The dopant concentration profile af

The dopant concentration profile after implantation follows a Gaussian distribution as illustrated in Fig. 2.19. As seen in the figure, the peak concentration Np is found at a certain depth called the projected range Rp. The projected range measures the average penetration depth of the ions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รายละเอียดความเข้มข้นเจือปนหลังจากการฝังต่อไปนี้การกระจายเสียนดังแสดงในภาพ 2.19 เท่าที่เห็นในรูปเอ็นพีเข้มข้นสูงสุดที่พบที่ระดับความลึกบางอย่างที่เรียกว่าสวมบทบาทในช่วงที่คาดการณ์ ช่วงที่คาดการณ์มาตรการเจาะลึกเฉลี่ยของไอออน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Dopant เข้มข้นโพหลังจากฤทธิ์ต่อกระจาย Gaussian ดังที่แสดงใน Fig. 2.19 เท่าที่เห็นในภาพ ความเข้มข้นสูงสุด Np จะพบที่ความลึกบางที่เรียกว่าช่วงคาดการณ์ Rp คาดช่วงวัดความลึกเจาะเฉลี่ยของประจุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โปรไฟล์ความเข้มข้น dopant หลังจากปลูกโดยมีรายละเอียดดังนี้การกระจาย gaussian ที่ตามที่ได้แสดงไว้ในรูปที่ คิดเป็นร้อยละ 2.19 . ดังที่เห็นในรูปที่ให้ความเข้มข้นสูงสุดที่ NP จะพบได้ที่ความลึกของบางอย่างที่เรียกว่า.คาดว่าช่วงที่ คาดว่าช่วงที่ออกมาตรการความลึกในการเจาะทะลุโดยเฉลี่ยของไอออนได้