On the Si-terminated (0001) basal p

On the Si-terminated (0001) basal plane, vacuum annealing leads to small graphene domains
typically 30100nm in diameter,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บนจบศรี (0001) โรคเครื่องบิน การอบเหนียวดูดลูกค้าเป้าหมายโดเมน graphene เล็กเส้นผ่านศูนย์กลาง โดยปกติ 30 100nm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในศรีสิ้นสุด (0001)
เครื่องบินฐานหลอมสูญญากาศจะนำไปสู่โดเมนกราฟีนที่มีขนาดเล็กมักจะ30? 100nm เส้นผ่าศูนย์กลาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในจังหวัดยกเลิก ( 0001 ) เครื่องบินแรกเริ่ม , สูญญากาศ Annealing นำไปสู่โดเมนแกรฟีนเล็ก
โดยปกติ 30  100nm เส้นผ่านศูนย์กลาง