กราฟแสดงค่า Electron Concentration ของอุปกรณ์ nMOS ที่สร้างขึ้น พบว่าอิเล็กตอนมีความเข้มข้นสูงสุดที่ผิวหน้าหรือที่ความลึกเป็นศูนย์และ มีการกระจายตัวเจือจางลงเรื่อยๆลักษณะเป็นเชิงเส้นที่ความลึกจากผิวหน้าจนถึงประมาณ-0.5 um หลังจากนั้นจะมีความเข้มขั้นคงที่และจากความลึกประมาณ-0.4 um จนไปสิ้นสุดที่ -0.3 um