่มีความหนาเฉพาะพีโตบนซิลิคอนพื้นผิว ตารางชนิดของเซ็นเซอร์ความดัน Piezoresistive ซิลิคอนมีพื้นที่ 576 × 576μม. หนา 20 μเมตร มันถูกออกแบบมาสำหรับความดันสัมบูรณ์ช่วง 0-690 × 103 PA กับภา0.2% ช่วง / ° C