Cuprous oxide (Cu2O) and cupric oxi

Cuprous oxide (Cu2O) and cupric oxide (CuO) thin films were prepared by thermal oxidation of copper
films coated on indium tin oxide (ITO) glass and non-alkaline glass substrates. The formation of Cu2O and
CuO was controlled by varying oxidation conditions such as, oxygen partial pressure, heat treatment
temperature, and oxidation time. The microstructure, crystal direction, and optical properties of copper
oxide films were measured with X-ray diffraction, atomic force microscopy, and optical spectroscopy.
The results indicated that the phase-pure Cu2O and CuO films were produced in the oxidation process.
Optical transmittance and reflectance spectra of Cu2O and CuO clearly exhibited distinct characteristics
related to their phases. The electrical properties indicated that these films formed ohmic contacts with
Cu and ITO electrode materials. Multilayers of Cu2O/CuO were fabricated by choosing the oxidation
sequence. The experimental results in this paper suggest that the thermal oxidation method can be
employed to fabricate device quality Cu2O and CuO films that are up to 200–300 nm thick.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Cuprous ออกไซด์ (Cu2O) และฟิล์มบางออกไซด์ cupric (CuO) ณออกซิเดชันความร้อนของทองแดงฟิล์มที่เคลือบบนอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) กระจกและพื้นผิวไม่ด่างแก้ว การก่อตัวของ Cu2O และCuO ถูกควบคุม โดยเงื่อนไขออกซิเดชันแตกต่างกันเช่น ความดันออกซิเจนบางส่วน การรักษาความร้อนอุณหภูมิ และเวลาเกิดออกซิเดชัน จุลภาค ทิศทางคริสตัล และคุณสมบัติแสงทองแดงฟิล์มออกไซด์ถูกวัด ด้วยการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม และสเปกโทรสโกออปติคอลผลระบุว่า ภาพยนตร์ Cu2O และ CuO บริสุทธิ์ขั้นตอนผลิตในกระบวนการออกซิเดชันสัมประสิทธิ์การส่งผ่านและสะท้อนแสงสเปกตรัมของ Cu2O CuO จัดแสดงลักษณะแตกต่างกันอย่างชัดเจนที่เกี่ยวข้องกับขั้นตอนของพวกเขา คุณสมบัติทางไฟฟ้าระบุว่า ภาพยนตร์เหล่านี้เกิดขึ้นติดต่อเขี้ยวด้วยวัสดุไฟฟ้า Cu และอิโตะ Multilayers ของ Cu2O/CuO ถูกประดิษฐ์ โดยเลือกเกิดออกซิเดชันลำดับนั้น ผลการทดลองในเอกสารนี้แนะนำว่า วิธีการออกซิเดชันความร้อนสามารถใช้ในการประดิษฐ์อุปกรณ์คุณภาพ Cu2O CuO ภาพยนตร์และที่จะหนา 200-300 nm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทองแดงออกไซด์ (Cu2O) และ Cupric ออกไซด์ (ออกไซด์) ฟิล์มบางถูกจัดทำขึ้นโดยการเกิดออกซิเดชันความร้อนของทองแดง
ฟิล์มเคลือบบนอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) แก้วและไม่ด่างพื้นผิวแก้ว การก่อตัวของ Cu2O และ
ออกไซด์ถูกควบคุมโดยเงื่อนไขที่แตกต่างกันเช่นการเกิดออกซิเดชันออกซิเจนความดันบางส่วนรักษาความร้อน
อุณหภูมิและเวลาการเกิดออกซิเดชัน จุลภาคทิศทางผลึกและคุณสมบัติทางแสงของทองแดง
ฟิล์มออกไซด์ถูกวัดด้วยการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอมและสเปกโทรสโกออปติคอล.
ผลการวิจัยพบว่าระยะบริสุทธิ์ Cu2O และออกไซด์ภาพยนตร์มีการผลิตในกระบวนการออกซิเดชั่.
ส่งผ่านออปติคอล และสเปกตรัมสะท้อนของ Cu2O และออกไซด์แสดงให้เห็นอย่างชัดเจนลักษณะที่แตกต่าง
ที่เกี่ยวข้องกับขั้นตอนของพวกเขา คุณสมบัติทางไฟฟ้าชี้ให้เห็นว่าเรื่องเหล่านี้เกิดขึ้นรายชื่อ ohmic กับ
วัสดุไฟฟ้าและ Cu ITO หลายชั้นของ Cu2O / ออกไซด์ถูกประดิษฐ์โดยเลือกออกซิเดชัน
ลำดับ ผลการทดลองในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าวิธีการออกซิเดชันความร้อนที่สามารถ
ใช้ในการผลิตที่มีคุณภาพและอุปกรณ์ Cu2O ออกไซด์ภาพยนตร์ที่มีถึง 200-300 นาโนเมตรหนา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่ปนทองแดงออกไซด์ ( cu2o ) และออกไซด์ของทองแดง ( 2 ( ฟิล์ม ) เตรียมโดยปฏิกิริยาทางความร้อนของทองแดงฟิล์มเคลือบอินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) แก้วและไม่ด่างแก้วท การก่อตัวของ cu2o และ2 ( ถูกควบคุมโดยออกซิเดชันเงื่อนไขแตกต่างกัน เช่น ความดันย่อยออกซิเจน , การรักษาความร้อนอุณหภูมิ และเวลาปฏิกิริยา โครงสร้างจุลภาค ทิศทางของผลึกและสมบัติทางแสงของทองแดงออกไซด์ฟิล์มถูกวัดด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม และแสงสเปกโทรสโกปีผลการศึกษา พบว่า ระยะที่ 2 ( cu2o บริสุทธิ์และฟิล์มถูกผลิตในกระบวนการออกซิเดชันการส่งผ่านแสงและการสะท้อนแสงและสเปกตรัมของ cu2o 2 ( มีลักษณะที่แตกต่างกันอย่างชัดเจนที่เกี่ยวข้องกับขั้นตอนของพวกเขา คุณสมบัติทางไฟฟ้า พบว่าค่าการติดต่อกับภาพยนตร์เหล่านี้เกิดขึ้นทองแดง และโต้ ไฟฟ้าวัสดุ multilayers ของ cu2o / 2 ( ถูกประดิษฐ์โดยการออกซิเดชันลำดับ ผลการทดลองในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าวิธีออกซิเดชันความร้อนสามารถจ้างผลิต cu2o คุณภาพอุปกรณ์และ 2 ( หนังที่หนาขึ้น NM 200 – 300