the control. Only one transistor ga

the control. Only one transistor gate drive circuit is needed for each switch cell. The
disadvantage is that the conduction losses are relatively high. During the conduction
stage, the three devices are conducted (two diodes and IGBT transistor). Moreover,
the direction of current through the switch cell cannot be controlled. The two most
commonly used configurations of switch cell are named the common emitter antiparalleled
IGBT configuration (Fig. 2.10b) and the common collector anti-paralleled
IGBT configuration (Fig. 2.10c). Each of these switch cells consist of two diodes and
two IGBT switches that are connected in an anti-parallel arrangement. The diodes are
included to provide reverse blocking capability, whereas, the IGBTs enable the independent
control of the current direction. Compared to the diode bridge switch cell
(Fig. 2.10a), here conduction losses are reduced, because only two devices are conducted
in each conduction path. Its disadvantage is the requirement of two gate drive
circuits for each IGBTs. For the arrangement shown in Fig. 2.10b, due to its common
emitter arrangement, one isolated power supply is required for each bi-directional
switch cell. Furthermore, by using common collector bi-directional switch cells
(Fig. 2.10c), the number of isolated power supplies required for the gate drive circuits
can be reduced to six. Finally, the switch cell is the anti-paralleled reverse blocking
IGBTs (RB-IGBT) [130], an arrangement shown in Fig. 2.10d [123, 149]. The main
feature of the RB-IGBT is its reverse voltage blocking capability, which eliminates
the use of diodes. For this reason there is a reduction in the number of discrete
devices and conduction losses. At any instant, there is only one device conducting
current in any direction. In this configuration, 18 gate drive circuits and six isolated
power supplies is required. Therefore, an anti-paralleled RB-IGBT configuration is
generally preferred for creating matrix converter bi-directional switch cells. The element
complexity of matrix converters with different switches cells is described in
Table 2.3 [21].
Furthermore, other switching devices, besides IGBT, could be used in MCs.
If the switching devices used for the bi-directional power switch have a reverse
voltage blocking capability, then it is possible to build bi-directional switches. For
example, MOS turn-off thyristor (MTOs), GTO thyristor and pure JFET may be an
applicable [93].
The first key problem is related to the practical realisation of bi-directional
switches. Currently, there are no small bi-directional power switches that are

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การควบคุม จำเป็นต้องมีวงจรขับเกตทรานซิสเตอร์เพียงหนึ่งสำหรับแต่ละเซลล์สวิทช์ การข้อเสียคือ ขาดการนำค่อนข้างสูง ในระหว่างการนำขั้นตอน อุปกรณ์สามจะดำเนินการ (สองไดโอดและทรานซิสเตอร์ IGBT) นอกจากนี้ไม่สามารถควบคุมทิศทางของกระแสที่ผ่านเซลล์สวิทช์ สุดสองใช้กำหนดค่าของเซลล์สวิทช์มีชื่อยิงทั่วไปที่ antiparalleledการกำหนดค่าของ IGBT (รูป 2.10b) และตัวเก็บรวบรวมทั่วไปต่อต้าน paralleledการกำหนดค่าของ IGBT (รูปที่ 2.10 c) แต่ละเหล่านี้เปลี่ยนเซลล์ประกอบด้วยไดโอด 2 และสวิตช์ IGBT สองที่เชื่อมต่อในการจัดเรียงขนานกัน ไดโอดมีรวมการให้ความสามารถในการบล็อคการย้อนกลับ ขณะที่ IGBTs เปิดใช้งานการอิสระการควบคุมทิศทางปัจจุบัน เมื่อเทียบกับเซลล์สวิตช์ไดโอดบริดจ์(รูปที่ 2.10 a), ที่นี่ขาดนำจะลดลง เนื่องจากอุปกรณ์ที่สองจะดำเนินการในแต่ละเส้นทางนำ ข้อเสียของมันคือ ความต้องการของไดรฟ์สองประตูวงจรสำหรับแต่ละ IGBTs ในการจัดแสดงในรูป 2.10b เนื่องจากการทั่วไปจัดการยิง แหล่งจ่ายไฟแยกที่หนึ่งไม่จำเป็นสำหรับแต่ละทิศเปลี่ยนเซลล์ นอกจากนี้ โดยทั่วไปรวบรวมทิศทางเปลี่ยนเซลล์(รูปที่ 2.10 c), จำนวนที่ใช้ในการแยกแหล่งจ่ายไฟสำหรับวงจรประตูรถสามารถลดการหก ในที่สุด เซลล์สวิทช์เป็น paralleled ต้านกลับปิดกั้นIGBTs (RB-IGBT) [130], การจัดแสดงในรูปที่ 2.10d [123, 149] หลักคุณสมบัติของ RB-IGBT เป็นของแรงดันย้อนกลับที่ปิดกั้นความสามารถ ซึ่งช่วยลดการใช้ไดโอด เหตุผลนี้ มีการลดจำนวนไม่ต่อเนื่องอุปกรณ์และการนำผลขาดทุน เวลาใด ๆ ได้ทันที มีเพียงหนึ่งอุปกรณ์ดำเนินการปัจจุบันในทิศทางใด ในการกำหนดค่านี้ 18 ประตูวงจรไดรฟ์และหกแยกจำเป็นต้องมีแหล่งจ่ายไฟ ดังนั้น การกำหนดค่า RB IGBT paralleled ป้องกันเป็นโดยทั่วไปที่ต้องการสร้างเมทริกซ์เซลล์ทิศทางเปลี่ยนแปลง องค์ประกอบความซับซ้อนของตัวแปลงเมตริกซ์สวิตช์ต่าง ๆ เซลล์อธิบายไว้ในตาราง 2.3 [21]นอกจากนี้ สามารถใช้เปลี่ยนอุปกรณ์ IGBT นอกจากใน MCsถ้ามีอุปกรณ์สวิตช์ที่ใช้สำหรับทิศทางสวิตช์กลับแรงดันที่ปิดกั้นความสามารถ แล้วก็สามารถสร้างสวิตช์สองทิศทาง สำหรับตัวอย่าง ไทริสเตอร์ปิดที่ MOS (MTOs), GTO ไทริสเตอร์ และ JFET บริสุทธิ์อาจมีใช้ได้ [93]ปัญหาคีย์แรกเกี่ยวข้องกับปัญหาจริงของทิศทางสลับ ขณะนี้ มีไม่มีสวิทช์ไฟฟ้าสองทิศทางขนาดเล็กที่มี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ควบคุม เพียงหนึ่งทรานซิสเตอร์วงจรประตูไดรฟ์เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับเซลล์แต่ละสวิทช์
ข้อเสียก็คือว่าการสูญเสียการนำที่ค่อนข้างสูง ในระหว่างการนำ
ขั้นตอนที่สามอุปกรณ์จะดำเนินการ (สองไดโอดทรานซิสเตอร์และ IGBT) นอกจากนี้
ทิศทางของกระแสไฟฟ้าผ่านมือถือสวิทช์ไม่สามารถควบคุมได้ ทั้งสองมากที่สุดใน
การกำหนดค่าที่ใช้ทั่วไปของมือถือสวิทช์ที่มีชื่ออีซีแอลที่พบบ่อย antiparalleled
การกำหนดค่า IGBT (รูป. 2.10b) และสะสมร่วมกันต่อต้านการขนาน
การกำหนดค่า IGBT (รูป. 2.10c) แต่ละเซลล์สวิตช์เหล่านี้ประกอบด้วยสองไดโอดและ
สองสวิทช์ IGBT ที่มีการเชื่อมต่อในการจัดต่อต้านขนาน ไดโอดจะ
รวมเพื่อให้กลับปิดกั้นความสามารถในขณะที่ IGBTs เปิดใช้งานอิสระ
ควบคุมทิศทางปัจจุบัน เมื่อเทียบกับไดโอดสะพานสวิทช์เซลล์
(รูป. 2.10a) ที่นี่การสูญเสียการนำจะลดลงเพราะเพียงสองอุปกรณ์จะดำเนินการ
ในเส้นทางการนำแต่ละ ข้อเสียของมันคือความต้องการของทั้งสองประตูไดรฟ์
วงจรสำหรับแต่ละ IGBTs สำหรับการจัดแสดงในรูป 2.10b เนื่องจากมันร่วมกัน
จัดอีซีแอลซึ่งเป็นหนึ่งในแหล่งจ่ายไฟแยกเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับแต่ละสองทิศทาง
มือถือสวิทช์ นอกจากนี้โดยใช้นักสะสมทั่วไปสองทิศทางสลับเซลล์
(รูป. 2.10c) จำนวนของอุปกรณ์ไฟฟ้าบางแห่งจำเป็นสำหรับวงจรประตูไดรฟ์
สามารถลดลงได้ถึงหก ในที่สุดมือถือสวิทช์ที่มีการต่อต้านการขนานกลับปิดกั้น
IGBTs (RB-IGBT) [130], การจัดแสดงในรูป 2.10d [123, 149] หลัก
คุณลักษณะของ RB-IGBT คือความสามารถในการปิดกั้นของแรงดันย้อนกลับซึ่งจะช่วยลด
การใช้งานของไดโอด ด้วยเหตุนี้มีการลดลงในจำนวนที่ไม่ต่อเนื่อง
อุปกรณ์และการสูญเสียการนำ ทันทีที่ใด ๆ มีเพียงอุปกรณ์หนึ่งการดำเนินการ
ปัจจุบันในทิศทางใด ในการกำหนดค่านี้ 18 ประตูวงจรไดรฟ์และหกแยก
อุปกรณ์ไฟฟ้าเป็นสิ่งจำเป็น ดังนั้นการกำหนดค่า RB-IGBT ป้องกันขนานเป็น
ที่ต้องการโดยทั่วไปสำหรับการสร้างแปลงเมทริกซ์แบบสองทิศทางเซลล์สวิทช์ องค์ประกอบที่
ซับซ้อนของการแปลงเมทริกซ์กับเซลล์สวิทช์ที่แตกต่างกันได้อธิบายไว้ใน
ตารางที่ 2.3 [21].
นอกจากนี้เปลี่ยนอุปกรณ์อื่น ๆ นอกเหนือจาก IGBT, สามารถนำมาใช้ในพิธีกร.
ถ้าเปลี่ยนอุปกรณ์ที่ใช้สำหรับสวิตช์ไฟสองทิศทางมีกลับ
แรงดันไฟฟ้า การปิดกั้นความสามารถแล้วมันเป็นไปได้ที่จะสร้างสวิทช์แบบสองทิศทาง สำหรับ
ตัวอย่างเช่น MOS เปิดปิดทรานซิสเตอร์ (MTOs) ทรานซิสเตอร์ GTO และ JFET บริสุทธิ์อาจจะ
บังคับ [93].
ปัญหาที่สำคัญเป็นครั้งแรกที่เกี่ยวข้องกับการก่อให้เกิดการปฏิบัติของสองทิศทาง
สวิทช์ ปัจจุบันมีสวิทช์ขนาดเล็กไม่มีอำนาจสองทิศทางที่มี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การควบคุม เพียงหนึ่งประตูทรานซิสเตอร์ วงจรขับสลับเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับแต่ละเซลล์ ที่ข้อเสียก็คือการขาดทุนค่อนข้างสูง ในสื่อขั้นตอนที่ 3 ( 2 ) และอุปกรณ์ไดโอดทรานซิสเตอร์ IGBT ) นอกจากนี้ทิศทางของกระแสไฟฟ้าสลับเซลล์ที่ไม่สามารถควบคุมได้ สองมากที่สุดที่ใช้โดยทั่วไปการกำหนดค่าของสวิตช์เซลล์ชื่อ antiparalleled ตัวส่งสัญญาณทั่วไปการสูญเสียการตั้งค่า ( รูปที่ 2.10b ) และร่วมกันต่อต้านได้สะสมการสูญเสียการตั้งค่า ( รูปที่ 2.10c ) แต่ละเซลล์สวิตช์เหล่านี้ประกอบด้วยสองไดโอด และสอง IGBT สวิทช์ที่เชื่อมในการต่อต้านแบบขนาน การจัดวาง ไดโอดที่เป็นรวมเพื่อให้กลับปิดกั้นความสามารถ ส่วน igbts ให้อิสระการควบคุมทิศทางในปัจจุบัน เทียบกับสวิตช์ไดโอดบริดจ์ เซลล์( รูปที่ 2.10a ) ที่นี่การขาดทุนลดลง เพราะเพียงสองอุปกรณ์ )การนำความร้อนในแต่ละเส้นทาง ข้อเสีย คือ ความต้องการของ สองประตู ขับวงจรของแต่ละ igbts . สำหรับการจัดแสดงในรูปที่ 2.10b เนื่องจากทั่วไปการส่งสัญญาณ หนึ่งแยกแหล่งจ่ายไฟจะต้องสำหรับแต่ละสองทิศทางเปลี่ยนเซลล์ นอกจากนี้ โดยการสะสมสองทิศทางสลับเซลล์ทั่วไป( รูปที่ 2.10c ) , จำนวนของวัสดุที่จำเป็นสำหรับการแยกอำนาจประตูขับวงจรสามารถลดการหก สุดท้าย เปลี่ยนเซลล์ต่อต้านได้ย้อนกลับบล็อกigbts ( rb-igbt ) [ 130 ] , จัดแสดงในรูปที่ 2.10d [ 123 , 149 ] หลักคุณลักษณะของ rb-igbt เป็นแรงดันย้อนกลับปิดกั้นความสามารถ ซึ่งขจัดการใช้ไดโอด ด้วยเหตุนี้ จึงต้องมีการลดจำนวนของเดี่ยวอุปกรณ์และการขาดทุน ที่ทันที มีเพียงหนึ่งอุปกรณ์ดำเนินการปัจจุบันในทิศทางใด ในการตั้งค่านี้ 18 ประตูขับวงจรและหกแยกพลังงานเป็นสิ่งจำเป็น ดังนั้นการต่อต้านได้ rb-igbt ค่าคือโดยทั่วไปที่ต้องการสำหรับการสร้างเมทริกซ์สลับแปลงสองเซลล์ องค์ประกอบความซับซ้อนของการแปลงเมทริกซ์กับเซลล์ที่อธิบายไว้ในสวิตช์ต่าง ๆตารางที่ 2.3 [ 21 ]นอกจากนี้ การเปลี่ยนอุปกรณ์ นอกเหนือจากการสูญเสียที่สามารถใช้ใน MSCถ้าเปลี่ยนอุปกรณ์ที่ใช้สําหรับเปลี่ยนอำนาจสองทิศทางมีย้อนกลับแรงดันปิดกั้นความสามารถแล้วมันเป็นไปได้ที่จะสร้างสวิตช์สองทิศทาง . สำหรับตัวอย่าง มอส ปิดหลัก ( mtos ) ผู้บริหาร GTO และบริสุทธิ์ jfet อาจเป็นใช้ [ 93 ]ปัญหาคีย์แรกเกี่ยวข้องกับการก่อให้เกิดการปฏิบัติแบบสองทิศทางสวิตช์ ขณะนี้มีขนาดเล็กสองพลังสลับที่