In this article, we report the use

In this article, we report the use of DNA molecular ruler to modulate the PL emission of GaAs with SP enhancement. A well-defined GNPs/GaAs hybrid surface with DNA junction has been designed and demonstrated, as schematically represented in Fig. 1. This experimental approach was based on sequential steps of DNA functionalization, DNA hybridization and GNPs self-assembly on GaAs, which comprises two steps of thiol-chemistry reaction (Au-S, Ga-S or As-S) appended a relatively rigid dsDNA onto GaAs and GNPs, respectively [23]. This simple method offers a facile nonlithograhic strategy to modify large flat GaAs substrates with GNPs. Next, we found that the DNA-mediated self-assembly of GNPs onto GaAs could enhance the PL emission from GaAs. It is proposed that the DNA-length dependent PL enhancement is resulted from the known as the mechanism of metal-enhanced fluorescence.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในบทความนี้ เรารายงานการใช้ไม้บรรทัดโมเลกุลดีเอ็นเอควบคุมการปล่อย PL ของ GaAs ด้วยเพิ่ม SP Surface ไฮบริ GNPs/GaAs ที่ชัดเจน มีแยกดีเอ็นเอมีการออกแบบ และแสดงให้เห็น แสดงเป็น schematically ในรูปที่ 1 วิธีการทดลองนี้ตามขั้นตอนตามลำดับของ functionalization ดีเอ็นเอ DNA hybridization และ GNPs ประกอบด้วยตัวเองบน GaAs ซึ่งประกอบด้วยสองขั้นตอนของปฏิกิริยาเคมี thiol (Au-S, Ga-S หรือเป็น S) ผนวก dsDNA ค่อนข้างแข็งบน GaAs และ GNPs ตามลำดับ [23] วิธีนี้ง่ายให้ร่ม nonlithograhic กลยุทธ์การปรับเปลี่ยนพื้นผิว GaAs แบนขนาดใหญ่ ด้วย GNPs ถัดไป เราพบว่า ในดีเอ็นเอสื่อประกอบด้วยตัวเองของ GNPs บน GaAs สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการปล่อย PL จาก GaAs มีเสนอว่า ความยาวดีเอ็นเอขึ้น PL เพิ่มผลจากรู้จักกันเป็นกลไกการเพิ่มโลหะเรืองแสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้เราจะรายงานผลการใช้ดีเอ็นเอไม้บรรทัดโมเลกุลเพื่อปรับการปล่อยของ PL GaAs กับการเพิ่มประสิทธิภาพ SP ทั้งการกำหนดพื้นผิว GNPs / GaAs ไฮบริดที่มีการแยกดีเอ็นเอได้รับการออกแบบและแสดงให้เห็นเป็นตัวแทนของแผนผังในรูป 1. วิธีการทดลองนี้ขึ้นอยู่กับขั้นตอนตามลำดับของหมู่ฟังก์ชันดีเอ็นเอดีเอ็นเอและ GNPs ตนเองประกอบใน GaAs ซึ่งประกอบด้วยสองขั้นตอนของการเกิดปฏิกิริยาเคมี thiol (AU-S Ga-S หรือเป็น-S) ผนวกที่ค่อนข้างแข็ง dsDNA บน GaAs และ GNPs ตามลำดับ [23] วิธีนี้ง่ายมีกลยุทธ์ nonlithograhic สะดวกในการปรับเปลี่ยนพื้นผิวขนาดใหญ่ GaAs แบนพร้อม GNPs ต่อไปเราจะพบว่าดีเอ็นเอพึ่งตนเองประกอบของ GNPs บน GaAs สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของการปล่อย PL จาก GaAs มันเป็นเรื่องที่เสนอว่าดีเอ็นเอที่มีความยาวเพิ่มประสิทธิภาพ PL ขึ้นเป็นผลมาจากการที่รู้จักกันเป็นกลไกของการเรืองแสงโลหะที่เพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในบทความนี้ , เรารายงานการใช้ไม้บรรทัดโมเลกุลดีเอ็นเอเพื่อปรับการปล่อยนี้กับคุณเพิ่ม SP . ต่อ gnps / GaAs ผิวแยกดีเอ็นเอไฮบริดได้รับการออกแบบ และแสดงเป็นแผนผังที่แสดงในรูปที่ 1 วิธีทดลองนี้ใช้ลําดับขั้นตอนของ functionalization DNA hybridization ดีเอ็นเอและ gnps ต่างๆบน GaAs ซึ่งประกอบด้วยสองขั้นตอนของปฏิกิริยาเคมี thiol ( au-s ga-s , หรือ as-s ) ผนวกเป็น dsdna แข็งและค่อนข้างบน GaAs gnps ตามลำดับ [ 23 ] วิธีง่าย ๆ มีการปรับเปลี่ยนกลยุทธ์ nonlithograhic ง่ายในพื้นผิวที่มีขนาดใหญ่แบน gnps . ต่อไป เราจะพบว่าพฤติกรรมต่างๆของดีเอ็นเอ gnps บนนี้สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของการปล่อยจากคุณณ . ขอเสนอว่า ความยาวขึ้นอยู่กับการดีเอ็นเอที่จะเป็นผลจากที่รู้จักกันเป็นกลไกของโลหะ การเพิ่ม