ZnO was deposited by using diethyl-

ZnO was deposited by using diethyl-zinc (DEZ), diborane (B2H6)andwater(H2O) as precursor gases. If not mentioned differently, the LPCVD hot plate temperature was set to 180 °C, the H2O/DEZ precursor ratio was set to 1.22; and the process pressure to 0.5 mbar (50 Pa) for layer deposition [17].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO ฝากเงิน โดยใช้ diethyl-สังกะสี (DEZ), diborane (B2H6)andwater(H2O) เป็นก๊าซสารตั้งต้น ถ้าไม่กล่าวถึงแตกต่างกัน มีการตั้งค่าอุณหภูมิแผ่นความร้อน LPCVD ถึง 180 ° C อัตราส่วน H2O/DEZ สารตั้งต้นถูกตั้งค่าให้ 1.22 และแรงกดดันกระบวนการ 0.5 mbar (50 Pa) สำหรับสะสมชั้น [17]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิงค์ออกไซด์ถูกวางโดยใช้ diethyl สังกะสี (DEZ) diborane (B2H6) กายวิภาค (H2O) เป็นก๊าซสารตั้งต้น หากไม่ได้กล่าวถึงแตกต่างกันอุณหภูมิจานร้อน LPCVD ถูกกำหนดให้ 180 ° C, H2O / DEZ อัตราส่วนสารตั้งต้นถูกกำหนดให้ 1.22; และความดันกระบวนการ 0.5 เอ็มบาร์ (50 ปี) สำหรับการสะสมชั้น [17]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฝากไดด้วยซิงค์ออกไซด์สังกะสี ( เดซ ) รู้ทั้งรู้ ( b2h6 ) และ ( H2O ) เป็นสารตั้งต้นของก๊าซ ถ้าไม่กล่าวถึงแตกต่างกัน , lpcvd จานร้อนอุณหภูมิ 180 องศา C ชุด , H2O / อัตราส่วนสารตั้งต้นคือชุดเดซ 1.22 ; และกระบวนการกดดัน 0.5 มิลลิบาร์ ( 50 PA ) สำหรับสะสมชั้น [ 17 ]