Cu2ZnSnS4 (CZTS) films were fabrica

Cu2ZnSnS4 (CZTS) films were fabricated from a ceramic quaternary target, through middle frequency magnetron sputtering. A post sulfurization process was applied for the sputtered films and sulfurization temperatures ranging from 460 °C to 580 °C were utilized. It has been found that obvious Zn loss exists during the sputtering, making the sputtered films become Zn poor although the target is Zn rich. The sputtered films were not totally amorphous, but composed of small CZTS grains at the size of several nanometers. After a post sulfurization process the crystallinity were greatly improved and films composed of densely packed CZTS grains at the size of several hundred nanometers can be obtained at sulfurization temperatures higher than 520 °C. Yet minor SnS coexists with CZTS since the films were Zn poor and Sn rich. And finally the CZTS films sulfurized at 580 °C depict an optical band gap of around 1.55 eV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Cu2ZnSnS4 (CZTS) ฟิล์มหลังสร้างจากเป้าหมาย quaternary เซรามิก ผ่านความถี่กลาง magnetron พ่น กระบวนการลงรายการบัญชี sulfurization ถูกใช้สำหรับฟิล์ม sputtered และถูกใช้ตั้งแต่ 460 ° C ถึง 580 ° C อุณหภูมิ sulfurization จะพบว่า ขาดทุน Zn ชัดเจนอยู่ระหว่างสปัตเตอร์ ทำฟิล์ม sputtered กลายเป็น Zn ต่ำแม้ว่าเป้าหมายคือ Zn รวย ฟิล์ม sputtered ไม่ไปทั้งหมด แต่เล็ก CZTS ธัญพืช nanometers หลายทางประกอบด้วย หลังจากกระบวนการ sulfurization ลง crystallinity ที่ถูกปรับปรุงอย่างมาก และหนาแน่นไปด้วยของฟิล์มบรรจุ CZTS ธัญพืชทาง nanometers หลายร้อย ได้ที่อุณหภูมิ sulfurization สูงกว่า 520 องศาเซลเซียส ยัง รอง SnS coexists กับ CZTS เนื่องจากภาพยนตร์มี Zn ต่ำและ Sn ริช และสุดท้าย ฟิล์ม CZTS sulfurized ที่ 580 ° C แสดงถึงช่องว่างของประมาณ 1.55 eV แสงวงการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Cu2ZnSnS4 (CZTS) ฟิล์มประดิษฐ์จากเป้าหมายสี่เซรามิกสปัตเตอร์ผ่านความถี่แมกกลาง ขั้นตอนการโพสต์ sulfurization ถูกนำมาใช้สำหรับภาพยนตร์ sputtered และอุณหภูมิ sulfurization ตั้งแต่ 460 ° C ถึง 580 ° C ถูกนำมาใช้ จะได้รับพบว่าการสูญเสียที่เห็นได้ชัด Zn อยู่ในระหว่างการสปัตเตอร์ที่ทำให้กลายเป็นภาพยนตร์ sputtered Zn ยากจนแม้ว่าเป้าหมายจะ Zn ที่อุดมไปด้วย ภาพยนตร์ sputtered ไม่สัณฐานโดยสิ้นเชิง แต่ประกอบด้วยธัญพืช CZTS ขนาดเล็กที่มีขนาดหลายนาโนเมตร หลังจากขั้นตอนการโพสต์ sulfurization ผลึกได้รับการปรับปรุงอย่างมากและภาพยนตร์ประกอบด้วยแน่นขนัด CZTS ธัญพืชที่มีขนาดหลายร้อยนาโนเมตรสามารถรับได้ที่อุณหภูมิ sulfurization สูงกว่า 520 องศาเซลเซียส แต่ SNS เล็กน้อย coexists กับ CZTS ตั้งแต่ภาพยนตร์เป็น Zn ยากจนและ Sn ที่อุดมไปด้วย และในที่สุดภาพยนตร์ CZTS sulfurized ที่ 580 ° C แสดงให้เห็นถึงช่องว่างแถบแสงประมาณ 1.55 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

cu2znsns4 ( czts ) ภาพยนตร์ที่ถูกประดิษฐ์จากเซรามิค ซึ่งเป้าหมายผ่านความถี่กลางแมกนีตรอนสปัตเตอริง . โพสต์ sulfurization กระบวนการประยุกต์สำหรับ sputtered ภาพยนตร์และ sulfurization อุณหภูมิตั้งแต่ 460  ° C ถึง 580  ° C ใช้รถ พบว่า การสูญเสียสังกะสีที่มีอยู่ในรายงานที่ชัดเจน ,การ sputtered ภาพยนตร์กลายเป็นสังกะสีไม่ดีแม้ว่าเป้าหมายคือ Zn ที่อุดมไปด้วย การ sputtered ฟิล์มไม่ไป แต่ประกอบด้วยธัญพืช czts ขนาดเล็กหลายขนาดนาโนเมตรหลังจากโพสต์ sulfurization กระบวนการผลึกมีการปรับปรุงอย่างมากและภาพยนตร์ประกอบด้วยหนาแน่น czts ธัญพืชที่ขนาดหลายร้อยนาโนเมตร สามารถรับได้ที่ sulfurization อุณหภูมิสูงกว่า 520  ° C แต่ SNS รองคู่กันกับ czts ตั้งแต่ฟิล์มสังกะสีและดีบุกจนรวย และสุดท้าย czts ภาพยนตร์ sulfurized ที่ 580  ° C แสดงช่องว่างแถบแสงประมาณ 155 ทำไม EV