Microelectronics are being used inc

Microelectronics are being used increasingly in the power indus- tries and in locations which may be geometrically close to sources of interference. The main sources of interference come from the operation of switchgear which are normally accompanied by closing or opening arcs [1], [2], [3], [5]. These arcs radiate interference at high frequencies which are dependent on the type of switchgear, the most onerous of which is expected to come from SF, insulated systems where high dv/dt and di/dt exist. In any case, the magnitude of these fields can be significantly higher than those specified in relevant immunity standards [6].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีการใช้มากขึ้นในอำนาจอินดัพยายามและในสถานที่ซึ่งอาจจะเป็นทางเรขาคณิตใกล้กับแหล่งที่มาของการรบกวน แหล่งที่มาหลักของการรบกวนมาจากการดำเนินงานของสวิตช์ที่จะมาพร้อมกับตามปกติโดยการปิดหรือเปิดโค้ง [1], [2], [3] [5] โค้งเหล่านี้แผ่สัญญาณรบกวนที่ความถี่สูงซึ่งจะขึ้นอยู่กับชนิดของสวิตช์ที่ภาระส่วนใหญ่ที่คาดว่าจะมาจากเอสเอฟระบบฉนวนที่สูง DV / dt และ di / dt มีอยู่ ในกรณีใด ๆ ขนาดของเขตข้อมูลเหล่านี้อาจจะสูงกว่าที่ระบุไว้ในมาตรฐานที่เกี่ยวข้องอย่างมีนัยสำคัญภูมิคุ้มกัน [6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไมโครอิเล็กทรอนิกส์มีการใช้เพิ่มขึ้น ในพลังงานเอยูรเวพยายาม และ ในสถานซึ่งอาจเป็น geometrically ของ แหล่งมาหลักของสัญญาณรบกวนที่มาจากการทำงานของสวิตช์ซึ่งจะมาพร้อมกับปกติ โดยปิด หรือเปิดส่วนโค้ง [1], [2], [3], [5] เส้นโค้งเหล่านี้แผ่สัญญาณรบกวนที่ความถี่สูงซึ่งจะขึ้นอยู่กับชนิดของสวิตช์ onerous มากที่สุดซึ่งคาดว่ามาจาก SF ระบบฉนวนที่สูง dv/dt และ di/dt มี ขนาดของฟิลด์เหล่านี้ได้อย่างมีนัยสำคัญสูงกว่าผู้ที่ระบุไว้ในมาตรฐานภูมิคุ้มกันที่เกี่ยวข้อง [6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไมโครอิเล็กทรอนิกส์มีการใช้พลังงานเพิ่มมากขึ้นมาในแม่น้ำสินธุ - จะพยายามและอยู่ในตำแหน่งที่อาจเป็นในทางเรขาคณิตกับฟอนต์อยู่ใกล้กับแหล่งที่มาของการรบกวน แหล่งสำคัญของการรบกวนมาจากการทำงานของเกียร์ที่มีมาพร้อมกับด้วยการปิดหรือเปิด ARCS [ 1 ],[ 2 ]ตามปกติ[ 3 ]:[ 5 ]. ARCS เหล่านี้ส่งคลื่นสัญญาณรบกวนความถี่สูงซึ่งจะขึ้นอยู่กับ ประเภท ของเกียร์ที่ยุ่งยากมากที่สุดซึ่งคาดว่าจะมาจาก SF ระบบป้องกันไฟฟ้ารั่วที่สูง DV / dt และ DT di /มีอยู่ ในกรณีที่ความสำคัญของฟิลด์ต่างๆเหล่านี้สามารถสูงขึ้นอย่างเห็นได้ชัดกว่าที่กำหนดไว้ในมาตรฐานการป้องกันที่เกี่ยวข้อง[ 6 ]