3.2. Half-active DRAMFigure 7 shows

3.2. Half-active DRAM
Figure 7 shows the logic views of various Half-DRAM designs.
By leveraging the column select line (CSL) gate shown
in Figure 7a, fine-grained activation can be easily enabled in
1RD-2HFF as the Even group is active while the Odd group is
idle, or vice versa. The MSB of column address is used to determine
which half of a bank should be activated. The posted-
CAS technique allows ACT and CAS commands to be issued
back-to-back, which can be leveraged in this work to know the
column address in advance. Once such fine-grained activation
is applied to commodity DRAM, only half of a DRAM chip

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.2 DRAM ครึ่งใช้งาน
รูปที่ 7 แสดงให้เห็นถึงมุมมองของตรรกะของการออกแบบที่แตกต่างกันครึ่ง DRAM
โดยใช้ประโยชน์จากคอลัมน์เลือกสาย (CSL) ประตูแสดงให้เห็น
ในรูปที่ 7a, ละเอียดยืนยันการใช้งานสามารถเปิดใช้งานได้ง่ายใน
1RD-2HFF เป็นแม้กลุ่มมีการใช้งาน ในขณะที่กลุ่ม Odd ที่
ไม่ได้ใช้งานหรือในทางกลับกัน MSB ของที่อยู่คอลัมน์ที่จะใช้ในการตรวจสอบ
ซึ่งครึ่งหนึ่งของธนาคารควรจะเปิดใช้งาน posted-
เทคนิค CAS ช่วยให้การกระทำและ CAS คำสั่งที่จะออก
กลับไปกลับซึ่งสามารถ leveraged ในงานนี้จะรู้
อยู่คอลัมน์ล่วงหน้า เมื่อยืนยันการใช้งานอย่างละเอียดดังกล่าว
ถูกนำไปใช้กับสินค้าโภคภัณฑ์ DRAM เพียงครึ่งหนึ่งของชิป DRAM

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.2 . ครึ่งใช้งานกัน
รูปที่ 7 แสดงให้เห็นตรรกะในมุมมองของการออกแบบชุดครึ่งต่างๆ
โดยใช้ประโยชน์จากคอลัมน์เลือกเส้น ( CSL ) ประตูแสดง
ในรูปงานอย่างละเอียด การกระตุ้นสามารถเปิดใช้งานใน
1rd-2hff เป็นแม้แต่กลุ่มอยู่ ในขณะที่กลุ่มที่แปลกคือ
ว่าง หรือในทางกลับกัน การ MSB ของคอลัมน์ที่อยู่ที่ใช้ในการตรวจสอบ
ซึ่งครึ่งหนึ่งของธนาคารควรจะเปิดใช้งาน โพสต์ -
เทคนิคช่วยให้กฎหมายและคำสั่ง CAS CAS จะออก
- กลับไปที่สามารถ leveraged ในงานนี้รู้
คอลัมน์ที่อยู่ในล่วงหน้า ถ้าเปิดใช้งานอย่างละเอียด
ใช้ DRAM สินค้าเพียงครึ่งหนึ่งของการชิป