In order to find the best modificatio

In order to find the best modification process to fabricate the sensor, we prepared four sensors to explore the modification process. Sensor A was modified with CS-SNP and MIPs, sensor B was modified with GR-MWCNTs and MIPs, sensor C was modified with MIPs, and sensor D was modified with CS-SNP, GR-MWCNTs and MIPs. The properties of the four sensors in this work were shown in Fig. 1 and Table S1. Fig. 1A, B, C and D was CVs of the preparation processes of sensor A, sensor B, sensor C and sensor D, respectively. In this work, CV was performed with a supporting electrolyte containing 5.0 mmol/L K3[Fe(CN)6] solution containing 0.2 mol/L KCl. From Fig. 1 we could find that the current responses of sensor A, sensor B and sensor C after removing neomycin were smaller than that of sensor D in this work. Table S1 was the comparison of the properties of these sensors. Table S1 told us that the properties of sensors A, B and C were not as good as that of sensor D. Therefore, the sensor used in this work was modified with CS-SNP, GR-MWCNTs and MIPs

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการ find การ modification สุดเพื่อสานการเซ็นเซอร์ เราเตรียมเซ็นเซอร์สี่แห่งการ modification Modified กับ CS SNP ถูกเซ็นเซอร์ A และ MIPs เซ็นเซอร์ B คือ modified กับ GR MWCNTs และ MIPs เซ็นเซอร์ C ถูก modified กับ MIPs และเซ็นเซอร์ D ถูก modified กับ CS SNP, GR MWCNTs และ MIPs คุณสมบัติของเซนเซอร์ 4 ในงานนี้มีแสดงใน Fig. 1 และตาราง S1 Fig. 1A, B, C และ D เป็น CVs ของกระบวนการเตรียมการของเซ็นเซอร์ A เซ็นเซอร์ B, C เซ็นเซอร์ และเซ็นเซอร์ D ตามลำดับ ในงานนี้ ทำ CV กับอิเล็กโทรการสนับสนุนประกอบด้วย 5.0 mmol/L K3 [Fe (CN) 6] โซลูชันประกอบด้วยโมล 0.2 L KCl จาก Fig. 1 เราสามารถ find ว่า การตอบสนองปัจจุบันเซ็นเซอร์ A, B ของเซ็นเซอร์ และเซ็นเซอร์ C หลังจากเอานีโอมัยซินมีขนาดเล็กกว่าที่เซ็นเซอร์ D ในงานนี้ S1 ตารางเปรียบเทียบคุณสมบัติของเซนเซอร์เหล่านี้ได้ ตาราง S1 บอกเราว่า ไม่ดีเท่าของเซ็นเซอร์ D. คุณสมบัติของเซนเซอร์ A, B และ C ดังนั้น การเซ็นเซอร์ที่ใช้ในการทำงานนี้ถูก modified กับ CS SNP, GR MWCNTs และ MIPs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อที่จะสายครั้งกระบวนการไอออนบวก Modi ไฟที่ดีที่สุดในการประดิษฐ์เซ็นเซอร์เราเตรียมสี่เซ็นเซอร์ในการสำรวจกระบวนการไอออนบวก Modi ไฟ เซนเซอร์เป็นเอ็ดสาย Modi กับ CS-SNP และ MIPs, B เซ็นเซอร์เป็นเอ็ดสาย Modi กับ GR-MWCNTs และ MIPs, C เซ็นเซอร์เป็นเอ็ดสาย Modi กับ MIPs และ D เซ็นเซอร์เป็นเอ็ดสาย Modi กับ CS-SNP, GR-MWCNTs และ MIPs คุณสมบัติของสี่เซ็นเซอร์ในงานนี้มีการแสดงในรูปที่ ที่ 1 และตาราง S1 มะเดื่อ 1A, B, C และ D เป็นประวัติของกระบวนการเตรียมความพร้อมของเซ็นเซอร์เซ็นเซอร์ B, C และ D เซ็นเซอร์เซ็นเซอร์ตามลำดับ ในงานนี้ CV ได้ดำเนินการกับอิเล็กโทรไลสนับสนุนที่มี 5.0 มิลลิโมล / ลิตร K3 [Fe (CN) 6] วิธีการแก้ปัญหาที่มี 0.2 mol / L KCl จากรูป 1 เราสามารถ fi ครั้งว่าการตอบสนองในปัจจุบันของเซ็นเซอร์ A, B และ C เซ็นเซอร์เซ็นเซอร์หลังจากลบ neomycin มีขนาดเล็กกว่าของเซ็นเซอร์ D ในงานนี้ ตารางที่ S1 คือการเปรียบเทียบคุณสมบัติของเซ็นเซอร์เหล่านี้ ตารางที่ S1 บอกกับเราว่าคุณสมบัติของเซ็นเซอร์ A, B และ C ได้ไม่ดีเท่าที่ของเซ็นเซอร์ดีดังนั้นเซ็นเซอร์ที่ใช้ในการทำงานนี้คือเอ็ดสาย Modi กับ CS-SNP, GR-MWCNTs และ MIPs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อถ่ายทอดและที่ดีที่สุดในกระบวนการสมัครงาน จึงสร้างเซ็นเซอร์ที่เราเตรียมไว้สี่ตัวจึงสำรวจ Modi ในกระบวนการ เซนเซอร์คือโมดิจึงเอ็ดกับ cs-snp เคน , เซ็นเซอร์ B Modi จึงเอ็ดกับ mwcnts GR เคน , เซ็นเซอร์อุณหภูมิ Modi จึงเอ็ดกับเคน และเซ็นเซอร์ D Modi จึงเอ็ดกับ cs-snp mwcnts GR , เคน . คุณสมบัติของ 4 เซ็นเซอร์ ในงานนี้ได้ถูกแสดงในรูปที่ 1 และตาราง S1 .รูปที่ 1A , B , C และ D คือ CVS ของการเตรียมกระบวนการของเซนเซอร์ , เซ็นเซอร์เซ็นเซอร์และเซ็นเซอร์ B C D ตามลำดับ ในงานนี้ โดยแสดงด้วยการสนับสนุนอิเล็กโทรไลต์ที่มี 5.0 มิลลิโมล / ลิตร K3 [ Fe ( CN ) 6 ] 0.2 mol / l สารละลายที่มีโพแทสเซียม . จากรูปที่ 1 เราสามารถถ่ายทอดงานที่ตอบสนองกระแสของเซ็นเซอร์ ,เซ็นเซอร์ B และ C หลังจากลบเซ็นเซอร์มีเดียวิกิมีขนาดเล็กกว่าของเซ็นเซอร์ในงานนี้ ตาราง S1 คือการเปรียบเทียบคุณสมบัติของเซ็นเซอร์เหล่านี้ ตาราง S1 บอกเราว่าคุณสมบัติของเซ็นเซอร์ A , B และ C ไม่ได้ดีเท่าของเซ็นเซอร์ D ดังนั้น เซนเซอร์ที่ใช้ในงานนี้คือโมดิจึงเอ็ดกับ cs-snp mwcnts GR , เคน