Cyclic voltammograms were investiga

Cyclic voltammograms were investigated to understand the electrodeposition behaviors of CuGaSe2 thin films. All experiments were carried out on ITO electrode to prevent evolution of hydrogen gas. Metallic gallium cannot be deposited from Ga unitary electrolyte. However, in the cyclic voltammograms of ternary Cu–Ga–Se system, a reduction peak at −0.6 V was observed with addition of GaCl3. It corresponds to the underpotential deposition (UPD) of gallium in the presence of selenium and consequently formed gallium selenides and cupper–gallium–selenium compounds. Gallium contents in the CGS films were increased with gallium concentration in the electrolyte increased. The highest and optimum contents of CGS film were obtained at −0.6 V in 5 mM Cu, 10 mM Ga, 10 mM Se.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Voltammograms ทุกรอบได้สืบสวนเพื่อทำความเข้าใจพฤติกรรมการเคลือบฟิล์มบาง CuGaSe2 ทดลองทั้งหมดถูกดำเนินบนอิเล็กโทรด ITO ให้วิวัฒนาการของก๊าซไฮโดรเจน ไม่สามารถจะฝากโลหะแกลเลียมจากอิเล็กโทร unitary Ga อย่างไรก็ตาม ใน voltammograms ทุกรอบสามระบบ Cu – Ga – Se ลดสูงสุดที่ −0.6 V ถูกสังเกตบวก GaCl3 มันตรงกับสะสม underpotential (UPD) ของแกลเลียมในต่อหน้าของเกลือ และจึง เกิด selenides แกลเลียมและสารประกอบ cupper – แกลเลียมเกลือ แกลเลียมเนื้อหาในภาพยนตร์ CGS เพิ่มขึ้นกับความเข้มข้นของแกลเลียมในอิเล็กโทรที่เพิ่มขึ้น เนื้อหาสูงสุด และเหมาะสมของ CGS ฟิล์มได้รับที่ −0.6 V 5 มม. Cu, 10 มม. Ga, 10 มม. Se

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

voltammograms Cyclic ถูกตรวจสอบเพื่อให้เข้าใจพฤติกรรมของอิ CuGaSe2 ฟิล์มบาง การทดลองทั้งหมดถูกดำเนินการใน ITO ไฟฟ้าเพื่อป้องกันการวิวัฒนาการของก๊าซไฮโดรเจน แกลเลียมโลหะไม่สามารถฝากจาก Ga อิเล็กรวมกัน อย่างไรก็ตามใน voltammograms วงจรของระบบ ternary Cu-Ga-SE ยอดลดลงที่ -0.6 V เป็นที่สังเกตด้วยนอกเหนือจาก GaCl3 มันสอดคล้องกับการสะสม underpotential (UPD) ของแกลเลียมในการปรากฏตัวของซีลีเนียมและที่เกิดขึ้นจึง selenides แกลเลียมและสารประกอบทองแดง-แกลเลียม-ซีลีเนียม เนื้อหาแกลเลียมในภาพยนตร์ CGS เพิ่มขึ้นที่มีความเข้มข้นในแกลเลียมอิเล็กเพิ่มขึ้น เนื้อหาสูงสุดและเหมาะสมของภาพยนตร์ CGS ได้รับที่ -0.6 V ใน 5 มิลลิ Cu, 10 มิลลิ Ga, 10 มิลลิ Se

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็น voltammograms ศึกษาให้เข้าใจพฤติกรรมของอิเล็กโทร cugase2 ฟิล์มบาง . ทุกการทดลองใน Ito ขั้วไฟฟ้าเพื่อป้องกันการวิวัฒนาการของแก๊สไฮโดรเจน แกลเลี่ยมโลหะไม่สามารถฝากจาก GA unitary อิเล็กโทรไลต์ อย่างไรก็ตาม ใน voltammograms วงจรประกอบไปด้วยทองแดง กาเซ ( ) เป็นระบบ ลดสูงสุด 0.6 V − ) ด้วยการเพิ่ม gacl3 .มันสอดคล้องกับการ underpotential ( upd ) ของแกลเลียมในการแสดงตนของซีลีเนียมและรูปแบบจึงแกลเลียมและสารทองแดง–แกลเลียมและซีลีเนียมสารประกอบ แกลเลียม เนื้อหาใน CGS ภาพยนตร์จะเพิ่มขึ้นตามความเข้มข้นของอิเล็กโทรไลต์แกลเลียมเพิ่มขึ้น สูงสุด และเนื้อหาที่เหมาะสมของภาพยนตร์ CGS ได้รับที่− 0.6 V ในจุฬาฯ 5 มม. , GA 10 มม. , 10 มม. เซ