XRD patterns of the SiC (Fig. 6a) s

XRD patterns of the SiC (Fig. 6a) show three peaks, corresponding to (111), (220) and (311) crystal planes of cubic b-SiC (JCPDS card 029-1129) characteristic of 2h values of 35.6, 60 and 71.8, respectively. Additionally, there is a peak at low intensity in 2h = 34.2 (d = 2.62 A˚ ) , which is characteristic of hexagonal polytype of SiC, usually represented by a-SiC. Therefore, it can be concluded that the SiC synthesized consists mainly of SiC cubic type (b-SiC) with a small amount of a-SiC. These results are consistent with reported literature results (Preiss et al., 1995; Qian et al., 2004; Shen et al., 2007; Ding et al., 2014). In addition, a broad and wide peak ( around
2h 22) attributable to silica, as cristobalite, appeared, which might be associated with unreacted silica (Zhokhov et al., 2009; Ye et al., 2012). This result is also confirmed by the FTIR spectrum, with the appearance of Si–O–Si bond. Fig. 6b shows the XRD pattern of the SiC obtained after acid etching with HF, having higher purity SiC, disappearing the characteristic peak of residual silica at 2h 22.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปแบบการ XRD ของ SiC (Fig. 6a) แสดงสามยอด ที่สอดคล้องกับ (111), (220) และคริสตัล (311) เครื่องบินของลูกบาศก์ b-SiC (JCPDS บัตร 029-1129) ลักษณะของค่า h 2 35.6, 60 และ 71.8 ตามลำดับ นอกจากนี้ มีสูงสุดที่ความเข้มต่ำใน 2 h = 34.2 (d = 2.62 A˚), ซึ่งเป็นลักษณะของหกเหลี่ยม polytype ของ SiC มักจะแสดง โดยที่ SiC ดังนั้น จึงสามารถสรุปได้ว่า SiC จะสังเคราะห์ประกอบด้วยส่วนใหญ่ของ SiC ลูกบาศก์ชนิด (b-SiC) มีจำนวนเล็กน้อยที่ SiC ได้ ผลลัพธ์เหล่านี้จะสอดคล้องกับเอกสารประกอบการรายงานผล (Preiss และ al., 1995 เคียน et al., 2004 เชิน et al., 2007 ดิง et al., 2014) นอกจากนี้ ช่วงที่กว้าง และหลากหลายทั่ว2 h 22) รวมกับซิลิก้า เป็น cristobalite ปรากฏ ซึ่งอาจจะเกี่ยวข้องกับซิลิก้า unreacted (Zhokhov et al., 2009 Ye et al., 2012) นอกจากนี้ยังมียืนยันผลนี้จากสเปคตรัม FTIR มีลักษณะของพันธะศรี – O – ศรี Fig. 6b แสดงรูปแบบการ XRD ของ SiC ที่ได้รับหลังจากกรดกัดกับ HF มีความบริสุทธิ์สูง SiC หายไปสูงสุดลักษณะของซิลิกาที่เหลือที่ 2h 22

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปแบบ XRD ของ SiC (รูป. 6a) แสดงสามยอดที่สอดคล้องกับ (111) (220) และ (311) เครื่องบินผลึกลูกบาศก์ B-SiC (JCPDS บัตร 029-1129) ลักษณะของค่า 2h 35.6, 60 และ 71.8 ตามลำดับ นอกจากนี้ยังมีจุดสูงสุดที่ระดับความเข้มต่ำ 2h = 34.2 (d = 2.62 A) ซึ่งเป็นลักษณะของ polytype หกเหลี่ยมของ SiC แทนโดยปกติ-SiC ดังนั้นจึงสามารถสรุปได้ว่า SiC สังเคราะห์ส่วนใหญ่ประกอบด้วยดังนี้ลูกบาศก์ประเภท (ข-SiC) มีจำนวนน้อยของ-SiC ผลลัพธ์เหล่านี้มีความสอดคล้องกับผลการรายงานวรรณกรรม (Preiss, et al, 1995;. เควน et al, 2004;. Shen et al, 2007;.. Ding et al, 2014) นอกจากนี้จุดสูงสุดในวงกว้างและกว้าง (ประมาณ
2 ชั่วโมง 22) ส่วนที่เป็นซิลิกาเป็น cristobalite ปรากฏซึ่งอาจจะเกี่ยวข้องกับซิลิกา unreacted (Zhokhov et al, 2009;.. เจ้า et al, 2012) ผลที่ได้นี้ยังได้รับการยืนยันโดยคลื่นความถี่ FTIR ด้วยการปรากฏตัวของ Si-O-ศรีตราสารหนี้ รูป 6b แสดงให้เห็นถึงรูปแบบ XRD ของ SiC ได้รับหลังจากที่มีการแกะสลักกรด HF ที่มีความบริสุทธิ์สูง SiC หายไปยอดเขาลักษณะของซิลิกาที่เหลือที่ 2h 22

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วิเคราะห์รูปแบบของ SIC ( รูปที่ 6 ) แสดงสามยอดเขาที่ ( 111 ) ( 220 ) และ ( 311 ) คริสตัล เครื่องบินของลูกบาศก์ b-sic ( jcpds บัตร 029-1129 ) ลักษณะของค่านิยมที่เพิ่มขึ้นของ 35.6 , 60 และ 1 ตามลำดับ นอกจากนี้ มีจุดสูงสุดที่ความเข้มต่ำใน 2H = 34.2 ( D = 2.62 ˚ ) ซึ่งเป็นลักษณะของ polytype หกเหลี่ยมของ sic มักจะแสดงโดยฟิล์มบางอะมอร์ฟัส . ดังนั้นสรุปได้ว่า SIC สังเคราะห์ประกอบด้วยส่วนใหญ่ของ SIC ลูกบาศก์ชนิด ( b-sic ) กับจำนวนเล็ก ๆของฟิล์มบางอะมอร์ฟัส . ผลลัพธ์เหล่านี้สอดคล้องกับรายงานผลวรรณกรรม ( preiss et al . , 1995 ; เฉียน et al . , 2004 ; Shen et al . , 2007 ; ติง et al . , 2010 ) นอกจากนี้ ช่วงกว้างและกว้าง ( ประมาณ
2H 22 ) จากซิลิกาเป็น cristobalite , ปรากฏ ,ซึ่งอาจจะเกี่ยวข้องกับเข้าสู่ซิลิกา ( zhokhov et al . , 2009 ; ท่าน et al . , 2012 ) ผลนี้ยังได้รับการยืนยันโดย FTIR สเปกตรัมที่มีลักษณะของศรี– O –ศรีพันธบัตร รูปบนแสดงวิเคราะห์รูปแบบของ SIC ที่ได้รับหลังจากกัดกรดกับ HF มีความบริสุทธิ์สูง , SIC , หายไปสูงสุด ลักษณะของซิลิกาตกค้างที่ 2H
22 .